詳解三維NAND集成工藝（3D-NAND Integration Technology）
在20nm 工藝節點之后，傳統的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而....
后段集成工藝（BEOL Integration Flow）- 2
雙鑲嵌工藝分為先通孔 （Via-First） 和先溝槽(Trench-First）兩種技術。以先通孔....
主側墻和N+/P+源漏的形成
首先，沉積四乙基原硅酸鹽氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驅的CVD氧化物，簡稱TEOS-ox）和氮....
高K介質（High-k Dielectric)和替代金屬柵(RMG)工藝介紹
高k介質（如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金屬柵(如TiN、TiAl、Al 或W等）模塊....
自對準硅化物 (Self -Aligned Silicide) 工藝
形成多晶硅柵和源漏之后，先用濕法或干法清除在有源區 (AA)和多晶硅柵表面的氧化物，濺射一薄層（厚度....
前段集成工藝（FEOL）
其制造工藝流程如下：首先形成補償側墻 (Offset Spacer)，經n+/p+輕摻雜源漏后，選擇....
前段集成工藝（FEOL）-4
在硅表面保留的這一層氧化層，在后續每步工藝中將發揮重要的保護作用。補償側墻用于隔開和補償由于 LDD....
嵌入式源漏選擇性外延（Embedded Source and Drain Selective Epitaxy）
源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露....
應變硅（Strained Silicon）
根據應變的作用方向差異，應變還可以分為雙軸應變（Biaxial Strain，在晶片表面的x和y兩個....
雙重圖形化技術（Double Patterning Technology，DPT）
SADP 技術先利用浸沒式光刻機形成節距較大的線條，再利用側墻圖形轉移的方式形成 1/2 節距的線條....
鋁/銅互連工藝與雙鑲嵌法（AL/Cu Interconnect and Dual Damascenes）
鋁/銅互連工藝是指將前段工藝制備的晶體管連接起來的工藝。硅片上的金屬互連工藝過程是應用化學方法和物理....
接觸孔工藝（Contact Process）
接觸孔工藝是集成電路制造中的關鍵工藝，也是技術難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的....
集成電路芯片制造中的3種硅化物工藝介紹
為了降低接觸電阻和串聯電阻，在集成電路制造中引入了硅化物工藝，業界先后采用了可規模生產的 WSi2 ....
高K金屬柵工藝（HKMG）
目前，高K柵介質與金屬柵極技術已廣泛應用于 28mmn 以下高性能產品的制造，它在相同功耗情況下可以....
多晶硅柵（Poly-Si Gate）
多晶硅柵光刻工藝使用的光刻機是同一技術代集成電路工藝線中最先進、最昂貴的設備，它采用 UV 光源進行....
溝道工藝（Channel Process）
溝道工藝是集成電路的核心工藝之一，它確定了場效應晶體管的基本特性，如閾值電壓、短溝道特性、噪聲特性、....
模塊工藝——隔離工藝（Isolation）
最早的隔離技術是 pn 結隔離，因為加上反向偏壓，pn結就能起到很好的天然隔離作用。但是，由于其需要....
CMOS集成電路的雙阱工藝簡析
CMOS 集成電路的基礎工藝之一就是雙阱工藝，它包括兩個區域，即n-MOS和p-MOS 有源區
模塊工藝——雙阱工藝（Twin-well or Dual-Well）
CMOS 集成電路的基礎工藝之一就是雙阱工藝，它包括兩個區域，即n-MOS和p-MOS 有源區，分別....
濕法刻蝕和清洗（Wet Etch and Cleaning）
濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕....
干法刻蝕和清洗（Dry Etch and Cleaning）
干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應室，待壓力穩定后，利用射頻輝光放電產生等離子體；受高速電子....
外延工藝（Epitaxy）
固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入....
化學機械拋光工藝（Chemical Mechanical Polishing，CMP）
CMP 所采用的設備及耗材包括拋光機、拋光液（又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設備、拋光終點(End....
原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）
由于 ALD 技術逐層生長薄膜的特點，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性....
化學氣相沉積工藝（Chemical Vapor Deposition，CVD）
化學氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相....
物理氣相沉積及濺射工藝（PVD and Sputtering）
物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition， PVD)工藝是指采用物理方法，如....
退火工藝（Thermal Annealing）介紹
通常，退火工藝是與其他工藝（如離子注入、薄膜沉積、金屬硅化物的形成等）結合在一起的，最常見的就是離子....
等離子體摻雜（Plasma Doping）
通常，用射頻電源產生高濃度等離子體電離摻雜氣體，而用偏置電源加速離子去“轟擊”圓片表面。最常用的 P....
工商網監