傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案,助力射頻電源業自主可控和產業升級!
傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級!
傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭:
傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢!
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傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!
一、系統架構設計
拓撲選擇
主功率拓撲:采用全橋LLC諧振變換器,結合SiC MOSFET高頻特性,提升效率(>95%)并降低開關損耗。
驅動電源拓撲:BTP1521P構成正激DCDC,搭配隔離變壓器生成驅動所需的±18V/-4V電源。
關鍵器件選型
主開關管:
B3M013C120Z(1200V/176A,RDS(on)=13.5mΩ)用于高壓側(全橋拓撲)。
B3M040065Z(650V/67A,RDS(on)=40mΩ)用于低壓側或輔助電路。
隔離驅動:BTD5350MCWR(10A峰值驅動電流,5000Vrms隔離,米勒鉗位功能)。
驅動電源:BTP1521P(6W輸出,1.3MHz可調頻率,生成±18V/-4V)。
二、關鍵電路設計
1. 主功率電路(全橋LLC諧振變換器)
諧振參數:
諧振頻率 fr?=100kHz,設計 Lr?、Cr? 實現軟開關。
變壓器匝比 N=1:10,輸出高壓直流(目標電壓:1-5kV,依鍍膜需求調整)。
SiC MOSFET配置:
全橋上下管均采用B3M013C120Z,并聯RC緩沖電路(R=10Ω,C=1nF),抑制電壓尖峰。
輸出整流:采用快恢復二極管(如SiC肖特基二極管)或同步整流方案。
2. 驅動電路設計
驅動信號生成:
控制器(如DSP或專用PWM IC)生成互補PWM信號,頻率與LLC諧振匹配(100kHz)。
BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BTD5350MCWR配置:
輸入PWM信號經RC濾波(R=50Ω,C=100pF)后接入IN+/IN-,抑制高頻干擾。
米勒鉗位(CLAMP腳)接MOSFET門極與源極間肖特基二極管(如BAT54S),增強鉗位效果。
輸出端串聯10Ω柵極電阻,并聯1kΩ下拉電阻,優化開關速度并防止誤觸發。
3. 驅動電源設計(BTP1521P)BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)
正負壓生成:
BTP1521P驅動隔離變壓器(如TR-P15DS23),副邊全橋整流后分壓:
正壓:+18V(通過18V穩壓管)。
負壓:-4V(通過4.7V穩壓管)。
輸出濾波:正負電源各并聯10μF電解電容+0.1μF陶瓷電容。
頻率設置:
OSC腳接62kΩ電阻至GND,設定工作頻率 fsw?≈330kHz。
三、保護與監控
過流保護:
主回路串聯電流互感器(CT),信號經調理后反饋至控制器,觸發PWM關斷。
過壓保護:
輸出電壓經電阻分壓采樣,比較器觸發保護閾值(如5kV)。
驅動電源監控:
BTD5350MCWR的UVLO功能監測VCC2,欠壓時關閉驅動輸出。
溫度保護:
MOSFET安裝散熱器(熱阻<0.5℃/W),溫度傳感器(如NTC)實時監測,超溫時降頻或停機。
四、PCB與散熱設計
布局要點:
功率回路(全橋、變壓器、輸出整流)路徑最短,減少寄生電感。
驅動信號走線遠離高壓區域,采用屏蔽或地平面隔離。
散熱設計:
SiC MOSFET安裝于銅基板散熱器,強制風冷(風速>2m/s)。
BTP1521P底部散熱焊盤接地平面,通過過孔導熱至背面銅層。
五、性能指標
參數指標輸入電壓380V DC(三相整流后)輸出電壓1-5kV DC(可調)輸出功率10kW(峰值)效率>93% @滿載開關頻率100kHz(主功率)隔離電壓5000Vrms(驅動側)工作溫度-40°C ~ +85°C
六、驗證與優化
功能測試:
空載啟動驗證軟啟動(1.5ms)及輸出電壓穩定性。
滿載測試效率、溫升、EMI輻射(需滿足EN 55032 Class B)。
優化方向:
調整LLC諧振參數(Lr?、Cr?)優化軟開關范圍。
優化柵極電阻(Rg)平衡開關速度與EMI。
總結:本設計結合BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產SiC MOSFET的高效特性、隔離驅動的安全性及定制化電源的穩定性,實現高性能真空鍍膜電源,適用于工業級高精度鍍膜場景。
審核編輯 黃宇
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