樣品表面元素和價(jià)態(tài)分布進(jìn)行成像分析 具有先進(jìn)的電荷中和技術(shù)，可同時(shí)使用電子和離子束對(duì)樣品進(jìn)行有效的電荷中和激光掃描分析檢測(cè)有源半導(dǎo)體元器件內(nèi)部的工作情況：檢測(cè)出元件晶體管內(nèi)部的直流增減變化，同時(shí)能夠
2017-12-01 09:17:03
的應(yīng)力影響。宜特任何材料都可以以離子束剖面研磨(CP)進(jìn)行約1mm大范圍剖面的制備，由于不受應(yīng)力影響，因此更適用于樣品表面之材料特性的分析(例如EDS、AES、EBSD等表面分析)，有效樣品處理范圍約
2018-08-28 15:39:44
聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng) FIB-SEM應(yīng)用
聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統(tǒng)主要用于表面二次電子形貌觀察、能譜面掃描、樣品截面觀察、微小樣品標(biāo)記以及TEM超薄片樣品的制備。
1.FIB切片
2023-09-05 11:58:27
進(jìn)行元素組成分析。1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦
2020-02-05 15:13:29
： 2.材料微觀截面截取與觀察SEM僅能觀察材料表面信息，聚焦離子束的加入可以對(duì)材料縱向加工觀察材料內(nèi)部形貌，通過對(duì)膜層內(nèi)部厚度監(jiān)控以及對(duì)缺陷失效分析改善產(chǎn)品工藝，從根部解決產(chǎn)品失效問題。 測(cè)試聯(lián)系：金
2020-01-16 22:02:26
CFDA電路板熱輻射失效分析、智能排故定位系統(tǒng)本系統(tǒng)的應(yīng)用前景：1. 故障歸零、快速定位、失效分析2. 入廠\出廠產(chǎn)品真?zhèn)巍⒑细瘛⒁恢滦缘目焖贆z驗(yàn)、質(zhì)量控制3. 提升智能制造機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能水平
2020-06-27 19:20:02
Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機(jī)臺(tái)能在使用離子束切割樣品的同時(shí)，用電子束對(duì)樣品斷面(剖面)進(jìn)行觀察，亦可進(jìn)行EDX的成份分析。iST宜特檢測(cè)具備超高分辨率的離子束及電子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
FIB聚焦離子束電路修改服務(wù)芯片 在開發(fā)初期往往都存在著一些缺陷，F(xiàn)IB(Focused Ion Beam, 聚焦離子束) 電路修改服務(wù)，除了可提供了 芯片 設(shè)計(jì)者直接且快速修改 芯片 電路，同時(shí)
2018-08-17 11:03:08
影響LED封裝主要用于保護(hù)LED芯片，封裝的質(zhì)量直接影響著芯片的使用。針對(duì)封裝工藝異常引起的芯片失效，金鑒實(shí)驗(yàn)室會(huì)對(duì)固晶工藝、引線鍵合工藝、燈珠氣密性等進(jìn)行全面評(píng)估，從宏觀和微觀分析出失效原因及失效
2020-10-22 09:40:09
影響LED封裝主要用于保護(hù)LED芯片，封裝的質(zhì)量直接影響著芯片的使用。針對(duì)封裝工藝異常引起的芯片失效，金鑒實(shí)驗(yàn)室會(huì)對(duì)固晶工藝、引線鍵合工藝、燈珠氣密性等進(jìn)行全面評(píng)估，從宏觀和微觀分析出失效原因及失效
2020-10-22 15:06:06
及PCBA的失效現(xiàn)象進(jìn)行失效分析，通過一系列分析驗(yàn)證，找出失效原因，挖掘失效機(jī)理，對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，仲裁失效事故有重要意義。2、服務(wù)對(duì)象印制電路板及組件（PCB&PCBA）生產(chǎn)商：確認(rèn)
2020-02-25 16:04:42
要求，越來越多的PCB出現(xiàn)了潤(rùn)濕不良、爆板、分層、CAF等等各種失效問題。介紹這些分析技術(shù)在實(shí)際案例中的應(yīng)用。PCB失效機(jī)理與原因的獲得將有利于將來對(duì)PCB的質(zhì)量控制，從而避免類似問題的再度發(fā)生。
2018-11-28 11:34:31
`電路板廠家生產(chǎn)高密度多層板要用到等離子體切割機(jī)蝕孔及等離子體清洗機(jī).大致的生產(chǎn)工藝流程圖為:PCB芯板處理→涂覆形成敷層劑→貼壓涂樹脂銅箔→圖形轉(zhuǎn)移成等離子體蝕刻窗口→等離子體切割蝕刻導(dǎo)通孔→化學(xué)
2017-12-18 17:58:30
