本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)，重點(diǎn)將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟....

在高k金屬柵之外，另一種等效擴(kuò)充的方法是增加通過器件溝道的電子或空穴的遷移率。表2.5列舉了一些提高....

源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝....

源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)....

為了有效抑制短溝道效應(yīng)，提高柵控能力，隨著MOS結(jié)構(gòu)的尺寸不斷降低，就需要相對(duì)應(yīng)的提高柵電極電容。提....

隨著集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來的 RC耦合寄生效....

圖2.2是現(xiàn)代CMOS 器件剖面的示意圖。一般來說，水平方向的尺寸微縮幅度比垂直方向的幅度更大，這將....

2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)....

當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN....

MESFET 熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容....

結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在....

一對(duì)N溝道和P溝道 MOS 管以推挽形式工作，構(gòu)成互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體器件（Complementa....

在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VC....

上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實(shí)驗(yàn)室首次在77....

在氮化鎵藍(lán)光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個(gè)室溫下光激發(fā)的氮....

在氮化鎵發(fā)光二極體的發(fā)展過程中已受到許多的阻礙，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化鎵鎂的低活化率、....

東京大學(xué)荒川泰彥教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的概念，在1994年柏林工業(yè)大....

由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn)，要制作全磊晶結(jié)構(gòu)的長波長面射型雷射難度較高，因此在1....

為了應(yīng)用在光纖通訊上有效提升訊號(hào)傳輸距離，對(duì)于發(fā)光波長1310nm?與1550nm的面射型雷射需求也....

在完成選擇性氧化制程后，通常會(huì)將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護(hù)層的?SiO2或?SiNx....

采用氧化局限技術(shù)制作面射型雷射元件最關(guān)鍵的差異在于磊晶成長時(shí)就必須在活性層附近成長鋁含量莫耳分率高于....

制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進(jìn)行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etc....

為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點(diǎn)，在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士....

目前市場上普遍采用的面射型雷射元件主流技術(shù)為選擇性氧化法，絕大多數(shù)面射型雷射操作特性紀(jì)錄均是由選擇性....

由于蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業(yè)界及學(xué)術(shù)研究單位最常....

半導(dǎo)體材料被蝕刻移除后，剩余的柱狀結(jié)構(gòu)與周遭的空氣之間折射率差異也因此增加，因此在柱狀結(jié)構(gòu)中電子電洞....

其中蝕刻空氣柱法將大多數(shù)可以導(dǎo)通電流的半導(dǎo)體材料以物理性或化學(xué)方式蝕刻移除后，僅保留直徑數(shù)微米至數(shù)十....

從前面一小節(jié)對(duì)半導(dǎo)體雷射線寬的討論可以知道，即使半導(dǎo)體雷射操作在穩(wěn)態(tài)的狀況下，還是會(huì)有因?yàn)樽园l(fā)輻射所....

從前面的例子中，可以知道線寬增強(qiáng)因子會(huì)讓半導(dǎo)體雷射在動(dòng)態(tài)操作時(shí)譜線變寬，接下來我們要討論的是半導(dǎo)體雷....

為要了解半導(dǎo)體雷射的大信號(hào)響應(yīng)，我們先針對(duì)單模雷射的速率方程式求解，我們將使用線性增益近似以及考慮到....