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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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國產碳化硅MOSFET行業洗牌：SiC碳化硅MOSFET設計公司的批量淘汰
國產SiC碳化硅MOSFET設計公司的批量淘汰，與其視為行業危機，不如理解為市場機制的自我凈化——當參數虛標、低質低價等亂象被清除，真正具備創新能力的企...
國產SiC碳化硅MOSFET功率半導體產業可復制的戰略框架與方向指引
國產碳化硅(SiC)功率半導體企業成功驗證了國產碳化硅企業從“替代進口”到“全球競合”的可行路徑。隨著8英寸量產窗口臨近，國產碳化硅(SiC)功率半導體...
中國SiC產業從政策扶持、技術攻堅到資本賦能的縮影。其發展揭示了中國半導體企業的共性路徑：以IDM模式突破封鎖，以成本優勢搶占市場，以資本耐力換取技術時...
革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當效率差距跨越臨界點，IGBT被淘汰便是唯一結局 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模...
基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的產品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產業已實現顯著進步，具體體...
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOS...
電動汽車領域的發展日新月異：電動動力系統正朝著更高效率、更緊湊化的方向演進，以提升車輛自主性和續航里程。車載充電器(OBC)作為這一發展的核心部件，必須...
Power Integrations發布1700 V SiC開關集成電路，專為800 V電動汽車設計
在全球電動汽車市場快速發展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關集成電路，專門為800V電動汽車系...
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOS...
此前，5月22日至24日，“2025功率半導體器件與集成電路會議”在南京熹禾涵田酒店順利召開。揚杰科技受邀參加，董事長梁勤女士親自參加會議，功率器件事業...
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組？特性是什么？主要應用哪里？
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領域核心開關器件，通過柵極電壓...
近日，行業先驅Wolfspeed被曝擬通過破產保護程序實施業務重組。這一動向折射出SiC產業激烈競爭下的洗牌趨勢，也凸顯中國供應鏈的快速崛起對傳統巨頭的...
傳統硅基IGBT受限于開關損耗和頻率瓶頸，而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優勢，成為理想選擇?；景雽w推出的BMF240R12E2G3與BMF008...
在工業制造領域，焊接設備是核心生產力工具之一，其效率與能耗直接影響生產成本和環保標準。傳統焊機多采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)技術，但在高頻應用場景下...
BASiC Semiconductor（基本半導體）作為領先的碳化硅（SiC）功率器件及驅動解決方案提供商，始終致力于通過技術創新推動電力電子系統的高效...
國產SiC碳化硅功率半導體全面取代Wolfspeed進口器件的路徑
在Wolfspeed宣布破產的背景下，國產碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機遇。
國產1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進口替代方案
隨著新能源、工業電源及電動汽車等領域的快速發展，輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩定性的需求日益迫切。傳統的硅基器件已逐漸難以滿足嚴苛的性能要求，而碳...
基本半導體SiC功率模塊：中國工商業儲能變流器PCS廠商出海的“技術引擎”
在全球能源轉型與碳中和目標的驅動下，工商業儲能市場正經歷技術代際更迭的浪潮。碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高頻高效、耐高溫高壓等特性，成為儲能變流器(P...
開啟焊機高效時代：國內首發400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析
碳化硅逆變焊機輸出整流應用的革新之選：國內首發400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析 引言：碳化硅技術引領焊機高效化浪潮 隨著電力電...
隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運...
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