高密度的發(fā)展趨勢(shì)以及無鉛與無鹵的環(huán)保要求，越來越多的PCB出現(xiàn)了潤(rùn)濕不良、爆板、分層、CAF等等各種失效問題。介紹這些分析技術(shù)在實(shí)際案例中的應(yīng)用。PCB失效機(jī)理與原因的獲得將有利于將來對(duì)PCB的質(zhì)量控制，從而避免類似問題的再度發(fā)生。
2019-10-23 08:00:00
金屬化孔的斷裂失效。 由于PCB高密度的發(fā)展趨勢(shì)以及無鉛與無鹵的環(huán)保要求，越來越多的PCB出現(xiàn)了潤(rùn)濕不良、爆板、分層、CAF等等各種失效問題。介紹這些分析技術(shù)在實(shí)際案例中的應(yīng)用。PCB失效機(jī)理與原因的獲得將有利于將來對(duì)PCB的質(zhì)量控制，從而避免類似問題的再度發(fā)生。
2018-09-12 15:26:29
及環(huán)境試驗(yàn)分析利用冷熱沖擊，氣體腐蝕，HAST試驗(yàn)，PCT試驗(yàn)，CAF試驗(yàn)、回流焊測(cè)試等老化測(cè)試設(shè)備，PCB線路板可靠性不過失效分析：主要利用機(jī)械研磨，氬離子拋光，F(xiàn)IB離子束等制樣手段，掃描電鏡
2021-08-05 11:52:41
我公司是由在聚焦離子束（掃描離子顯微鏡）應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域有多年經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)骨干創(chuàng)立而成。我們?yōu)榧?b class="flag-6" style="color: red">電路設(shè)計(jì)和制造工業(yè)，光電子工業(yè)，納米材料研究領(lǐng)域提供一流的分析技術(shù)服務(wù)。我們特別專注于離子束應(yīng)用技術(shù)在
2013-09-03 14:41:55
特性進(jìn)行更精確的分析氬離子拋光機(jī)可以實(shí)現(xiàn)平面拋光和截面研磨拋光這兩種形式：半導(dǎo)體芯片氬離子截面切割拋光后效果圖： 聚焦離子束FIB切割+SEM分析聚焦離子束FIB測(cè)試原理：聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)
2024-01-02 17:08:51
FIB-SEM系統(tǒng)制備高質(zhì)量TEM樣品。 a、FIB粗加工 b、納米手轉(zhuǎn)移 c、FIB精細(xì)加工完成制樣 2.材料微觀截面截取 SEM僅能觀察材料表面信息，聚焦離子束的加入可以對(duì)材料縱向加工觀察材料
2017-06-29 14:08:35
，聚焦離子束的加入可以對(duì)材料縱向加工觀察材料內(nèi)部形貌，通過對(duì)膜層內(nèi)部厚度監(jiān)控以及對(duì)缺陷失效分析改善產(chǎn)品工藝，從根部解決產(chǎn)品失效問題。 案例二： 針對(duì)膜層內(nèi)部缺陷通過FIB精細(xì)加工至缺陷根源處，同時(shí)結(jié)合
2017-06-28 16:40:31
，聚焦離子束的加入可以對(duì)材料縱向加工觀察材料內(nèi)部形貌，通過對(duì)膜層內(nèi)部厚度監(jiān)控以及對(duì)缺陷失效分析改善產(chǎn)品工藝，從根部解決產(chǎn)品失效問題。 案例二： 針對(duì)膜層內(nèi)部缺陷通過FIB精細(xì)加工至缺陷根源處，同時(shí)結(jié)合
2017-06-28 16:50:34
： 使用Dual Beam FIB-SEM系統(tǒng)制備高質(zhì)量TEM樣品。 a、FIB粗加工 b、納米手轉(zhuǎn)移 c、FIB精細(xì)加工完成制樣 2.材料微觀截面截取 SEM僅能觀察材料表面信息，聚焦離子束的加入可以對(duì)材料
2017-06-28 16:45:34
P FIB 與DB FIB師出同源，最大差異在離子源與蝕刻效率。DB FIB的離子源Ga+容易附著在樣品表面，P FIB使用Xe可減少樣品Ga污染問題。P FIB可大范圍面積快速執(zhí)行，蝕刻速率提升20倍。
2019-08-15 15:57:55
服務(wù)的公司，由在聚焦離子束（掃描離子顯微鏡）應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域有多年經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)骨干創(chuàng)立而成，專注于聚焦離子束應(yīng)用（FIB）技術(shù)在 IC芯片修改以及失效分析領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)用及拓展。 是專業(yè)做FIB（聚焦離子束
2013-12-18 15:38:33
完成微、納米級(jí)表面形貌加工。聚焦離子束FIB服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域聚焦離子束FIB服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證 2.Cross-Section截面分析
2020-09-01 16:19:23
