女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

什么是金屬共晶鍵合

深圳市賽姆烯金科技有限公司 ? 來(lái)源:芯讀者 ? 2025-03-04 14:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來(lái)源:芯讀者

一、什么是金屬共晶鍵合

金屬共晶鍵合是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng),在較低溫度下通過(guò)低溫相變而實(shí)現(xiàn)的鍵合,鍵合后的金屬化合物熔點(diǎn)高于鍵合溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。

思考:那么我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)鍵合工藝呢?合金相圖是核心,也就是要考慮溫度、合金成分;第二點(diǎn)是,要么形成金屬共晶,要么形成金屬間化合物,這是金屬鍵合的核心點(diǎn)。

8fa6817a-f7d5-11ef-9310-92fbcf53809c.png

(圖片來(lái)自,三維集成技術(shù))

所以,基于以上思考,不難引出另外一種基于金屬鍵合的晶圓鍵合方式,也就是固液間擴(kuò)散法(Solid Liquid Inter Diffusion,SLID)。即利用低熔點(diǎn)金屬熔化為液相,與高熔點(diǎn)金屬擴(kuò)散形成金屬間化合物。

常見(jiàn)低熔點(diǎn)金屬:Bi,271℃ Sn,231℃ In,156℃ (一般以400℃以下為低熔點(diǎn))

8fc7b02a-f7d5-11ef-9310-92fbcf53809c.png

(圖片,來(lái)源金屬相圖手冊(cè))

二、常見(jiàn)的共晶合金體系

Al/Si (88.7Al/11.3Si 共晶溫度:577℃)

Si/Au(97.1Si/2.9Au 共晶溫度:363℃)

Sn/Ag(95Sn/5Ag 共晶溫度:221℃)

Au/Ge(88Au/12Ge 共晶溫度:356℃)

Au/Sn(80Au/20Sn 共晶溫度:280℃)

Pb/Sn(60Pb/40Sn 共晶溫度:183℃)

合金相圖,小編不再截圖,參考我之前文章中附件中的,合金相圖手冊(cè),自行下載。

三、共晶鍵合工藝

關(guān)于鍵合工藝的設(shè)計(jì),在此小編僅僅從兩種鍵合材料的設(shè)計(jì)來(lái)討論這段loop的工藝。以Au-Sn合金體系鍵合為例。

8fe04086-f7d5-11ef-9310-92fbcf53809c.png

注意,此草圖小編沒(méi)有畫氧化層以及種子層等,僅考慮鍵合層金屬。

首先通過(guò)金屬薄膜沉積,光刻,電鍍定義且形成金屬凸點(diǎn)結(jié)構(gòu),然后分別去除光刻膠與種子層,進(jìn)行鍵合,回火。

8ff15d08-f7d5-11ef-9310-92fbcf53809c.png

(圖片來(lái)自,三維集成技術(shù))

9009a34a-f7d5-11ef-9310-92fbcf53809c.png

鍵合環(huán)節(jié)主要工藝參數(shù):時(shí)間、溫度、鍵合壓力、鍵合氣體環(huán)境

四、共晶鍵合注意事項(xiàng)

1.鍵合過(guò)程中除了施加一定壓力溫度外,一般還需要通入少量氫氣與惰性氣體。

2.鍵合過(guò)程形成共晶造成膜層體積減小,可能出現(xiàn)空洞或裂縫,可以通過(guò)溫度,使低熔點(diǎn)金屬充分熔化,同時(shí)適當(dāng)增加壓力保證鍵合界面充分接觸。

3.金屬共晶鍵合過(guò)程中,鍵合引起滑移較大,鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度較低。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5162

    瀏覽量

    129779
  • 工藝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    683

    瀏覽量

    29446
  • 鍵合
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    82

    瀏覽量

    8103

原文標(biāo)題:金屬共晶鍵合(晶圓級(jí))

文章出處:【微信號(hào):深圳市賽姆烯金科技有限公司,微信公眾號(hào):深圳市賽姆烯金科技有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    中使用的主要技術(shù)

    晶片是指通過(guò)一系列物理過(guò)程將兩個(gè)或多個(gè)基板或晶片相互連接和化學(xué)過(guò)程。晶片合用于各種技術(shù),如MEMS器件制造,其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)用領(lǐng)域包括三維集成、先進(jìn)的封裝技術(shù)和CI制造業(yè)在
    發(fā)表于 07-21 17:27 ?3528次閱讀

    全球首臺(tái)光學(xué)拆設(shè)備發(fā)布,和激光拆有什么不同?

