優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 100kHz 至 1400MHz 帶寬
• 在 1MHz 時(shí)具有 54.4dBm OIP3 (驅(qū)動(dòng)一個(gè) 100Ω 差分負(fù)載)
• 在 150MHz 時(shí)具有 48.0dBm OIP3 (驅(qū)動(dòng)一個(gè) 100Ω 差分負(fù)載)
• 高達(dá) 15dBm 輸出功率
• 在 240MHz 時(shí) NF = 3.0dB
• 低 1/f 噪聲拐角
• 用戶定義的低頻率
• 15.2dB 固定功率增益
• A 級(jí)器件在 150MHz 頻率下進(jìn)行了 100% 的 OIP3 測(cè)試
• 0.8nV/√Hz 總輸入噪聲
• > 2.75V_P-P 線性輸出擺幅
• P1dB = 22.5dBm
• 不易受到 V_CC 變化的影響
• 輸入 / 輸出在內(nèi)部匹配至 100Ω 差分
• 單 5V 電源
• DC 功率 = 850mW
• 可實(shí)現(xiàn)無條件穩(wěn)定

產(chǎn)品詳情

LTC^?6432-15 是一款超高動(dòng)態(tài)范圍差分增益部件放大器，專為驅(qū)動(dòng)高分辨率、高速 ADC 而設(shè)計(jì)。它提供了一個(gè)全 GHz 數(shù)據(jù)帶寬，適用于復(fù)雜的高效頻譜調(diào)制方案或抗阻塞物能力至關(guān)重要的場(chǎng)合。這款獨(dú)特的器件能夠在 100kHz 至 1GHz 的頻段內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)低噪聲、無可比擬的線性度和平坦的增益。

與寬帶 GaAs PHEMT、MESFET 和 GaN FET 不同，基于 SiGe 工藝的該放大器具有低的 1/f 噪聲，并可在低至 100kHz 的頻率條件下使用。

LTC6432-15 以簡(jiǎn)單易用為設(shè)計(jì)目標(biāo)，所需的支持組件極少。阻抗匹配、溫度補(bǔ)償和偏置控制在內(nèi)部處理，以確保在環(huán)境條件變化的情況下提供一致的性能。

所有 A 級(jí) LTC6432-15 器件的 OIP3 指標(biāo)均在 150MHz 頻率下進(jìn)行測(cè)試并提供相關(guān)保證。LTC6432-15 采用具有裸露襯墊的 4mm x 4mm、24 引腳 QFN 封裝，旨在改善熱管理和實(shí)現(xiàn)低電感。

如需具有相似性能的單端 50Ω IF 增益部件，請(qǐng)查閱相關(guān)器件 LTC6433-15 的信息。

應(yīng)用

• 差分 1GHz 帶寬 ADC 驅(qū)動(dòng)器
• 寬帶測(cè)試儀器放大器 ? ? ??
• 差分 IF 放大器
• 50Ω / 75Ω 平衡 IF 放大器

方框圖