材料內(nèi)部的真實(shí)結(jié)構(gòu)，金鑒實(shí)驗(yàn)室用于制備EBSD、CL、EBIC或其它分析制樣。3.聚焦離子束技術(shù)（FIB）是利用電透鏡將鎵離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性
2021-04-08 17:41:04
失效分析（FA）是一門發(fā)展中的新興學(xué)科，近年開始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)
2020-04-07 10:11:36
`芯片失效分析步驟1. 開封前檢查，外觀檢查，X光檢查，掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。2. 開封顯微鏡檢查。3. 電性能分析，缺陷定位技術(shù)、電路分析及微探針分析。4. 物理分析，剝層、聚焦離子束(FIB
2020-05-18 14:25:44
)；OBIRCH；micro-probe;聚焦離子束微觀分析(FIB)彈坑試驗(yàn)(cratering)芯片開封(decap)芯片去層(delayer)晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法)PN結(jié)染色 / 碼染色試驗(yàn)推拉力測(cè)試
2020-05-17 20:50:12
)；鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實(shí)施，包括厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析)； GRGT團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力?集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控?集成電路競(jìng)品分析、工藝分析
2020-04-26 17:03:32
失效分析，很多時(shí)候都需要做FIB-SEM測(cè)試，相信各位電子行業(yè)的朋友并不陌生， 大家都知道用聚焦離子束FIB切片芯片，解剖芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu) 查找芯片失效點(diǎn)分析，再做進(jìn)一步分析。今天，邵工給大家分享一下
2021-08-05 12:11:03
本文介紹了離子束濺射鍍膜機(jī)電源的設(shè)計(jì)方案，并著重闡述了短路保護(hù)電路、自動(dòng)恢復(fù)電路和線性光電隔離電路的設(shè)計(jì)。測(cè)試結(jié)果表明：該電源能滿足離子束濺射鍍膜機(jī)設(shè)備的要
2009-10-16 09:41:59
31 離子束加工原理和離子束加工的應(yīng)用范圍，離子束加工的特點(diǎn)。
2011-05-22 12:48:41
18313 
離子束注入技術(shù)概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級(jí)的離子
2011-05-22 13:00:550 離子源用以獲得離子束的裝置。在各類離子源中，用得最多的是等離子體離子源，即用電場(chǎng)將離子從一團(tuán)等離子體中引出來。這類離子源的主要參數(shù)由等離子體的密度、溫度和引出系統(tǒng)
2011-12-16 11:28:081334 
電子束加工和離子束加工是近年來得到較大發(fā)展的新型特種加工。他們?cè)诰芪⒓?xì)加工方面，尤其是在微電子學(xué)領(lǐng)域中得到較多的應(yīng)用。通常來說，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學(xué)加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
2021-03-17 20:10:4815 聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
2021-04-03 13:51:003591 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
2021-03-25 16:40:0816249 
聚焦離子束（FIB）與掃描電子顯微鏡（SEM）耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過結(jié)合相應(yīng)的氣體沉積裝置，納米操縱儀，各種探測(cè)器及可控的樣品臺(tái)等附件成為一個(gè)集微區(qū)成像、加工、分析、操縱于一體
2021-09-18 10:52:095358 
一、FIB設(shè)備型號(hào)：Zeiss Auriga Compact 聚焦離子束顯微鏡 (FIB-SEM) 聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過結(jié)合相應(yīng)的氣體
2021-11-06 09:43:133381 
