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平面互補場效應晶體管替代金屬柵工藝流程

Semi Connect ? 來源:Semi Connect ? 作者:Semi Connect ? 2023-01-17 11:39 ? 次閱讀

平面互補場效應晶體管替代金屬柵工藝流程從平面 CMOS 45nm/ 32nm 節點開始,Intel 公司率先成功使用替代金屬柵(Replacement - Metal - Gate, RMG) 工藝(又稱后柵工藝),實現了高K氧化鉿柵介質 ( 減小柵泄漏電流) 和金屬柵(較低柵電阻),如圖所示。

79ab0212-960a-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

該工藝是指在形成層間介質層(ILD)后,插入工序以形成高k介質和金屬柵疊層,即在化學機械拋光(露出多晶硅柵疊層)后,刻蝕掉硬掩模(氮化硅/氧化硅),利用干法或濕法刻蝕清除多晶硅;然后形成高k介質(IL-ox/氧化鉿),接下來進行退火 一 沉積 TiN 覆蓋層 一 退火 一 沉積非晶硅覆蓋層 一 尖峰退火 一 濕法清除非晶硅 一 沉積 TaN(刻蝕阻擋層)和p型功函數層(p-WF, TiN) 一 掩模(開nFET) 一 刻蝕 P-WF (TiN) 一 光刻膠去除 一 沉積n型功函數層(TiAI) 一 柵金屬層填充(CVD 或濺射鈦,鋁或鎢)。其他工序與文章-1的相同。

審核編輯 :李倩

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原文標題:CMOS工藝 - 2

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