    圓與載板分離。 當(dāng)前,激光拆是主要的拆技術(shù)發(fā)展方向。激光拆
    的頭像 發(fā)表于 03-26 00:23 ?3745次閱讀
    全球首臺(tái)光學(xué)拆<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>設(shè)備發(fā)布,和激光拆<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>有什么不同?

    原子間的

    原子間的 1.2.1 金屬鍵???金屬中的自由電子和金屬正離子相互作用所構(gòu)成合稱為
    發(fā)表于 08-06 13:29 ?5546次閱讀

    EVG 已在全球范圍建立超過(guò) 1100 個(gè)EVG

    隨著膠囊化封裝的先進(jìn)微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像器件產(chǎn)量的加速提升,中國(guó)市場(chǎng)對(duì) EVG 解決方案的需求也不斷提升。微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納
    發(fā)表于 03-18 01:04 ?4304次閱讀

    類型介紹

    這是一種方法,其中兩個(gè)表面之間的粘附是由于兩個(gè)表面的分子之間建立的化學(xué)而發(fā)生的。
    的頭像 發(fā)表于 04-20 09:43 ?5064次閱讀

    ?圓直接及室溫技術(shù)研究進(jìn)展

    圓直接技術(shù)可以使經(jīng)過(guò)拋光的半導(dǎo)體圓,在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起,該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對(duì)于一些溫度敏感器件或者
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:46 ?2486次閱讀
    ?<b class='flag-5'>晶</b>圓直接<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>及室溫<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術(shù)研究進(jìn)展

    機(jī)中的無(wú)油真空系統(tǒng)

    機(jī)主要用于將圓通過(guò)真空環(huán)境, 加熱, 加壓等指定的工藝過(guò)程合在一起, 滿足微電子材料, 光電材料及其納米等級(jí)微機(jī)電元件的制作和封
    的頭像 發(fā)表于 05-25 15:58 ?1264次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b>圓<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>機(jī)中的無(wú)油真空系統(tǒng)

    表面清潔工藝對(duì)硅片與的影響

    隨著產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)升級(jí),電子設(shè)備不斷向小型化、智能化方向發(fā)展,對(duì)電子設(shè)備提出了更高的要求??煽康姆庋b技術(shù)可以有效提高器件的使用壽命。陽(yáng)極技術(shù)是圓封裝的有效手段,已廣泛應(yīng)用于電子器件行業(yè)。其優(yōu)點(diǎn)是
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:37 ?893次閱讀
    表面清潔工藝對(duì)硅片與<b class='flag-5'>晶</b>圓<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>的影響

    的種類和應(yīng)用

    技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的圓,通過(guò)一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。
    發(fā)表于 10-24 12:43 ?2089次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b>圓<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>的種類和應(yīng)用

    設(shè)備及工藝

    隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,設(shè)備及工藝在微電子制造領(lǐng)域扮演著越來(lái)越重要的角色。技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 12-27 10:56 ?2298次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b>圓<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>設(shè)備及工藝

    技術(shù)的類型有哪些

    技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,它通過(guò)將兩塊或多塊圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合,形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))等領(lǐng)域,是實(shí)現(xiàn)高效封
    的頭像 發(fā)表于 10-21 16:51 ?1585次閱讀

    膠的與解方式

    是十分重要的一步工藝,本文對(duì)其詳細(xì)介紹。???????????????????????????? ? 什么是
    的頭像 發(fā)表于 11-14 17:04 ?2070次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b>圓<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>膠的<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>與解<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>方式

    有什么方法可以去除邊緣缺陷?

    去除邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種: 一、化學(xué)氣相淀積與平坦化工藝 方法概述: 提供待
    的頭像 發(fā)表于 12-04 11:30 ?584次閱讀
    有什么方法可以去除<b class='flag-5'>晶</b>圓<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>邊緣缺陷?

    一文詳解技術(shù)

    技術(shù)主要分為直接和帶有中間層的。直接
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:10 ?1170次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術(shù)

    提高圓 TTV 質(zhì)量的方法

    關(guān)鍵詞:圓;TTV 質(zhì)量;圓預(yù)處理;工藝;檢測(cè)機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,
    的頭像 發(fā)表于 05-26 09:24 ?262次閱讀
    提高<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>晶</b>圓 TTV 質(zhì)量的方法