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HMC292A-DIE 14 GHz至32 GHz、GaAs、MMIC、雙平衡混頻器

數據:

優勢和特點

  • 無源: 無需直流偏置
  • 轉換損耗(下變頻器):9 dB(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • 單邊帶噪聲指數:11 dB(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • 輸入IP3(下變頻器):20 dBm(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • 輸入P1dB壓縮點(下變頻器):12 dBm(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • 輸入IP2:53 dBm(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • RF至IF隔離:30 dB(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • LO至RF隔離:46 dB(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • LO至IF隔離:34 dB(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • RF回波損耗:10 dB(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • LO回波損耗:9 dB(典型值,14 GHz至30 GHz時)
  • 寬IF頻率范圍:DC至8 GHz
  • 小尺寸:7焊盤裸片[芯片]

產品詳情

HMC292A芯片是一款微型、無源、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙平衡混頻器,可用作14 GHz至32 GHz RF頻率范圍內的上變頻器或下變頻器,芯片面積較小。片內巴倫提供出色的隔離性能,無需外部元件和直流偏置。所有數據均采用50 ?測試夾具中的芯片測得,該夾具通過直徑為0.076 mm(0.003英寸)、最小長度小于0.31 mm(小于0.012英寸)的焊線連接。

應用

  • 微波和甚小孔徑終端(VSAT)無線電
  • 測試設備
  • 點對點無線電
  • 軍事電子戰(EW)、電子對抗(ECM)、以及指揮、控制、通信和情報(C3I)

方框圖





技術文檔

數據手冊(1)
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