通過單晶生長工藝獲得的單晶硅錠，因硅材質硬脆特性，無法直接用于半導體芯片制造，需經過機械加工、化學處....
晶面和晶向是晶體學中兩個核心的概念，它們與硅基集成電路工藝中的晶體結構有密切的關系。
晶圓級扇出封裝（FO-WLP）通過環氧樹脂模塑料（EMC）擴展芯片有效面積，突破了扇入型封裝的I/O....
本文介紹了在射頻前端模塊（RF-FEM）中使用的集成無源元件（IPD）技術。
打線鍵合就是將芯片上的電信號從芯片內部“引出來”的關鍵步驟。我們要用極細的金屬線（多為金線、鋁線或銅....
自半導體晶體管問世以來，集成電路技術便在摩爾定律的指引下迅猛發展。摩爾定律預言，單位面積上的晶體管數....
在微電子行業飛速發展的背景下，封裝技術已成為連接芯片創新與系統應用的核心紐帶。其核心價值不僅體現于物....
貼膜是指將一片經過減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍色，業內常稱為“....
在芯片制程進入納米時代后，一個看似矛盾的難題浮出水面：如何在不損傷脆弱納米結構的前提下，徹底清除深孔....
“減薄”，也叫 Back Grinding（BG），是將晶圓（Wafer）背面研磨至目標厚度的工藝步....
干法刻蝕技術作為半導體制造的核心工藝模塊，通過等離子體與材料表面的相互作用實現精準刻蝕，其技術特性與....
在芯片制造中，光刻技術在硅片上刻出納米級的電路圖案。然而，當制程進入7納米以下，傳統光刻的分辨率已逼....
濕法刻蝕作為半導體制造領域的元老級技術，其發展歷程與集成電路的微型化進程緊密交織。盡管在先進制程中因....
化合物半導體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎，展現出獨特的電學與光學特性。以砷....
本文簡單介紹了氧化層制備在芯片制造中的重要作用。
導語薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術的核心驅動元件，通過材料創新與工藝優化，實現了從傳統非晶硅向....
芯片中的晶體管（如NMOS和PMOS）需要通過金屬線連接才能形成完整電路。 第一層互聯 （通常稱為M....
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態與非晶態之間的化合物。其....
TGV（Through Glass Via）工藝之所以選擇在玻璃上打孔，主要是因為玻璃在以下五個方面....
互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術是現代集成電路設計的核心，它利用了N型和P型MOSFET（金屬氧....
集成電路是現代信息技術的基石，而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發展，現代集成電路的集成度....
在納米尺度集成電路制造領域，快速熱處理（RTP）技術已成為實現器件性能突破與工藝優化的核心工具。相較....
本文介紹了超聲波的T-SAM與C-SAM兩種模式的區別。
定向自組裝光刻技術通過材料科學與自組裝工藝的深度融合，正在重構納米制造的工藝組成。主要內容包含圖形結....
本文介紹了先進集成電路制造多重曝光中的套刻精度要求。
本文介紹了當半導體技術從FinFET轉向GAA（Gate-All-Around）時工藝面臨的影響。
在集成電路封裝技術的演進歷程中，球柵陣列封裝（Ball Grid Array，BGA）憑借卓越性能與....
但當芯片做到22納米時，工程師遇到了大麻煩——用光刻機畫接觸孔時，稍有一點偏差就會導致芯片報廢。 自....
從早期的平面 CMOS 工藝到先進的 FinFET，p 型襯底在集成電路設計中持續被廣泛采用。為什么....
前端設計（Front-end Design）：聚焦于電路的邏輯功能實現。本質上是在“紙上”設計電路，....
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