優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 超寬帶頻率范圍：100 MHz至 40 GHz
• 衰減范圍：0.5 dB 步進(jìn)至 31.5 dB
• 具有阻抗匹配的低插入損耗
  • 2.1 dB，最高為 18 GHz
  • 2.9 dB，最高為 26 GHz
  • 4.8 dB，最高為 40 GHz
• 具有阻抗匹配的衰減精度
  • ±（0.10+1.0% 的衰減狀態(tài)），最高 18 GHz
  • ±（0.15+0.8% 的衰減狀態(tài)），最高 26 GHz
  • ±（0.35+2.5% 的衰減狀態(tài)），最高 40 GHz
• 具有阻抗匹配的典型步進(jìn)誤差
  • ± 0.18 dB，最高為 18 GHz
  • ± 0.23 dB，最高為 26 GHz
  • ± 0.51 dB，最高為 40 GHz
• 高輸入線性度
  • P0.1dB 插入損耗狀態(tài)：30 dBm
  • P0.1dB 其他衰減狀態(tài)：27 dBm
  • IP3：50 dBm（典型值）
• 高RF輸入功率處理：27 dBm 平均值，30 dBm 峰值
• 相對(duì)相位中的緊湊分布
• 無低頻開關(guān)雜散
• SPI 和并行模式控制，CMOS / LVTTL 兼容
• RF建立時(shí)間（0.1 dB 最終 RF 輸出）：250 ns
• 24 引腳、4 mm × 4 mm LGA 封裝
• 與 ADRF5720 引腳兼容，低頻截止版本

產(chǎn)品詳情

ADRF5730 是一款硅、6 位數(shù)字衰減器，以 0.5 dB 步長提供 31.5 dB 的衰減控制范圍。

該器件的工作頻率范圍為 100 MHz 至 40 GHz，提供優(yōu)于 4.8 dB 的插入損耗和出色的衰減精度。在所有狀態(tài)下，ADRF5730 具有 27 dBm（平均值）和 30 dBm（峰值）的射頻(RF)輸入功率處理能力。

ADRF5730 需要 +3.3 V 和 ?3.3 V 雙電源電壓供電。該器件具有串行外設(shè)接口(SPI)、并行模式控制和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管對(duì)晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5730 與 ADRF5720（低頻截止版本）引腳兼容，工作頻率范圍為 9 kHz 至 40 GHz。

ADRF5730 RF 端口設(shè)計(jì)用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。對(duì)于寬帶應(yīng)用，RF 傳輸線路上的阻抗匹配可以進(jìn)一步優(yōu)化高頻插入損耗、回波損耗和衰減精度特性。

ADRF5730 采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 24 引腳、4 mm × 4 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為 ?40°C 至 +105°C。

應(yīng)用

• 工業(yè)掃描儀
• 測(cè)試和儀器儀表
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施：5G毫米波
• 軍用無線電、雷達(dá)、電子對(duì)抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)

方框圖