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熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-06-09 07:07 ? 次閱讀

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體憑借其卓越的物理特性,正逐步取代傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。

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傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

一、 SiC vs IGBT:性能的全面碾壓

基本半導(dǎo)體發(fā)布的仿真數(shù)據(jù)揭示了SiC MOSFET的壓倒性優(yōu)勢。在典型商用空調(diào)11kW工況下(散熱器溫度80℃):

SiC模塊(BMS065MR12EP2CA2):總損耗249.47W,整機(jī)效率高達(dá)97.73%

IGBT模塊(英飛凌FP35R12N2T7):總損耗329.09W,效率僅97.01%

隨著功率增加,差距進(jìn)一步拉大:在1kW輸出時,SiC效率領(lǐng)先3.59%;而在11kW時仍保持0.72%的優(yōu)勢——這對常年運(yùn)行的設(shè)備意味著巨額電費(fèi)節(jié)省。

核心優(yōu)勢解析

高頻低損:SiC開關(guān)頻率可達(dá)IGBT的2倍以上(40kHz vs 20kHz),減小電感電容體積,提升功率密度。

高溫耐受:SiC結(jié)溫耐受達(dá)175℃,高溫下導(dǎo)通電阻(Rds(on))增幅更緩(僅1.3倍),而IGBT模塊在8kW時部分芯片結(jié)溫已突破112℃。

系統(tǒng)精簡:取消續(xù)流二極管,簡化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

二、 國產(chǎn)SiC解決方案的突破性進(jìn)展

基本半導(dǎo)體等中國企業(yè)正加速打破國際壟斷,其產(chǎn)品性能已比肩一線品牌:

模塊化集成
Pcore?12封裝三相全集成模塊(如BMS065MR12EP2CA2)將PFC與逆變整合,內(nèi)置NTC熱敏電阻,專為熱泵和空調(diào)優(yōu)化設(shè)計。

分立器件迭代
第三代1200V/40mΩ MOSFET(B3M040120Z)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破:

FOM值(Rds(on)×Qg)降低18%,開關(guān)損耗比二代降低4.7%,比國際競品低30%。

體二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)僅0.28nC(25℃),與英飛凌等相當(dāng)。

驅(qū)動生態(tài)完善
配套推出首款雙通道SiC專用驅(qū)動芯片BTD25350xx,集成米勒鉗位功能,徹底解決橋臂串?dāng)_問題。實(shí)測顯示,啟用鉗位功能后,下管門極電壓波動從7.3V降至0V,杜絕誤開通風(fēng)險。

三、 系統(tǒng)級方案重構(gòu)產(chǎn)業(yè)鏈

SiC普及需全鏈路協(xié)同創(chuàng)新,中國企業(yè)已構(gòu)建完整生態(tài):

驅(qū)動板集成方案(BSRD-2423-ES01)
集成自研隔離電源芯片BTP1521F(輸出6W)、雙通道變壓器TR-P15DS23-EE13及驅(qū)動IC,實(shí)現(xiàn)“即插即用”。

輔助電源革新
1700V SiC MOSFET(B2M600170R)搭配反激控制器BTP284xx,使輔助電源功率達(dá)150W,耐壓能力提升3倍。

熱管理設(shè)計簡化
SiC模塊采用Si?N?陶瓷覆銅基板,熱阻降低50%,散熱器體積可縮減30%。

四、 產(chǎn)業(yè)影響與未來展望

據(jù)行業(yè)測算,商用空調(diào)全面采用SiC后:

整機(jī)能效平均提升3%-5%,熱泵制熱季節(jié)性能效(HSPF)可突破5.0;

系統(tǒng)體積縮小40%,滿足小型化與靜音化需求;

全生命周期碳排量下降15%-20%。

隨著基本半導(dǎo)體等企業(yè)第三代SiC芯片量產(chǎn),成本正以每年較快的速度下降。預(yù)計到2027年,SiC在熱泵/空調(diào)領(lǐng)域的滲透率將超50%,徹底終結(jié)IGBT時代。

結(jié)語:這場由SiC驅(qū)動的能效革命,不僅關(guān)乎企業(yè)降本增效,更是中國制造向高端躍遷的縮影。當(dāng)“雙碳”目標(biāo)遇上國產(chǎn)半導(dǎo)體崛起,熱泵與空調(diào)產(chǎn)業(yè)的綠色智能未來已清晰可見。

審核編輯 黃宇

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