二次離子質(zhì)譜（SIMS）是一種分析方法。具有高空間分辨率和高靈敏度的工具。它使用高度聚焦的離子束（通常是氧氣或（無機(jī)樣品用銫離子）“濺射”樣品表面上選定區(qū)域的材料。
2022-11-22 10:44:091345 
1、聚焦離子束技術(shù)（FIB） 聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米
2023-01-16 17:10:222627 離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:222684 
上海伯東客戶某高校使用國(guó)產(chǎn)品牌離子束濺射鍍膜機(jī)用于金屬薄膜制備, 工藝過程中, 國(guó)產(chǎn)離子源鎢絲僅使用 18個(gè)小時(shí)就會(huì)燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無法滿足長(zhǎng)時(shí)間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導(dǎo)致
2023-05-25 15:53:362011 
蔡司用于亞10納米級(jí)應(yīng)用的離子束顯微鏡ORION NanoFab,集 3 種聚焦離子束于一身的顯微鏡，可以實(shí)現(xiàn)亞 10 nm 結(jié)構(gòu)的超高精度加工快速、精準(zhǔn)的亞 10 納米結(jié)構(gòu)加工。借助 ORION
2023-07-19 15:45:07661 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
2023-05-25 10:18:341184 
博仕檢測(cè)聚焦離子束FIB-SEM測(cè)試案例
2023-09-04 18:49:411154 
什么是FIB？FIB有哪些應(yīng)用？如何修改線路做FIB？FIB怎么做失效分析？FIB還能生長(zhǎng)PAD？FIB案例有些？ FIB是Focused Ion Beam（聚焦離子束）的縮寫，是一種利用離子束刻蝕
2023-11-07 10:35:046432 去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時(shí)依然無法觀察到失效點(diǎn)，這時(shí)候就需要對(duì)芯片進(jìn)行進(jìn)一步處理，對(duì)于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來逐一去除，直至最后一層金屬化和介質(zhì)層。
2024-01-09 15:17:27489 離子束拋光的工作原理、樣品參數(shù)選擇依據(jù)；然后，利用離子束拋光系統(tǒng)對(duì)典型的封裝互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行拋光， 結(jié)合材料和離子束刻蝕理論進(jìn)行參數(shù)探索；最后， 對(duì)尺寸測(cè)量、成分分布和相結(jié)構(gòu)等信息進(jìn)行觀察和分析， 為離子束拋光系統(tǒng)在微電子封裝破壞
2024-07-04 17:24:42612 
納米科技是當(dāng)前科學(xué)研究的前沿領(lǐng)域，納米測(cè)量學(xué)和納米加工技術(shù)在其中扮演著至關(guān)重要的角色。電子束和離子束等工藝是實(shí)現(xiàn)納米尺度加工的關(guān)鍵手段。特別是聚焦離子束（FIB）系統(tǒng)，通過結(jié)合高強(qiáng)度的離子束和實(shí)時(shí)
2024-11-14 23:24:13729 
本文介紹了聚焦離子束（FIB）技術(shù)的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)以及應(yīng)用。 一、FIB 在芯片失效分析中的重要地位 芯片作為現(xiàn)代科技的核心組成部分，其可靠性至關(guān)重要。而在芯片失效分析領(lǐng)域，聚焦離子束（FIB）技術(shù)正
2024-11-21 11:07:01899 
納米級(jí)材料分析的革命性技術(shù)在現(xiàn)代科學(xué)研究和工程技術(shù)中，對(duì)材料的微觀結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的深入理解是至關(guān)重要的。聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，它融合了聚焦離子束（FIB）的微區(qū)加工能力
2024-11-23 00:51:17944 
芯片失效分析的關(guān)鍵工具在半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展的今天，芯片的可靠性成為了衡量其性能的關(guān)鍵因素。聚焦離子束（FIB）技術(shù)，作為一種先進(jìn)的微納加工技術(shù)，對(duì)于芯片失效分析至關(guān)重要。在芯片失效分析中的核心作用
