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淺談WAT測試類型

Semi Connect ? 來源:Semi Connect ? 2024-11-27 16:02 ? 次閱讀
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雖然 WAT測試類型非常多,不過業界對于 WAT測試類型都有一個明確的要求,就是包括該工藝技術平臺所有的有源器件和無源器件的典型尺寸。芯片代工廠會依據這些典型尺寸的特點,制定一套 WAT 參數,或者一份 PCM文件或者電性設計規則(Electrical DesignRule,EDR)給客戶作為設計階段的參考。

以CMOS 工藝技術平臺的 WAT測試類型為例,圖5-2所示,是WAT 測試類型的幾種簡單電路示意圖。根據CMOS 工藝技術平臺的特點,可以把WAT測試類型分為8大類:MOS晶體管、柵氧化層的完整性(Gate Oxide Integrity,GOI)、多晶硅柵場效應晶體管(Poly Field Device)和第1層金屬柵場效應晶體管(Metall Field Device)、n 型結(n-diode 結構)和p型結(p-diode 結構)、方塊電阻Rs(Sheet Resistance)、接觸電阻 Rc(Contact Resist-ance)、隔離、金屬電容(MIM Capacitor)和多晶硅電容(PIP Capacitor)。

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1) MOS 晶體管包括低壓 NMOS 和 PMOS,以及中壓 NMOS 和 PMOS,它的參數見表5-1。

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2)柵氧化層完整性,它的參數見表5-2。

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3)多晶硅柵場效應晶體管和第1層金屬柵場效應晶體管,它的參數見表5-3。

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4) n 型結和p型結,它的參數見表5-4。

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5)方塊電阻 Rs,它的參數見表5-5。

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6)接觸電阻 Rc,它的參數見表5-6。

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7)隔離,它的參數見表5-7。

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8)金屬電容和多晶硅電容,它的參數見表5-8。

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原文標題:WAT測試類型-----《集成電路制造工藝與工程應用》 溫德通 編著

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