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aQFN作為一種新型封裝以其低成本、高密度I/O、優(yōu)良的電氣和散熱性能,開始被應(yīng)用于電子產(chǎn)品中。本文從aQFN封裝芯片的結(jié)構(gòu)特征,PCB焊盤設(shè)計,鋼網(wǎng)設(shè)...
硅晶圓揀選測試作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵質(zhì)量控制環(huán)節(jié),旨在通過系統(tǒng)性電氣檢測篩選出功能異常的芯片。該測試體系主要包含直流特性分析、輸出驅(qū)動能力驗(yàn)證和功能...
通過單晶生長工藝獲得的單晶硅錠,因硅材質(zhì)硬脆特性,無法直接用于半導(dǎo)體芯片制造,需經(jīng)過機(jī)械加工、化學(xué)處理、表面拋光及質(zhì)量檢測等一系列處理流程,才能制成具有...
貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍(lán)色,業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割(劃片)工藝做準(zhǔn)備。
源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)(Source/Drain Extension,SDE)在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE(源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu))引入了一個淺的...
隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加,互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來的 RC耦合寄生效應(yīng)迅速增長,影響了器件的速度。圖2.3比較了不同技術(shù)...
在納米尺度集成電路制造領(lǐng)域,快速熱處理(RTP)技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較于傳統(tǒng)高溫爐管工藝,RTP通過單片式作業(yè)模式與精準(zhǔn)的...
定向自組裝光刻技術(shù)的基本原理和實(shí)現(xiàn)方法
定向自組裝光刻技術(shù)通過材料科學(xué)與自組裝工藝的深度融合,正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)構(gòu)外延法、化學(xué)外延法及圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...
無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起...
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