2024-11-28 17:11:13934 
蔡司代理三本精密儀器獲悉。蔡司推出全新雙束電鏡Crossbeam550Samplefab作為一款專為半導(dǎo)體行業(yè)TEM樣品制備開發(fā)的高端聚焦離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM
2024-12-03 15:52:07442 
聚焦離子束技術(shù)（FIB）聚焦離子束技術(shù)（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）是一種高精度的微納加工手段，它通過加速并聚焦液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束，照射在樣品表面，從而產(chǎn)生二次電子信號(hào)以形成電子像
2024-12-04 12:37:25617 
。FIB技術(shù)的起源FIB技術(shù)的歷史可以追溯到20世紀(jì)60年代，當(dāng)時(shí)科學(xué)家們開始探索使用離子束對(duì)樣品進(jìn)行分析和加工的可能性。在隨后的幾十年里，這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)歷了從實(shí)驗(yàn)室原
2024-12-05 15:32:57539 
的合同中，電子供應(yīng)商必須同意這些質(zhì)量保證條款，并處理制造商提出的關(guān)于產(chǎn)品故障的投訴。芯片失效分析的復(fù)雜性芯片失效分析的過程相當(dāng)復(fù)雜，尤其是對(duì)于裸芯片的分析。這包括將裸
2024-12-13 00:20:38914 
領(lǐng)域發(fā)展的重要推動(dòng)力。聚焦離子束(FIB)技術(shù)的應(yīng)用聚焦離子束技術(shù)利用高能離子束對(duì)材料進(jìn)行精細(xì)加工，并與掃描電子顯微鏡協(xié)同工作，為納米器件的制造和加工提供了創(chuàng)新途徑。
2024-12-17 15:08:141058 
???? 聚焦離子束（FIB）在材料表征方面有著廣泛的應(yīng)用，包括透射電鏡（TEM）樣品的制備。在這方面，F(xiàn)IB比傳統(tǒng)的氬離子束研磨具有許多優(yōu)勢(shì)。例如，電子透明區(qū)域可以高精度定位，研磨時(shí)間更短，并且
2024-12-19 10:06:40879 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)憑借其在微納米尺度加工和分析上的高精度和精細(xì)控制，已成為材料科學(xué)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。該技術(shù)通過精確操控具有特定能量的離子束與材料相互作用，引發(fā)一系列復(fù)雜
2024-12-19 12:40:46701 
子束技術(shù)概述聚焦離子束技術(shù)是一種先進(jìn)的納米加工技術(shù)，它通過靜電透鏡將離子束精確聚焦至2至3納米的束寬，對(duì)材料表面進(jìn)行精細(xì)的加工處理。這項(xiàng)技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性等多種操作
2024-12-25 11:58:22782 
，其中聚焦離子束（FIB）技術(shù)在故障分析中扮演了關(guān)鍵角色。FIB技術(shù)的工作原理與優(yōu)勢(shì)聚焦離子束技術(shù)采用液態(tài)金屬鎵作為離子源，通過施加負(fù)電壓場(chǎng)將鎵離子束引出，實(shí)現(xiàn)對(duì)
2024-12-26 14:49:22839 
IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內(nèi)加速, 利用離子的物理動(dòng)能, 削去基板表面
2024-12-26 15:21:19652 在材料分析中的關(guān)鍵作用在材料科學(xué)領(lǐng)域，聚焦離子束（FIB）技術(shù)已經(jīng)成為一種重要的工具，尤其在制備透射電子顯微鏡（TEM）樣品時(shí)顯示出其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為行業(yè)領(lǐng)先的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，能夠幫助
2025-01-07 11:19:32342 
納米結(jié)構(gòu)加工。液態(tài)金屬鎵因其卓越的物理特性，常被選作理想的離子源材料。技術(shù)應(yīng)用的多樣性聚焦離子束技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出其廣泛的應(yīng)用潛力，如修復(fù)掩模板、調(diào)整電路、分析
2025-01-08 10:59:36345 
