當半導體雷射從閾值條件以下要達到雷射的操作，其主動層中的載子必須要先達到閾值載子濃度才會有雷射光輸出....
從（4-40）式我們知道，要達到高的弛豫頻率，光子生命期要小而閾值電流要低，然而這兩個因素是互相沖突....
（4-25） 式為我們可以量測得到的半導體雷射調制響應。將之取對數乘上10之后，其單位即為?dB，如....
最常見的半導體雷射調制是如圖4-1 的直接電流調制，半導體雷射偏壓操作在固定的電流值I0上，欲輸入的....
典型的VCSEL 結構主要由p型 DBR、n 型 DBR與光學共振腔所組成。上下 DBR提供縱向的光....
由于 VCSEL 共振腔的體積非常小，可以稱之為微共振腔（micro-cavity），因為要達到閾值....
VCSEL相較于傳統的邊射型雷射而言，另一項重要的區分在于VCSBL 具有很短的雷射共振腔。
進一步考量到 DBR 的設計時，雖然界面平整的異質結構可以提供較大而明顯的折射率差異以達到較高的 D....
相較于傳統邊射型半導體雷射的發展，垂直共握腔面射型雷射（VCSEL）的設計概念直到1979年首先被I....
共振腔中雷射光來回（round trip）振蕩后保持光學自再現（self-consistency）的....
在半導體中，光子的放射是由電子和電洞借由垂直躍遷所達成的，我們可以把具有相同k值的電子一電洞看成一種....
一個基本的半導體雷射如圖2-1所示，包含了兩個平行劈裂鏡面組成的共振腔，稱為Fabry-Perot?....
早期面射型雷射由于半導體磊晶技術簡在發展初期階段，因此還無法直接成長反射率符合雷射操作需求的全磊晶導....
早期所謂的面射型雷射（surface emitting laser, EBL）本質上仍然是邊射型雷射....
LASER是“light amplification by stimulated emission ....
CMOS 工藝技術平臺的電容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。P....
CMOS 工藝平臺的金屬方塊電阻的測試結構包含該平臺的所有金屬層，例如如果該平臺使用五層金屬層，那么....
CMOS工藝平臺的Poly 方塊電阻有四種類型的電阻，它們分別是n型金屬硅化物 Poly 方塊電阻、....
圖5-34所示為PW方塊電阻的版圖，圖5-35所示為它的剖面圖。PW方塊電阻是通過DNW 隔離襯底（....
CMOS 工藝技術平臺的方塊電阻的測試結構是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方....
雖然 WAT測試類型非常多，不過業界對于 WAT測試類型都有一個明確的要求，就是包括該工藝技術平臺所....
WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的縮寫，意思是晶圓接受測試，業界也稱WAT....
頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因為 Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而....
IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質隔離材料，同時IMD....
IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質隔離材料，....
接觸孔工藝是指在 ILD 介質層上形成很多細小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填....
IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）....
金屬層1工藝是指形成第一層金屬互連線，第一層金屬互連線的目的是實現把不同區域的接觸孔連起來，以及把不....
ILD 工藝是指在器件與第一層金屬之間形成的介質材料，形成電性隔離。ILD介質層可以有效地隔離金屬互....
Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區和多....
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