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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)——半導(dǎo)體制造溫度監(jiān)控的核心技術(shù)
TCWafer晶圓測溫系統(tǒng)是一種革命性的溫度監(jiān)測解決方案,專為半導(dǎo)體制造工藝中晶圓溫度的精確測量而設(shè)計。該系統(tǒng)通過將微型熱電偶傳感器(Thermocou...
2025-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓測溫系統(tǒng) 166 0
隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和性能要求的日益提高,應(yīng)變工程半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)在現(xiàn)代電子器件中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。準(zhǔn)確表征這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)中的晶體缺陷對于理解材料性能...
半導(dǎo)體直冷機Chiller應(yīng)用場景與選購指南
半導(dǎo)體制造對工藝溫度的穩(wěn)定性要求比較高,在此背景下,半導(dǎo)體直冷機Chiller作為關(guān)鍵配套設(shè)備,其性能直接影響芯片良率與生產(chǎn)效率。一、半導(dǎo)體直冷機Chi...
本文解析了MOS管作為開關(guān)的正確連接方法,包括其基本原理和連接技巧。通過比較NMOS和PMOS的接法差異,工程師發(fā)現(xiàn)負(fù)載位置的關(guān)鍵性選擇對導(dǎo)通可靠性至關(guān)...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計,直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點推進到22nm以下時,傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求...
吉時利2601B源表在半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,對測試設(shè)備的要求也越來越高。吉時利2601B源表作為一款高性能的數(shù)字源表,以其卓越的精度、多功能性和靈活性,成為半導(dǎo)體測試領(lǐng)域...
傳統(tǒng)的透射電鏡(TEM)技術(shù)往往只能提供材料在靜態(tài)條件下的結(jié)構(gòu)信息,無法滿足科研人員對材料在實際應(yīng)用環(huán)境中動態(tài)行為的研究需求。為了克服這一局限性,原位T...
精密傳感技術(shù)驅(qū)動半導(dǎo)體未來:明治傳感器在CMP/量測/減薄機的應(yīng)用
在半導(dǎo)體制造向納米級精度持續(xù)突破的進程中,精密傳感器已成為設(shè)備性能的“神經(jīng)末梢”。作為工業(yè)傳感領(lǐng)域的代表品牌,明治的傳感器憑借在極端工況下的穩(wěn)定性與測量...
SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源:Pixa...
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長...
半導(dǎo)體廠房防微振梁板結(jié)構(gòu)形式及成本對比分析-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司
隨著近年我國半導(dǎo)體事業(yè)的蓬勃發(fā)展,新建半導(dǎo)體廠房項目越來越多。半導(dǎo)體廠房投資大,回報周期長,初期的規(guī)劃與設(shè)計非常重要。防微振是半導(dǎo)體廠房的關(guān)鍵技術(shù)之一,...
晶圓經(jīng)切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物,這些物質(zhì)會對后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘...
【案例集錦】功率放大器在半導(dǎo)體光電子器件測試領(lǐng)域研究中的應(yīng)用
在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天,半導(dǎo)體光電器件是實現(xiàn)光電信號轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件,其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此,半導(dǎo)體...
切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化
引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進行工藝優(yōu)化,對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制...
半導(dǎo)體防震基座隔振測試與剛性測試工藝流程介紹-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,高精度的生產(chǎn)環(huán)境對設(shè)備穩(wěn)定性要求極高。半導(dǎo)體防震基座作為關(guān)鍵部件,在諸多知名半導(dǎo)體企業(yè)的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中發(fā)揮著不可或缺的作用。
氧化鎵(Ga2O3 )是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高,而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值,在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...
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