概述
ADuM5230是一款隔離式半橋柵極驅動器,采用ADI公司的iCoupler ^?^ 技術提供獨立的隔離高端和低端輸出。此款隔離器件結合了CMOS和微變壓器技術，并集成DC/DC轉換器來提供隔離高端電源。這樣便能消除與外部電源配置相關的成本、空間和性能困難，比如自舉電路。該高端隔離電源不僅可向ADuM5230高端輸出供電，還可向配合ADuM5230使用的任何外部緩沖電路供電。

與采用高壓電平轉換方法的柵極驅動器相比，ADuM5230的輸入與各輸出之間具有真電氣隔離優勢。相對于輸入，各路輸出的工作電壓最高可達±700 VP，因而支持低端切換至負電壓。高端與低端之間的差分電壓最高可達700 VP。
數據表：*附件：ADUM5230隔離半橋驅動器，集成高端電源技術手冊.pdf

應用

• MOSFET/IGBT柵極驅動器
• 汽車
• 電機驅動
• 電源

特性

• 集成隔離高端電源
• 150 mW副邊功耗
• 隔離高端和低端輸出
• 100 mA輸出源電流、300 mA輸出吸電流
• 高共模瞬變抗擾度： >25 kV/μs
• 工作溫度最高可達： 105°C
• 可調功率水平
• 16引腳寬體SOIC封裝
• 安全和法規認證
  • UL認證： 2500 V rms（1分鐘），符合UL 1577標準
• 通過汽車應用認證

框圖

引腳配置描述

典型性能特征

應用信息

工作原理

ADuM5230的直流-直流轉換器基于常見的反激式PWM控制器原理工作，該控制器用于大多數非隔離式電源。它采用次級側PWM控制架構，將功率傳輸到芯片級空芯變壓器，該變壓器切換電流。在次級側，電壓被鉗位、整流為直流電壓，然后調節至5V。iCoupler?數據通道是非易失性的，與負載無關。次級側的輸出電壓 V_{ISO} 被鉗位并提供給數據通道。

PWM占空比可通過 V_{IO} 引腳上的元件控制，或者由次級側的內部元件控制。此功能允許用戶在可用功率不足時提升功率（請參閱“功率供應”部分的欠壓鎖定）。

欠壓鎖定可防止數據通道因低電壓而誤操作。

印刷電路板布局

ADuM5230數字隔離器集成了500mW iPower?直流-直流轉換器，邏輯接口無需外部接口電路。強烈建議在輸入和輸出電源引腳處進行電源去耦（見圖15）。ADuM5230的功率供應部分采用180MHz振蕩器頻率，通過其芯片級變壓器高效傳輸功率。此外，iCoupler數據部分的正常運行會在功率供應引腳上引入開關瞬變，這些瞬變對應多個工作頻率。噪聲抑制需要低等效串聯電阻（ESR）的高頻電容；紋波抑制和恰當的調節需要大容量電容，這些電容最方便地連接在Pin 1和Pin 2（用于 V_{DD1} ）以及Pin 14和Pin 15（用于 V_{ISO} ）之間。為了抑制噪聲和減少紋波，至少需要兩個電容并聯。推薦的電容值為0.1μF和10μF。較小的電容必須具有低ESR，例如，建議使用陶瓷電容。

低ESR電容兩端與輸入電源引腳之間的總引線長度必須不超過20mm。安裝引線長度超過20mm的去耦電容可能會導致數據耦合。建議在Pin 1和Pin 8以及Pin 9和Pin 15之間進行去耦，以抑制噪聲并減少紋波。除非兩個公共接地引腳在封裝附近連接在一起，否則應在Pin 1和Pin 8以及Pin 9和Pin 15之間進行走線。

有關電路板布局指南以及減少輻射發射的方法，請參閱AN-0971《應用筆記》。

在涉及高共模瞬變的應用中，務必使電路板布局（跨隔離柵）的設計將耦合降至最低。此外，電路板布局應設計為：在給定的器件側，任何產生的耦合都能均勻影響所有引腳。若不這樣做，可能會導致引腳間出現電壓差，超過器件的絕對最大額定值，進而致使器件閂鎖或永久損壞。

ADuM5230是一種功率器件，滿負載且以最大速度運行時約耗散1W功率。由于無法對隔離器件應用散熱器，器件的熱性能主要取決于通過GND引腳到PCB的熱傳導。如果器件在高環境溫度下使用，需提供備用。圖15中的電路板布局為Pin 2、Pin 8、Pin 9和Pin 15顯示了擴大的焊盤。應實施從焊盤到地平面的多個過孔，以顯著降低芯片內部的溫度。擴大的焊盤尺寸由設計師決定，并取決于可用的電路板空間。

熱分析

ADuM5230分析了連接到三個熱框架的幾個內部焊盤。每個器件都有一個熱焊盤，用于安裝到PCB的接地層。該器件的熱性能通過表1中的參數反映。結溫 T_J 的測量采用JEDEC標準四層板條件，帶金屬護罩和UL電氣額定操作條件。熱性能參數的保證值在指定的溫度范圍內，如《輸出電流功率》部分所述。遵循印刷電路板布局建議可減少對PCB的熱阻，從而在更高環境溫度下增加降額裕度。

在功率耗散條件下（如圖12所示），封裝的外殼溫度在安全工作范圍內；但是，如果結溫在100°C范圍內，且環境溫度高于85°C，則耗散的功率足夠大，可將封裝加熱到高溫。如果器件在高溫下運行，應注意避免過高的紅外負載。