芯片制造中大量使用物理氣相沉積、化學氣相沉積、電鍍、熱壓鍵合等技術來實現芯片導電互連。

玻璃基板是一種由高度純凈的玻璃材料制成的關鍵組件，常見的材料包括硅酸鹽玻璃、石英玻璃和硼硅酸鹽玻璃等....

所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連....

TGV技術是近年來在先進封裝(如2.5D/3D IC、射頻器件、MEMS、光電子集成等)領域備受關注....

隨著臺積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺 CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD....

隨著集成電路高集成度、高性能的發展，對半導體制造技術提出更高要求。超短脈沖激光加工作為一種精密制造技....

通信、雷達和微波測量等領域電子信息裝備迅速發展, 對射頻系統提出了微型化、集成化和多樣化等迫切需求。....

對于傳統的MOSFET器件，雖然因為柵極絕緣層的采用大大抑制了柵極漏流，但是硅溝道較低的電子遷移率也....

常規IC封裝需經過將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復雜過程。與之不同，WLP....

翹曲（Warpage）是結構固有的缺陷之一。晶圓級扇出封裝（FOWLP）工藝過程中，由于硅芯片需通過....

產品集成11顆芯片，58個無源元件，采用雙面陶瓷管殼作為載體，進行雙層芯片疊裝和組裝，實現高密度集成....

多芯片封裝在現代半導體領域至關重要，主要分為平面多芯片封裝和多芯片堆疊封裝。多芯片堆疊封裝又細分為多....

CSP的概念最早于1993年由Fuiitsu公司的Junichi Kasai和Hitachi Cab....

自集成電路誕生以來，摩爾定律一直是其發展的核心驅動力。根據摩爾定律，集成電路單位面積上的晶體管數量每....

電氣性能制約隨著片外數據傳輸速率持續提升及鍵合節距不斷縮小，引線鍵合技術暴露出電感與串擾兩大核心問題....

在芯片制造這一復雜且精妙的領域中，氮化硅（SiNx）占據著極為重要的地位，絕大多數芯片的生產都離不開....

和傳統芯片不同，微流控芯片更像是一個微米尺度的“生化反應平臺”。詳細來說，微流控芯片是一種將生物、化....

為了提高高密度互連印制電路板的導電導熱性和可靠性，實現通孔與盲孔同時填孔電鍍的目的，以某公司已有的電....

多芯片堆疊技術的出現，順應了器件朝著小型化、集成化方向發展的趨勢。該技術與先進封裝領域中的系統級封裝....

芯片封裝是半導體制造的關鍵環節，承擔著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術（B....

前段工藝（Front-End）、中段工藝（Middle-End）和后段工藝（Back-End）是半導....

芯片封裝是半導體制造的關鍵環節，承擔著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術就是....

3D封裝與系統級封裝概述 一、引言：先進封裝技術的演進背景 隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限，半導體行業....

我國是石墨烯研究和應用開發最活躍的國家之一，相關產業正進入高速發展期。中商產業研究院發布的《2025....

銅箔作為PCB板的導體材料，是PCB板不可或缺的重要的組成部分。接下來，我會從銅箔的出貨形態，外觀，....

覆銅箔基板Copper Clad Copper，簡稱基板CCL。CCL是PCB硬板的芯板(Corel....

高密度封裝技術在近些年迅猛發展，同時也給失效分析過程帶來新的挑戰。常規的失效分析手段難以滿足結構復雜....

隨著集成電路及其相關應用的發展，信號速率越來越高，大概每3~4年高速信號的速率就會翻一番，隨著信號速....

金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學反應，在較低溫度下通過低溫相變而實現的鍵合，鍵合后的金屬化合物熔點高于....

銅引線鍵合由于在價格、電導率和熱導率等方面的優勢有望取代傳統的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵....