國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)洗牌：從國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)看設(shè)計(jì)公司的生存與終局

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的終局已清晰可辨——極少數(shù)被收購(gòu)、多數(shù)破產(chǎn)退出

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰，與其視為行業(yè)危機(jī)，不如理解為市場(chǎng)機(jī)制的自我凈化——當(dāng)參數(shù)虛標(biāo)、低質(zhì)低價(jià)等亂象被清除，真正具備創(chuàng)新能力的企業(yè)將獲得更大發(fā)展空間。

1 行業(yè)寒冬：國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET的困境與洗牌

國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著劇烈的市場(chǎng)出清與結(jié)構(gòu)性調(diào)整。曾經(jīng)備受資本追捧的明星賽道如今呈現(xiàn)出冰火兩重天的景象：一方面，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)通過(guò)車規(guī)級(jí)AQG324認(rèn)證，獲得近20家整車廠的50多個(gè)車型定點(diǎn)，逐步確立市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位;另一方面，世紀(jì)金光等曾經(jīng)備受矚目的企業(yè)已進(jìn)入破產(chǎn)清算程序，賬面負(fù)債超過(guò)資產(chǎn)總額，成為行業(yè)加速洗牌的鮮明注腳。更為嚴(yán)峻的是，價(jià)格體系崩塌正在席卷整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈——6英寸碳化硅襯底價(jià)格從2023年初的6000元/片暴跌至2024年底的1500元/片，降幅高達(dá)75%，致使僅靠單一環(huán)節(jié)生存的企業(yè)陷入深度虧損。這種劇烈的市場(chǎng)調(diào)整背后，是行業(yè)深層結(jié)構(gòu)性問(wèn)題的集中爆發(fā)。

1.1 產(chǎn)能過(guò)剩與市場(chǎng)虛火

中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)在政策紅利與資本催生下經(jīng)歷了非理性繁榮，導(dǎo)致產(chǎn)能擴(kuò)張遠(yuǎn)超實(shí)際需求。截至2025年中，國(guó)內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)能已達(dá)600萬(wàn)片(等效6英寸)，預(yù)計(jì)年底將突破800萬(wàn)片。天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體等頭部襯底企業(yè)仍在加速擴(kuò)產(chǎn)，僅天岳臨港工廠單廠年產(chǎn)能已達(dá)30萬(wàn)片，且規(guī)劃繼續(xù)提升至60萬(wàn)片。更值得警惕的是，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)產(chǎn)能嚴(yán)重失衡——外延環(huán)節(jié)存量6英寸設(shè)備已達(dá)數(shù)千臺(tái)，芯片制造端運(yùn)行項(xiàng)目超過(guò)30個(gè)，而下游器件設(shè)計(jì)公司卻面臨產(chǎn)品性能、可靠性與成本控制的層層關(guān)卡，難以消化如此龐大的上游供給。這種產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性過(guò)剩直接引發(fā)了全行業(yè)價(jià)格戰(zhàn)，各環(huán)節(jié)產(chǎn)品價(jià)格大幅跳水，部分器件降幅甚至超過(guò)50%。

1.2 技術(shù)分化與資本轉(zhuǎn)向

隨著市場(chǎng)降溫，資本對(duì)碳化硅行業(yè)的投資邏輯發(fā)生根本轉(zhuǎn)變。2023年全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)生上百起融資事件的火爆景象一去不返;2024年融資數(shù)量已顯著回落，且資金高度集中于設(shè)備企業(yè)和頭部IDM廠商。資本市場(chǎng)的理性回歸加速了行業(yè)分化：一邊是國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體完成多輪融資的頭部企業(yè)，憑借充足的資金儲(chǔ)備加速技術(shù)迭代和產(chǎn)能建設(shè);另一邊則是眾多缺乏核心技術(shù)的Fabless設(shè)計(jì)公司，在融資通道關(guān)閉和產(chǎn)品毛利銳減的雙重?cái)D壓下瀕臨資金鏈斷裂。世紀(jì)金光的破產(chǎn)清算案例極具警示意義——盡管完成八輪融，但最終仍因負(fù)債5.28億元、資不抵債而走向終結(jié)。

1.3 國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)與成本壓力

國(guó)際巨頭也在加速擠壓國(guó)產(chǎn)設(shè)計(jì)公司的生存空間。英飛凌、安森美等企業(yè)通過(guò)綁定車廠長(zhǎng)期協(xié)議和本土化生產(chǎn)持續(xù)降低成本。與此同時(shí)，國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程卻面臨新的挑戰(zhàn)——車企要求供應(yīng)鏈2025年起降價(jià)10%，進(jìn)一步壓縮了本已微薄的利潤(rùn)空間。在此背景下，缺乏垂直整合能力的碳化硅MOSFET純?cè)O(shè)計(jì)公司既無(wú)法在性能上匹敵國(guó)際巨頭，又難以在成本上與IDM模式企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，陷入“高不成低不就”的雙重?cái)D壓困境。

2 國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)的破局之路：IDM模式與可靠性的雙重壁壘

在眾多國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司陷入困境之時(shí)，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展軌跡為行業(yè)提供了一套完整的破局方法論。國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)通過(guò)構(gòu)建全產(chǎn)業(yè)鏈能力、深耕車規(guī)級(jí)市場(chǎng)、堅(jiān)持長(zhǎng)期可靠性驗(yàn)證，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)不僅在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)碳化硅模塊量產(chǎn)上車，更在全球市場(chǎng)重構(gòu)中展現(xiàn)出強(qiáng)勁競(jìng)爭(zhēng)力。剖析其成功要素，可為理解行業(yè)終局提供關(guān)鍵視角。

2.1 技術(shù)突破：從參數(shù)競(jìng)賽到可靠性優(yōu)先

早期國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司普遍陷入“參數(shù)造假”的惡性循環(huán)——部分企業(yè)將HTGB(高溫柵偏)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)從行業(yè)公認(rèn)的+22V/3000小時(shí)降低至+19V/1000小時(shí)即宣稱“高可靠性”，導(dǎo)致終端應(yīng)用中出現(xiàn)批量失效。國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)則選擇了截然不同的技術(shù)路徑：

柵氧工藝深度優(yōu)化：通過(guò)自研SiC/SiO?界面態(tài)控制技術(shù)，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)將閾值電壓漂移(ΔVth)控制在較低范圍，大幅降低高溫高電場(chǎng)下的誤開(kāi)通風(fēng)險(xiǎn)。國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)HTGB測(cè)試嚴(yán)格遵循+22V/3000小時(shí)標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到國(guó)際頭部企業(yè)水平。

缺陷控制與良率提升：依托IDM模式對(duì)制造環(huán)節(jié)的深度把控，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)實(shí)現(xiàn)了晶圓缺陷密度數(shù)量級(jí)降低，使芯片良率顯著高于國(guó)產(chǎn)行業(yè)平均水平。這一優(yōu)勢(shì)直接轉(zhuǎn)化為成本競(jìng)爭(zhēng)力——當(dāng)純?cè)O(shè)計(jì)公司依賴代工時(shí)，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)已通過(guò)自建深圳SiC晶圓產(chǎn)線和無(wú)錫模塊產(chǎn)線，滿足終端客戶品質(zhì)和成本需求。

2.2 垂直整合：IDM模式構(gòu)建護(hù)城河

國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)的核心戰(zhàn)略在于打破傳統(tǒng)Fabless設(shè)計(jì)公司的代工依賴，通過(guò)自建產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)、制造到封測(cè)的全鏈條可控：

深圳+無(wú)錫雙制造基地：深圳基地聚焦碳化硅晶圓流片，無(wú)錫基地專攻汽車級(jí)模塊封裝，形成覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的自主能力。這種布局使產(chǎn)品迭代周期縮短40%以上，工藝一致性顯著提升，直接滿足車規(guī)級(jí)對(duì)ppm(百萬(wàn)分之一)失效率的嚴(yán)苛要求。

產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新：與高校合作攻關(guān)銅燒結(jié)封裝等核心技術(shù)，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)在晶圓良率、缺陷控制等方面取得突破。其開(kāi)發(fā)的Pcore?系列模塊通過(guò)高頻特性減少電感電容體積，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)成本優(yōu)化，成功替代進(jìn)口SiC模塊在車載主驅(qū)逆變器等場(chǎng)景的應(yīng)用。

表：國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)IDM模式與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)公司代工模式對(duì)比

能力維度 國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)(IDM) 傳統(tǒng)設(shè)計(jì)公司(Fabless)

工藝控制力 自主優(yōu)化柵氧/摻雜工藝 受限于代工廠標(biāo)準(zhǔn)工藝

質(zhì)量一致性 車規(guī)級(jí)良率 消費(fèi)級(jí)良率

研發(fā)迭代速度 芯片-模塊協(xié)同設(shè)計(jì)(6-9月) 多廠協(xié)調(diào)(12-18月)

成本結(jié)構(gòu) 襯底-模塊垂直降本 代工毛利+設(shè)計(jì)毛利疊加

2.3 高端定位：聚焦車規(guī)級(jí)市場(chǎng)

與深陷紅海競(jìng)爭(zhēng)的設(shè)計(jì)公司不同，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)將資源集中于高附加值領(lǐng)域：

車規(guī)認(rèn)證體系化：構(gòu)建符合TS16949標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量管理流程，為進(jìn)入全球整車供應(yīng)鏈奠定基礎(chǔ)。

系統(tǒng)級(jí)解決方案：針對(duì)新能源汽車800V高壓平臺(tái)，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)提供包含驅(qū)動(dòng)芯片和熱仿真服務(wù)的完整方案，顯著降低客戶系統(tǒng)設(shè)計(jì)門檻。

2.4 行業(yè)生態(tài)重構(gòu)：從單打獨(dú)斗到協(xié)同進(jìn)化

國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)行業(yè)生態(tài)的主動(dòng)塑造，推動(dòng)從“劣幣驅(qū)逐良幣”到“良幣驅(qū)逐劣幣”的范式轉(zhuǎn)變：

標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)：積極參與《碳化硅功率器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)》制定，倒逼企業(yè)淘汰參數(shù)虛標(biāo)產(chǎn)品。

資本理性化：在行業(yè)資本退潮期，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)加速并購(gòu)整合，吸納優(yōu)質(zhì)團(tuán)隊(duì)與專利資源。其估值模型從“產(chǎn)能規(guī)模”轉(zhuǎn)向“定點(diǎn)車型數(shù)量”和“長(zhǎng)期協(xié)議金額”，反映資本偏好已向已驗(yàn)證可靠性的頭部企業(yè)集中。

3 設(shè)計(jì)公司含金量塌陷：技術(shù)、成本與模式的三重貶值

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的價(jià)值稀釋并非單一因素所致，而是技術(shù)同質(zhì)化、成本劣勢(shì)與商業(yè)模式缺陷共同作用的結(jié)果。在行業(yè)洗牌加速的背景下，傳統(tǒng)Fabless模式在碳化硅領(lǐng)域遭遇空前挑戰(zhàn)，企業(yè)含金量呈現(xiàn)系統(tǒng)性下降。

3.1 技術(shù)門檻的虛擬化與真實(shí)瓶頸

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)看似門檻降低，實(shí)則隱藏著嚴(yán)峻的技術(shù)斷層。表面繁榮下，核心技術(shù)壁壘依然高企：

設(shè)計(jì)工具同質(zhì)化：大量設(shè)計(jì)公司依賴相同EDA工具和代工廠PDK(工藝設(shè)計(jì)套件)，導(dǎo)致器件結(jié)構(gòu)趨同。國(guó)產(chǎn)SiC設(shè)計(jì)公司企業(yè)停留在平面柵技術(shù)，缺乏對(duì)器件底層工藝等提升功率密度關(guān)鍵技術(shù)的突破。

工藝控制空心化：代工廠為兼容多元客戶，工藝優(yōu)化趨于保守。設(shè)計(jì)公司無(wú)法像國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)等IDM企業(yè)深度參與柵氧生長(zhǎng)、離子注入等關(guān)鍵工序優(yōu)化，導(dǎo)致產(chǎn)品可靠性不足。部分企業(yè)HTGB測(cè)試僅達(dá)+19V/1000小時(shí)，遠(yuǎn)低于車規(guī)級(jí)+22V/3000小時(shí)標(biāo)準(zhǔn)，卻虛標(biāo)參數(shù)進(jìn)入市場(chǎng)。

