中國SiC碳化硅功率半導體產業“結硬寨，打呆仗”的破局之路

中國SiC產業從政策扶持、技術攻堅到資本賦能的縮影。其發展揭示了中國半導體企業的共性路徑：以IDM模式突破封鎖，以成本優勢搶占市場，以資本耐力換取技術時間窗口。短期陣痛（虧損、價格戰）難掩長期價值——隨著SiC在新能源領域滲透率持續大幅度提升，率先實現技術造血的中國碳化硅（SiC）功率半導體企業將主導全球產業鏈重構。

中國碳化硅（SiC）功率半導體企業資本化的關鍵突破，深刻揭示了中國第三代半導體產業從技術追趕、資本突圍到全球競爭的發展邏輯。以下結合行業背景與企業實踐，系統分析其發展路徑：

一、中國SiC碳化硅功率半導體產業的里程碑

18C上市規則的戰略適配

港交所18C章專為特專科技公司（如半導體、AI）設計，放寬盈利要求，強調技術壁壘與商業化潛力。中國SiC碳化硅功率半導體企業實現碳化硅IDM全環節量產（覆蓋芯片設計、晶圓制造、模塊封裝及驅動測試），符合“先進硬件”領域定位。

中國SiC碳化硅功率半導體企業高增長與戰略性虧損并存

中國SiC碳化硅功率半導體企業收入激增但未盈利：2022–2024年收入從增長（CAGR 59.9%），中國SiC碳化硅功率半導體產業研發投入占比超30%及產能擴張前置成本。

中國SiC碳化硅功率半導體企業毛利率改善顯著：毛損率從2022年的-48.6%收窄至2024年的-9.7%，反映規模效應初顯及車規級模塊（占收入48.7%）成本優化。

產能與市場滲透的矛盾

中國碳化硅（SiC）功率半導體企業無錫封裝基地產能利用率僅52.6%，深圳光明晶圓廠僅45.2%，中國碳化硅（SiC）功率半導體企業但仍計劃投資6.2億元擴建深圳及中山基地，凸顯行業“產能先行”的競爭邏輯——以產能儲備搶占車企訂單窗口期。

二、中國碳化硅（SiC）功率半導體企業的崛起路徑：技術自主、垂直整合與生態協同

技術突圍：從專利積累到車規認證

中國碳化硅（SiC）功率半導體企業擁有163項專利+122項申請，核心產品通過AEC-Q101車規分立器件認證和AQG324車規級SiC碳化硅功率模塊認證，并實現高溫柵偏測試（HTGB）3000小時無失效，可靠性比肩國際標桿。

中國SiC專利2025年Q1全球占比達35%，天岳先進8英寸襯底、爍科晶體良率突破，推動襯底成本降至國際水平的30%，瓦解美企成本優勢。

IDM模式構建護城河

中國碳化硅（SiC）功率半導體企業以IDM（設計-制造-封測一體化）打通全鏈條，降低供應鏈風險并加速迭代。中國碳化硅（SiC）功率半導體企業車規模塊已獲20家車企超50款車型design-win，8款量產上車，出貨超9萬件。

下游驅動與國產替代加速

新能源汽車占全球SiC需求70%，中國車企主導價格敏感型市場。中國碳化硅（SiC）功率半導體企業憑借成本優勢（6英寸襯底價格低50–70%）和本地化服務，擠壓美企份額（在華市占從2022年65%驟降至2025年18%）。

2024年中國碳化硅（SiC）功率半導體企業碳化硅功率模塊比重提高，在Wolfspeed破產引發的產業重構中，中國廠商有望承接中端市場空缺。

三、挑戰與風險：內卷競爭、供應鏈短板與國際圍堵

價格戰與產能過剩隱憂

行業陷入“囚徒困境”：碳化硅SiC器件均價3年暴跌76%。疊加產能利用率不足，固定成本分攤壓力加劇。

關鍵技術設備依賴進口

高溫離子注入機等核心設備80%依賴美日企業，3300V以上高壓市場仍由英飛凌和三菱壟斷。若設備斷供，可能阻斷IDM產能釋放。

地緣政治與標準競爭

歐洲將SiC納入戰略儲備，日本加速氧化鎵研發以繞開中國主導的SiC路線；美國持續擴大貿易戰和科技戰，加劇全球技術路線分化。

四、未來趨勢：從資本輸血到技術造血，全球化布局成關鍵

資本驅動技術迭代

中國碳化硅（SiC）功率半導體企業8英寸晶圓研發及擴產，體現了市場對技術拐點的預期。

垂直整合向生態閉環演進

中國碳化硅（SiC）功率半導體頭部企業從單一器件向“模塊+驅動IC+仿真服務”集成，降低客戶設計門檻，綁定車企深度合作。

出海與區域化供應鏈

應對關稅壁壘，中國企業通過收購歐洲封裝廠、建東南亞制造中心，構建“本地化+全球化”供應鏈。

中國SiC碳化硅功率半導體產業的“結硬寨，打呆仗”之路

中國SiC產業從政策扶持、技術攻堅到資本賦能的縮影。其發展揭示了中國半導體企業的共性路徑：以IDM模式突破封鎖，以成本優勢搶占市場，以資本耐力換取技術時間窗口。短期陣痛（虧損、價格戰）難掩長期價值——隨著SiC在新能源領域滲透率持續大幅度提升，率先實現技術造血的中國碳化硅（SiC）功率半導體企業將主導全球產業鏈重構。