氮化鈦（TiN）是一種具有金屬光澤的陶瓷材料，其晶體結構為立方晶系，化學穩定性高、硬度大（莫氏硬度9....
新一代封裝技術中出現了嵌入多個芯片的復雜系統設計。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統以及新型傳....
在之前的文章中我們已經對集成電路工藝的可靠性進行了簡單的概述，本文將進一步探討集成電路前段工藝可靠性....
光電探測器,作為光電子技術的核心,在信息轉換和傳輸中扮演著不可或缺的角色,其在圖像傳感和光通信等領域....
微波、低頻無線電波和高頻光波都是電磁波譜中的不同部分，它們在頻率范圍、波長、傳播特性、應用領域等方面....
本文介紹了影響集成電路可靠性的Cu/low-k互連結構中的電遷移問題。
本文介紹了集成電路制造工藝中的電鍍工藝的概念、應用和工藝流程。
本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機理的統計，然后詳細介紹了封裝失效分析的流程、方法及設備。
鑄錠澆注法是較早出現的一種技術，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉機械將其注入模具內....
柵極（Gate）是晶體管的核心控制結構，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似....
封裝基板設計是集成電路封裝工程中的核心步驟之一，涉及將芯片與外部電路連接的基板（substrate）....
本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點、重要性、優勢，以及工藝流程和面臨的挑戰。
本文概述了集成電路制造中的劃片工藝，介紹了劃片工藝的種類、步驟和面臨的挑戰。
此處以增強型PMOS，NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強型MOS管。
金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術來達成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長處。通常情況下，熱壓....
本文介紹了硅的導熱系數的特性與影響導熱系數的因素。
本文介紹了集成電路和光子集成技術的發展歷程，并詳細介紹了鈮酸鋰光子集成技術和硅和鈮酸鋰復合薄膜技術。
本文介紹了集成電路設計中Standard Cell(標準單元)的概念、作用、優勢和設計方法等。
本文介紹了光通信中的光電二極管的工作原理，及其響應度和效率的概念。
隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術節點，原始的本征氧化隔離技術（LocOS）已不適應。“隔離”是指利用....
Bump Pattern Design（焊點圖案設計） 是集成電路封裝設計中的關鍵部分，尤其在BGA....
在關鍵尺寸的在線量測環節，所運用的設備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD（optical crit....
封裝設計是集成電路（IC）生產過程中至關重要的一環，它決定了芯片的功能性、可靠性和制造工藝。
鍵合技術主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等....
封裝中的RDL（Redistribution Layer，重分布層）是集成電路封裝設計中的一個重要層....
光刻是廣泛應用的芯片加工技術之一,下圖是常見的半導體加工工藝流程。
當前光纖系統已廣泛應用于從接入到核心骨干網的各個層級。各層級因功能需求差異采用不同技術方案：例如核心....
在芯片制造中，有源區（Active Area）是晶體管的核心工作區域，負責電流的導通與信號處理。它如....
封裝設計Design Rule 是在集成電路封裝設計中，為了保證電氣、機械、熱管理等各方面性能而制定....
納米技術是一個高度跨學科的領域，涉及在納米尺度上精確控制和操縱物質。集成電路（IC）作為已經達到納米....
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