聚焦離子束（FIB）在芯片制造中的應(yīng)用聚焦離子束（FIB）技術(shù)在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅能夠進(jìn)行精細(xì)的結(jié)構(gòu)切割和線路修改，還能用于觀察和制備透射電子顯微鏡（TEM）樣品。金屬鎵
2025-01-10 11:01:38374 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種高精度的納米加工和分析工具，廣泛應(yīng)用于微電子、材料科學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。FIB通過將高能離子束聚焦到樣品表面，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精確加工和分析。目前，使用Ga（鎵）離子
2025-01-14 12:04:31600 
與分析。FIB切片技術(shù)基礎(chǔ)FIB切片技術(shù)的核心在于使用一束高能量的離子束對(duì)樣本進(jìn)行精確的切割。這一過程開始于離子源產(chǎn)生離子束，隨后通過聚焦透鏡和掃描電極的引導(dǎo)，形成
2025-01-17 15:02:49442 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)概述聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種通過離子源產(chǎn)生的離子束，經(jīng)過過濾和靜電磁場(chǎng)聚焦，形成直徑為納米級(jí)的高能離子束。這種技術(shù)用于對(duì)樣品表面進(jìn)行精密加工，包括切割、拋光和刻蝕
2025-01-24 16:17:29524 
近年來，聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）技術(shù)作為一種新型的微分析和微加工技術(shù)，在元器件可靠性領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，為提高元器件的可靠性提供了重要的技術(shù)支持。元器件可靠性的重要性目前
2025-02-07 14:04:40275 
納米的精準(zhǔn)尺度聚焦離子束技術(shù)的核心機(jī)制在于利用高能離子源產(chǎn)生離子束，并借助電磁透鏡系統(tǒng)，將離子束精準(zhǔn)聚焦至微米級(jí)乃至納米級(jí)的極小區(qū)域。當(dāng)離子束與樣品表面相互作用時(shí)，其能量傳遞與物質(zhì)相互作用的特性被
2025-02-11 22:27:50201 
什么是聚焦離子束？聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)作為一種前沿的納米級(jí)加工與分析手段，近年來在眾多領(lǐng)域嶄露頭角。它巧妙地融合了離子束技術(shù)與掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
2025-02-13 17:09:03441 
工作原理聚焦離子束顯微鏡的原理是通過將離子束聚焦到納米尺度，并探測(cè)離子與樣品之間的相互作用來實(shí)現(xiàn)成像。離子束可以是氬離子、鎵離子等，在加速電壓的作用下，形成高能離子束。通過使用電場(chǎng)透鏡系統(tǒng)，離子束
2025-02-14 12:49:24450 
在人工智能（AI）技術(shù)日新月異的時(shí)代，其強(qiáng)大的發(fā)展勢(shì)能對(duì) PCB 板（印制電路板）的質(zhì)量提出了更高的要求。作為 AI服務(wù)器硬件架構(gòu)的關(guān)鍵組成部分，PCB 板的性能與可靠性直接關(guān)系到 AI 系統(tǒng)的運(yùn)行
2025-02-18 14:23:03237 
聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）技術(shù)，堪稱微觀世界的納米“雕刻師”，憑借其高度集中的離子束，在納米尺度上施展著加工、分析與成像的精湛技藝。FIB技術(shù)以鎵離子源為核心，通過精確調(diào)控
2025-02-18 14:17:45723 
FIB技術(shù)：納米級(jí)加工與分析的利器在現(xiàn)代科技的微觀世界中，材料的精確加工和分析是推動(dòng)創(chuàng)新的關(guān)鍵。聚焦離子束（FIB）技術(shù)正是在這樣的需求下應(yīng)運(yùn)而生，它提供了一種在納米尺度上對(duì)材料進(jìn)行精細(xì)操作的能力
2025-02-20 12:05:54306 
在人工智能（AI）技術(shù)日新月異的時(shí)代，其強(qiáng)大的發(fā)展勢(shì)能對(duì)PCB板（印制電路板）的質(zhì)量提出了更高的要求。作為AI服務(wù)器硬件架構(gòu)的關(guān)鍵組成部分，PCB板的性能與可靠性直接關(guān)系到AI系統(tǒng)的運(yùn)行效率。隨著
2025-02-21 11:04:10356 
