集成電路制造工藝中的氧化工藝（Oxidation Process）
濕氧氧化化學反應式為H2O(水汽）+ Si = SiO2 +2H2；在濕氧工藝中，可在氧氣中直接攜....
計算光刻技術的發展
計算光刻 (Computational Lithography)技術是指利用計算機輔助技術來增強光刻....
犧牲層技術大致包含哪幾個步驟
犧牲層技術自20世紀80 年代美國加州大學伯克利分校開發至今，得到了快速發展。犧牲層技術是 MEMS....
移相掩模技術不同的分類方法
光刻圖形質量的主要判據是圖形成像的對比度，移相掩模方法可使對比度得到改善，從而使得其分辨率比傳統方法....
空腔-SOI襯底制造MEMS諧振器的工藝流程
常規的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過注氧隔離 (Separ....
MEMS工藝中的鍵合技術
鍵合技術是 MEMS 工藝中常用的技術之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或....
干法刻蝕解決RIE中無法得到高深寬比結構或陡直壁問題
在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應離子刻蝕 （Reactive lon Etching....
常見的各向同性濕法刻蝕的實際應用
濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術。其中，各向同性 （Isotropic）....
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