專利布局邊緣化：國(guó)際巨頭已構(gòu)建嚴(yán)密的專利網(wǎng)。2025年Q1數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)SiC專利申請(qǐng)量雖占全球35%，但核心專利占比不足10%，多數(shù)設(shè)計(jì)公司專利集中于封裝改進(jìn)等外圍創(chuàng)新。當(dāng)產(chǎn)品進(jìn)入歐美市場(chǎng)時(shí)，面臨高昂的侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)與訴訟成本。

3.2 成本結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)性劣勢(shì)

在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)白熱化的市場(chǎng)中，F(xiàn)abless設(shè)計(jì)公司的成本劣勢(shì)被急劇放大：

雙重利潤(rùn)分割：傳統(tǒng)設(shè)計(jì)公司需向代工廠支付毛利率(通常30-40%)，自身再保留設(shè)計(jì)毛利，導(dǎo)致最終價(jià)格比IDM廠商高出50%以上。當(dāng)6英寸襯底價(jià)格暴跌至1500元/片時(shí)，IDM企業(yè)仍可維持盈虧平衡，而設(shè)計(jì)公司已陷入虧損。

產(chǎn)能保障困境：代工廠產(chǎn)能波動(dòng)導(dǎo)致交付不穩(wěn)定。2024年行業(yè)產(chǎn)能利用率僅60%，但優(yōu)質(zhì)代工資源仍優(yōu)先服務(wù)長(zhǎng)期合作客戶，中小設(shè)計(jì)公司常被迫選擇二線廠，犧牲良率換產(chǎn)能。

系統(tǒng)成本失控：碳化硅MOSFET需高頻驅(qū)動(dòng)才能降低電感電容成本，但設(shè)計(jì)公司因無(wú)法協(xié)同優(yōu)化驅(qū)動(dòng)芯片，客戶系統(tǒng)級(jí)成本反增。反觀國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)IDM企業(yè)，提供“芯片+驅(qū)動(dòng)+熱管理”全套方案，使逆變器系統(tǒng)成本較IGBT方案低10%-30%。

3.3 商業(yè)模式與市場(chǎng)需求的根本錯(cuò)位

車規(guī)級(jí)市場(chǎng)對(duì)碳化硅MOSFET的要求已從“功能實(shí)現(xiàn)”升級(jí)為“零缺陷保障”，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)公司的業(yè)務(wù)模式難以匹配：

質(zhì)量追溯斷層：汽車客戶要求器件質(zhì)量問(wèn)題可追溯至晶圓批次甚至工藝機(jī)臺(tái)。純?cè)O(shè)計(jì)公司因不掌控制造數(shù)據(jù)，難以滿足此類要求。國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)則通過(guò)MES系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)全流程數(shù)據(jù)閉環(huán)，支撐PPAP(生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序)認(rèn)證。

驗(yàn)證周期失配：車規(guī)級(jí)認(rèn)證需3-5年持續(xù)測(cè)試，但設(shè)計(jì)公司依賴融資生存，往往壓縮驗(yàn)證周期至1-2年，導(dǎo)致批量失效風(fēng)險(xiǎn)。碳化硅設(shè)計(jì)公司雖宣稱MOS管“應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域”，但因未通過(guò)完整車規(guī)認(rèn)證，最終被排除在主流供應(yīng)鏈外。

供應(yīng)安全焦慮：地緣政治下，車企極度重視供應(yīng)鏈安全。設(shè)計(jì)公司輕資產(chǎn)模式雖靈活，但抗風(fēng)險(xiǎn)能力弱。世紀(jì)金光破產(chǎn)導(dǎo)致多家客戶產(chǎn)線停擺的案例，加劇了主機(jī)廠對(duì)中小設(shè)計(jì)公司的不信任。

4 終局推演：并購(gòu)、破產(chǎn)與幸存者的生存法則

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)已進(jìn)入深度出清階段，市場(chǎng)將從百家爭(zhēng)鳴走向高度集中。基于國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)的成功路徑與行業(yè)現(xiàn)實(shí)，國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的終局已清晰可辨——極少數(shù)被收購(gòu)、多數(shù)破產(chǎn)退出。

4.1 市場(chǎng)出清的三大路徑

行業(yè)洗牌將遵循半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的歷史規(guī)律，呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)化出清特征：