FIB（聚焦離子束）切片分析作為一種前沿的材料表征技術(shù)，憑借其高精度和多維度的分析能力，在材料科學(xué)、電子器件研究以及納米技術(shù)領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。它通過離子束對(duì)材料表面進(jìn)行刻蝕，形成極薄的切片
2025-02-21 14:54:44359 
聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)作為一種前沿的納米級(jí)加工與分析手段，近年來在眾多領(lǐng)域嶄露頭角。它巧妙地融合了離子束技術(shù)與掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
2025-02-24 23:00:42309 
技術(shù)概述聚焦離子束與掃描電鏡聯(lián)用系統(tǒng)（FIB-SEM）是一種融合高分辨率成像與微納加工能力的前沿設(shè)備，主要由掃描電鏡（SEM）、聚焦離子束（FIB）和氣體注入系統(tǒng)（GIS）構(gòu)成。聚焦離子束系統(tǒng)利用
2025-02-25 17:29:36357 
FIB技術(shù)原理聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)作為一種前沿的納米級(jí)加工與分析手段。它巧妙地融合了離子束技術(shù)與掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，憑借其獨(dú)特的原理、廣泛
2025-02-26 15:24:31586 
近日，廣電計(jì)量在聚焦離子束（FIB）領(lǐng)域編寫的專業(yè)著作《聚焦離子束：失效分析》正式出版，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)聚焦離子束領(lǐng)域?qū)嵺`性專業(yè)書籍的空白，為該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展與知識(shí)傳播提供了重要助力。專著封面隨著芯片技術(shù)
2025-02-28 09:06:41455 
雙束聚焦離子束-掃描電鏡（DualBeamFocusedIonBeam,FIB）作為一種先進(jìn)的微觀加工與分析技術(shù)，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、納米技術(shù)、半導(dǎo)體研究等領(lǐng)域。其不僅可以制作常見的截面透射
2025-02-28 16:11:34403 
離子束技術(shù)的核心在于利用高能離子束對(duì)樣品進(jìn)行加工和分析。其基本原理是將鎵（Ga）等元素在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下加速，形成高能離子束。通過精確控制電場(chǎng)和磁場(chǎng)，離子束能夠聚焦到
2025-03-03 15:51:58275 
離子束聚焦到亞微米甚至納米級(jí)別，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品的直接加工和實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。FIB技術(shù)的核心組成1.離子源：技術(shù)的核心離子源是FIB技術(shù)的核心部件。通常采用液態(tài)金屬離子源（如鎵
2025-03-05 12:48:11296 
離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）是將聚焦離子束（FIB）技術(shù)與掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)有機(jī)結(jié)合的高端設(shè)備。什么是FIB-SEM？FIB-SEM系統(tǒng)通過聚焦離子束（FIB）和掃描電子顯微鏡
2025-03-12 13:47:40348 FIB技術(shù)的核心價(jià)值聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種在微納尺度上實(shí)現(xiàn)材料精確加工的先進(jìn)技術(shù)。它通過將離子束聚焦到極高的精度，能夠?qū)Σ牧线M(jìn)行納米級(jí)的蝕刻和加工。這種技術(shù)的關(guān)鍵在于其能夠產(chǎn)生直徑極細(xì)
2025-03-18 21:30:25290 
聚焦離子束掃描電鏡雙束系統(tǒng)（FIB-SEM）作為一種前沿的微納加工與成像技術(shù)，憑借其強(qiáng)大的功能和多面性，在材料科學(xué)研究中占據(jù)著舉足輕重的地位。它能夠深入微觀世界，揭示材料內(nèi)部的結(jié)構(gòu)與特性，為材料科學(xué)
2025-03-19 11:51:59284 
聚焦離子束技術(shù)的崛起近年來，F(xiàn)IB技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，結(jié)合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡的實(shí)時(shí)觀察功能，迅速成為納米級(jí)分析與制造的主流方法。它在半導(dǎo)體集成電路的修改、切割以及故障分析等
2025-03-26 15:18:56203 
聚焦離子束（Focused-Ion-Beam,FIB）技術(shù)是一種先進(jìn)的微納加工與分析手段。其基本原理是通過電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用，將離子束聚焦到亞微米甚至納米級(jí)別，并利用偏轉(zhuǎn)和加速系統(tǒng)控制離子束的掃描運(yùn)動(dòng)
2025-03-27 10:24:54295 
聚焦離子束顯微鏡（FIB-SEM）作為一種前沿的微觀分析與加工工具，將聚焦離子束（FIB）和掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)深度融合，兼具高分辨率成像和精密微加工能力，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子工業(yè)
2025-04-01 18:00:03262 
聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)，宛如一把納米尺度的“萬能鑰匙”，在材料加工、分析及成像領(lǐng)域大放異彩。它憑借高度集中的離子束，精準(zhǔn)操控離子束與樣品表面的相互作用，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)
2025-04-08 17:56:15154 
技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)聚焦離子束雙束系統(tǒng)（FIB-SEM）是一種集成多種先進(jìn)技術(shù)的高端設(shè)備，其核心構(gòu)成包括聚焦離子束（FIB）模塊、掃描電子顯微鏡（SEM）模塊以及多軸樣品臺(tái)，這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得它能
2025-04-10 11:53:44218 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)在納米科技里很重要，它在材料科學(xué)、微納加工和微觀分析等方面用處很多。離子源：FIB的核心部件離子源是FIB系統(tǒng)的關(guān)鍵部分，液態(tài)金屬離子源（LMIS）用得最多，特別是鎵（Ga
2025-04-11 22:51:22110 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種極為精細(xì)的樣品制備與加工手段，它能夠?qū)饘佟⒑辖稹⑻沾傻榷喾N材料進(jìn)行加工，制備出尺寸極小的薄片。這些薄片的寬度通常在10~20微米，高度在10~15微米，厚度僅為100
2025-04-23 14:31:25188 
聚焦離子束技術(shù)（FocusedIonBeam,FIB）作為一種前沿的納米加工與分析手段，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的應(yīng)用潛力。本文將從技術(shù)原理、應(yīng)用領(lǐng)域、測(cè)試項(xiàng)目以及制樣流程等方面，對(duì)聚焦
2025-04-28 20:14:0473 
工業(yè)大學(xué)的科研精英共同編寫《聚焦離子束：失效分析》新書(下稱“專著”)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)聚焦離子束領(lǐng)域?qū)嵺`性專業(yè)書籍的空白，為聚焦離子束技術(shù)發(fā)展與知識(shí)傳播提供了重要助力。
2025-04-30 16:16:57173 聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)是一種先進(jìn)的微觀加工與分析手段，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體研究等領(lǐng)域。FIB核心原理是利用離子源產(chǎn)生高能離子束
2025-05-06 15:03:0148 聚焦離子束技術(shù)（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）作為一種前沿的微觀加工與分析技術(shù)，近年來在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。金鑒實(shí)驗(yàn)室憑借其專業(yè)的檢測(cè)技術(shù)和服務(wù)，成為了眾多企業(yè)在半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域的首選
2025-05-08 14:26:2375 
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