進(jìn)一步考量到DBR的設(shè)計(jì)時(shí)，雖然界面平整的異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以提供較大而明顯的折射率差異以達(dá)到較高的DBR反射率，然而這樣的設(shè)計(jì)同時(shí)也將造成界面處產(chǎn)生明顯的能隙差異，進(jìn)而阻礙電流在半導(dǎo)體DBR中的傳導(dǎo)，這將容易導(dǎo)致VCSEL的串聯(lián)電阻增加。此外，由于p型半導(dǎo)體的電洞具有較大的有效質(zhì)量（effective mass），因此在p型半導(dǎo)體的DBR更加需要考慮串聯(lián)電阻的問(wèn)題。雖然DBR的串聯(lián)電阻可以借由增加摻雜濃度來(lái)降低，但是較高的摻雜濃度亦會(huì)導(dǎo)致垂直共振的雷射光在DBR中傳遞時(shí)光被吸收，造成雷射的閾值電流增加。因此，在DBR的界面處利用化合物含量的漸變方式或是使用能隙差異較小的材料都能有效降低串聯(lián)電阻的產(chǎn)生。另一方面，在DBR光學(xué)駐波（standing wave）的節(jié)點(diǎn)處提高摻雜濃度亦是一種可以同時(shí)降低串聯(lián)電阻與減少光學(xué)吸收的有效方法。

圖3-7表示典型的量子井VCSEL結(jié)構(gòu)導(dǎo)電帶能量變化與光學(xué)共振光強(qiáng)度的關(guān)系圖，圖中深灰色的部分代表光學(xué)共振光節(jié)點(diǎn)處增加摻雜濃度的位置。雖然在VCSEL的制作上考慮這些設(shè)計(jì)的技巧是相當(dāng)復(fù)雜的過(guò)程，尤其在磊晶的過(guò)程中，晶體成長(zhǎng)速度必須要控制得很好，分子束磊晶（MBE）系統(tǒng)能夠達(dá)到非常好的晶體厚度控制能力，但是分子束磊晶系統(tǒng)的特性不適合成長(zhǎng)成分漸變的化合物材料，為了達(dá)到降低介面能帶不連續(xù)的情況，分子束磊晶系統(tǒng)采用周期漸變的超晶格（superlattice）的方式同樣可以達(dá)到降低串聯(lián)電阻的效果。

另一方面，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（MOCVD）則可以輕易的達(dá)成成長(zhǎng)成分漸變的化合物材料，為了達(dá)到好的晶體厚度控制能力，通常要在反應(yīng)器中加裝光學(xué)即時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)，關(guān)于以上這兩種磊晶系統(tǒng)，我們會(huì)在后面的章節(jié)中再作詳細(xì)的討論。值得一提的是，一個(gè)高串聯(lián)電阻的VCSEL在連續(xù)操作時(shí)將會(huì)產(chǎn)生大量的熱，在這樣的情況下，將造成主動(dòng)層中量子井的增益頻譜往長(zhǎng)波長(zhǎng)移動(dòng)，并且快于共振腔模態(tài)的隨著熱而紅移的速度。這兩項(xiàng)頻譜上的不匹配將導(dǎo)致雷射輸出功率特性的下降，此項(xiàng)特性將在下面的章節(jié)中作更詳細(xì)的討論。