技術(shù)邊緣型破產(chǎn)：缺乏核心專利與工藝know-how的企業(yè)首當(dāng)其沖。世紀(jì)金光破產(chǎn)僅是開(kāi)端，2024年已有超10家設(shè)計(jì)公司處于資不抵債狀態(tài)。其直接誘因多為：產(chǎn)品未達(dá)車規(guī)導(dǎo)致客戶索賠(如某企業(yè)1200V MOSFET在車企路試中批量失效，賠償金超2億元);或融資中斷后現(xiàn)金流枯竭。

產(chǎn)能驅(qū)動(dòng)型并購(gòu)：IDM巨頭將擇機(jī)收購(gòu)優(yōu)質(zhì)團(tuán)隊(duì)與專利。國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)已啟動(dòng)對(duì)中小Fabless的整合，目標(biāo)明確：獲取車規(guī)級(jí)IP、補(bǔ)充驅(qū)動(dòng)芯片團(tuán)隊(duì)、吸納國(guó)際化人才。

表：國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司終局預(yù)測(cè)

終局類型 占比預(yù)測(cè) 觸發(fā)條件 典型案例

破產(chǎn)清算 80%-90% 負(fù)債率>80%且融資中斷12個(gè)月以上 世紀(jì)金光(負(fù)債5.28億)

被IDM收購(gòu)10%-20% 擁有車規(guī)級(jí)專利或頭部客戶定點(diǎn) 某Fabless被國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)并購(gòu)

5 生存策略：設(shè)計(jì)公司的轉(zhuǎn)型路線圖

面對(duì)嚴(yán)峻的行業(yè)洗牌，國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司亟需制定清晰的轉(zhuǎn)型戰(zhàn)略。基于國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)的成功經(jīng)驗(yàn)和行業(yè)終局預(yù)判，仍有四條路徑可助企業(yè)突圍。

技術(shù)策略：從全面對(duì)標(biāo)到單點(diǎn)突破

在資源有限的背景下，設(shè)計(jì)公司應(yīng)放棄“大而全”的產(chǎn)品線，轉(zhuǎn)向精準(zhǔn)場(chǎng)景創(chuàng)新：

高壓領(lǐng)域差異化：集中攻堅(jiān)3300V以上高壓器件，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。目前國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品多集中于650V-1700V中低壓領(lǐng)域，而電網(wǎng)、軌道交通所需的3300V以上市場(chǎng)仍被英飛凌、三菱壟斷。設(shè)計(jì)公司可與電網(wǎng)等系統(tǒng)廠商合作，開(kāi)發(fā)針對(duì)直流輸電的定制化模塊。

新結(jié)構(gòu)創(chuàng)新：跳過(guò)平面柵紅海，布局雙溝槽柵(如英飛凌CoolSiC?)等技術(shù)。

結(jié)論：從泡沫回歸本質(zhì)的產(chǎn)業(yè)重生

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)的價(jià)值重構(gòu)本質(zhì)是產(chǎn)業(yè)從“資本泡沫”向“技術(shù)本質(zhì)”的回歸。國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展歷程揭示了一條清晰的成功路徑：通過(guò)IDM模式掌控核心技術(shù)、車規(guī)認(rèn)證建立質(zhì)量信譽(yù)、系統(tǒng)方案降低客戶成本，最終在新能源革命中實(shí)現(xiàn)價(jià)值兌現(xiàn)。而設(shè)計(jì)公司的批量淘汰，與其視為行業(yè)危機(jī)，不如理解為市場(chǎng)機(jī)制的自我凈化——當(dāng)參數(shù)虛標(biāo)、低質(zhì)低價(jià)等亂象被清除，真正具備創(chuàng)新能力的企業(yè)將獲得更大發(fā)展空間。

未來(lái)三年，行業(yè)將呈現(xiàn)“寡占格局加速形成”與生態(tài)位深度分化并存的局面。一方面，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)通過(guò)并購(gòu)整合，國(guó)內(nèi)市占率有望從當(dāng)前的40%提升至80%以上;另一方面，幸存的設(shè)計(jì)公司需在特定技術(shù)(如超高壓器件)中構(gòu)建不可替代性。