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HMC219B 2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器

數(shù)據(jù):

優(yōu)勢和特點

  • 轉(zhuǎn)換損耗:9 dB(典型值)
  • LO至RF隔離:40 dB(典型值)
  • LO至IF隔離:35 dB(典型值)
  • RF至IF隔離:22 dB(典型值)
  • 輸入IP3:18 dBm(典型值)
  • 輸入P1dB:11 dBm(典型值)
  • 輸入IP2:55 dBm(典型值)
  • 無源雙平衡拓撲結(jié)構(gòu)
  • 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

產(chǎn)品詳情

HMC219B是一款超小型通用雙平衡混頻器,采用8引腳超小型塑料表貼封裝,帶裸露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造,無需外部元件或匹配電路。該器件可用作頻率范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器、下變頻器、雙相調(diào)制器或相位比較器。

HMC219B采用經(jīng)過優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu),提供出色的本振(LO)至射頻(RF)隔離及LO至中頻(IF)隔離性能。符合RoHS標準的HMC219B無需線焊,與高容量表貼制造技術(shù)兼容。MMIC性能穩(wěn)定可提高系統(tǒng)工作效率并確保符合HiperLAN、U-NII和ISM法規(guī)要求。

應用

  • 微波無線電
  • 高性能無線電局域網(wǎng)(HiperLAN)和免執(zhí)照國家信息基礎(chǔ)設(shè)施(U-NII)
  • 工業(yè)、科研和醫(yī)療(ISM)

方框圖







技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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