概述
HMC8193是一款無(wú)源同相/正交(I/Q)單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器，可用作接收器鏡像抑制混頻器或發(fā)射器單邊帶上變頻器，工作頻率范圍為2.5 GHz至8.5 GHz。 HMC8193的固有I/Q架構(gòu)具有出色的鏡像抑制能力，因此無(wú)需進(jìn)行成本高昂的干擾邊帶濾波。 該混頻器還提供出色的LO至RF和LO至IF隔離性能，并降低了LO泄漏的影響以確保信號(hào)完整性。

作為一款無(wú)源混頻器，HMC8193無(wú)需任何直流電源。 相比有源混頻器，它提供較低的噪聲系數(shù)，從而確保針對(duì)高性能和精密應(yīng)用具有出色的動(dòng)態(tài)范圍。

HMC8193采用GaAs MESFET工藝制造，使用ADI公司的混頻器單元和90度混合器件。 該器件采用4 mm × 4 mm、24引腳緊湊型LFCSP封裝，工作溫度范圍為?40°C至+85°C。 該器件同時(shí)提供評(píng)估板。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC8193 2.5 GHz至8.5 GHz I Q混頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 測(cè)試與測(cè)量儀器儀表
• 軍事、航空航天和雷達(dá)
• 直接變頻接收機(jī)

特性

• 無(wú)源I/Q混頻器
• RF和本振(LO)范圍： 2.5 GHz至8.5 GHz
• 寬IF范圍：DC至3.5 GHz
• 單端RF、LO和IF
• 轉(zhuǎn)換損耗： 8 dB（典型值）
• 輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IIP3)： 21 dBm（典型值）
• 高鏡像抑制： 32 dBm（典型值）
• 高LO至RF隔離： 40 dB（典型值）
• 高LO至IF隔離： 40 dB（典型值）
• P相位平衡：+5°
• 降低IF濾波要求
• 裸露焊盤(pán)、4 mm × 4 mm、24引腳LFCSP封裝

邏輯圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應(yīng)用信息

圖118展示了HMC8193的典型應(yīng)用電路。為選擇合適的邊帶，需要一個(gè)外部90°混合耦合器。對(duì)于不需要直流工作的應(yīng)用，使用片外隔直電容。對(duì)于需要在輸出端抑制本振（LO）信號(hào)的應(yīng)用，使用一個(gè)偏置三通/射頻扼流圈，如圖118所示。確保每個(gè)IF端口的源/灌電流不超過(guò)6 mA，否則會(huì)對(duì)器件造成損壞。每個(gè)IF端口的共模電壓為0 V。

若將該器件用作上變頻器來(lái)選擇上邊帶：將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，將IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。要選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，將IF2引腳連接到90°端口。輸入為混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω負(fù)載。

若將該器件用作下變頻器來(lái)選擇上邊帶（低邊LO）：將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，將IF2引腳連接到0°端口。要選擇下邊帶（高邊LO），將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，將IF2引腳連接到0°端口。輸出為混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω負(fù)載。