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HMC787A GaAs MMIC基波混頻器,3 - 11 GHz

數據:

優勢和特點

  • 轉換損耗:典型值9 dB(3 GHz至9 GHz時)
  • 本振(LO)至射頻(IF)隔離:典型值43 dB(3 GHz至9 GHz時)
  • RF至中頻(IF)隔離:典型值26 dB(3 GHz至9 GHz時)
  • 輸入三階交調截點(IP3):典型值24 dBm(3 GHz至9 GHz時)
  • 輸入1 dB壓縮點(P1dB):典型值17 dBm(3 GHz至9 GHz時)
  • 輸出二階交調截點(IP2):典型值67 dBm(3 GHz至9 GHz時)
  • 無源雙平衡拓撲結構
  • 寬IF頻率范圍:DC至4 GHz
  • 12引腳、陶瓷、無鉛芯片載體(LCC)封裝

產品詳情

HMC787A是一款通用型雙平衡混頻器,采用符合RoHS標準的12引腳陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝,可用作3 GHz至10 GHz范圍內的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造,無需外部元件或匹配電路。HMC787A通過優化的巴倫結構提供出色的本振(LO)至射頻(RF)及LO至中頻(IF)隔離性能,采用17 dBm的LO驅動電平工作。陶瓷LCC封裝無需線焊,與高容量表貼制造技術兼容。

應用

  • 微波無線電
  • 工業、科研和醫療(ISM)頻段和超寬頻段(UWB)無線電
  • 測試設備和傳感器
  • 軍用最終用途

方框圖





技術文檔

數據手冊(1)
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