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手機(jī)DRAM需求強(qiáng)勁 利基型DRAM比重持續(xù)攀升

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三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
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消息透露,自2023年末起,存儲芯片價格逐漸上漲;盡管整個行業(yè)陷入衰退期,受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動,先進(jìn)DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面,NAND閃存需求預(yù)計將繼續(xù)走弱。
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TS201的核電壓1,05V,I/O電壓2.5V,DRAM電壓1.5V的上電順序應(yīng)該誰先誰后啊?

TS201的核電壓1。05V,I/O電壓2.5V,DRAM電壓1.5V的上電順序應(yīng)該誰先誰后啊?如果兩個電壓間隔幾十ms建立可不可以? 我現(xiàn)在調(diào)整電壓上電順序,會導(dǎo)致DSP不加載程序。
2024-01-09 08:18:32

DRAM漲價啟動!Q1漲幅高達(dá)20%

有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價,但預(yù)計NAND價格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%,大幅提升DRAM價格,但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:54466

DRAM合約價一季度漲幅預(yù)計13~18%,移動設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場

據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預(yù)期DDR4價格將進(jìn)一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型,但對于DDR4采購量增幅不定。預(yù)計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195

傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22387

DRAM價格飆升,三星和美光計劃Q1漲幅高達(dá)20%

根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息,隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升,三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調(diào)DRAM價格,漲幅預(yù)計將達(dá)到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:16872

存儲市場動態(tài):DRAM價格大幅上漲在即

隨著上游原廠醞釀提價,多家存儲器模塊業(yè)者已經(jīng)開始備貨,以應(yīng)對潛在的市場變化。預(yù)計供應(yīng)給OEM廠商的合約價將在二季度起全面反映DRAM的漲價趨勢。
2024-01-03 15:34:13733

傳三星與美光第一季DRAM價格漲幅15%~20%

近期,全球DRAM市場風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能,這一舉動無疑將對整個市場帶來深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在,最新消息表明,DRAM價格有望在2024年第一季度迎來新一輪的上漲,漲幅預(yù)計達(dá)到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20414

DRAM價格上漲因存儲巨頭減產(chǎn),供需緊張料持續(xù)至年底

據(jù)報道,近期三星宣布自明年第一季度起,DRAM價格將上漲至少15%;盡管NAND閃存漲價跡象尚不明顯,但預(yù)測同樣存在跟進(jìn)上漲的可能。據(jù)IT之家引用集邦觀點(diǎn)預(yù)計,DRAM價格漲勢將持續(xù)至2024年末。
2024-01-03 14:31:03471

三星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:21549

存儲產(chǎn)品漲勢確定DRAM、NAND價格持續(xù)上漲

行業(yè)芯事行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-12-26 11:24:06

SK集團(tuán)會長:DRAM需求正在改善,NAND幾乎處于休眠狀態(tài)

他在記者會上稱,雖然期望2023年上半年能夠全面恢復(fù),但還需耐心等待。部分領(lǐng)域的需求推動著市場前行,然而市場并未全面復(fù)蘇。他特別指出,現(xiàn)階段DRAM產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)良好,但NAND卻仍然停滯不前。
2023-12-19 13:54:26190

dram和nand的區(qū)別

dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一種隨機(jī)存取存儲器,而NAND(Not AND)是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003894

DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收達(dá)134.8億美元,合約價還將上漲

三星dram的營業(yè)利潤在第三季度約增加15.9%,達(dá)到52.5億美元,市場占有率為38.9%,占據(jù)首位。三星對ai高用量產(chǎn)品的需求不斷增加,1alpha nm ddr5的批量生產(chǎn)也呈現(xiàn)良好勢頭。
2023-12-05 17:07:08461

DRAM庫存高 Q4出貨增長或有限

trendforce表示,第三季度三家企業(yè)的營業(yè)利潤均有所增加,由于ai話題的擴(kuò)散,對高用量產(chǎn)品的需求保持穩(wěn)定,而且在批量生產(chǎn)1 alpha nm ddr5以后價格也有所上升,從而使三星第三季度dram銷售額增長15.9%,約52.5億美元。
2023-12-05 10:19:53297

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時,管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324

DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程

DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代(不到20nm世代)已經(jīng)過去五年了。過去五年,DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此,本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15536

世界上首次商用D1Beta一代DRAM的誕生

Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁壘,對提升電子設(shè)備性能至關(guān)重要,包括移動電話和其他邊緣設(shè)備。
2023-11-24 11:11:45167

淺析DRAM測試和檢查設(shè)計方案

 DRAM測試發(fā)生在晶圓探針和封裝測試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動了測試流程,包括ATE要求和相關(guān)測試內(nèi)容。
2023-11-22 16:52:11904

DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜?

芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也有成熟的工藝,而且比SRAM便宜得多
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芯片設(shè)計中DRAM類型如何選擇

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2023-11-15 11:27:13243

SK海力士全面推進(jìn)全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化

據(jù)sk海力士透露,LPDDR5T是迄今為止最能大幅提高智能手機(jī)性能的存儲產(chǎn)品中速度最快的產(chǎn)品。公司方面強(qiáng)調(diào)說,將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品適用范圍,引領(lǐng)移動dram領(lǐng)域的升級。
2023-11-13 10:32:31779

關(guān)于DRAM市場趨勢的“虛假謊言

在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)摗U缟洗翁岬降模舛诉壿婱OS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配,可以說晶體管的小型化已經(jīng)達(dá)到了極限。那么DRAM的小型化又如何呢?
2023-11-08 11:38:29151

三星與SK海力士DRAM繼續(xù)漲價

筆電DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存儲器模組合約價,10 月也較9 月上漲11.5%,到每單位33 美元。智能手機(jī)DRAM合約價也開始漲價。TrendForce 預(yù)計第四季行動DRAM
2023-11-03 17:23:09958

DRAM的技術(shù)研發(fā)趨勢

在2023年2月在國際學(xué)會ISSCC上,三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下圖左)和硅芯片(下圖右)。
2023-10-29 09:46:58783

DRAM先進(jìn)制程進(jìn)展如何?

美光1β DDR5 DRAM支持計算能力向更高的性能擴(kuò)展,能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺上的人工智能(AI)訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(IMDB)等應(yīng)用。
2023-10-26 14:19:24136

SK海力士全球最高速LPDDR5T移動DRAM與高通完成性能驗(yàn)證

完成與高通最新移動處理器的兼容性驗(yàn)證,正式開始向客戶提供產(chǎn)品 "將通過加強(qiáng)與高通的合作,實(shí)現(xiàn)智能手機(jī)發(fā)展為AI時代的核心應(yīng)用。" 韓國首爾2023年10月25日?/美通社/ -- SK海力士25
2023-10-25 18:17:54711

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的相關(guān)知識

本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的相關(guān)知識,包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34815

單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram,目前正在開發(fā)的11納米級dram將提供業(yè)界最高密度。”另外,三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485

季漲約3~8%,DRAM合約價大幅回升!

據(jù)TrendForce的研究顯示,第4季DRAM與NAND Flash均價將開始全面上漲。特別是DRAM,預(yù)計第4季的合約價將季漲幅約在3%到8%之間。然而,這波上漲是否能持續(xù),取決于供應(yīng)商是否堅守減產(chǎn)策略以及實(shí)際需求的回升程度,尤其值得關(guān)注的領(lǐng)域是通用型服務(wù)器。
2023-10-16 09:17:18376

DRAM ,終于迎來了春天

在芯片供應(yīng)過剩、需求低迷的情況下,DRAM芯片現(xiàn)貨價格自2022年2月以來一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開始大幅削減芯片產(chǎn)量,導(dǎo)致芯片庫存資產(chǎn)觸底反彈,芯片價格持續(xù)走低。價格依次回升。
2023-10-09 16:35:59507

同時取代閃存和DRAM,ULTRARAM真有這個潛力嗎?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚(yáng))在近期的閃存峰會上,一家由英國蘭卡斯特大學(xué)孵化的初創(chuàng)公司Quinas Technology獲得了創(chuàng)新大獎。他們展示了ULTRARAM,一個結(jié)合了DRAM高性能和閃存
2023-10-09 00:10:001310

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762

MRAM會取代DDR嗎?簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別

在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
2023-10-07 10:18:221687

DRAM的工作原理 DRAM存儲數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)過程說明

內(nèi)存應(yīng)該是每個硬件工程師都繞不開的話題,稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM,并且DRAM是除CPU之外,最為復(fù)雜也最貴的核心部件了,其設(shè)計,仿真,調(diào)試,焊接,等等都非常復(fù)雜,且重要。對DRAM
2023-09-25 11:38:421900

華邦:車用芯片營收占比持續(xù)提升,看好利基市場

作為存儲半導(dǎo)體大企業(yè)的華本在汽車用市場上持續(xù)獲得利潤。此前,利基型dram已進(jìn)入車用相機(jī)市場,到2022年,nor plash也將進(jìn)入1線國際大工廠,應(yīng)用于自動駕駛系統(tǒng)和車用娛樂系統(tǒng)。
2023-09-22 09:57:06286

DRAM芯片價格有望隨NAND溫和上漲

據(jù)消息人士透露,nand閃存價格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈,到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示:“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50503

三星計劃提高DRAM和NAND芯片價格

日前有消息稱,存儲芯片領(lǐng)域正在迎來一輪明顯的復(fù)蘇,特別是移動DRAM芯片銷售行業(yè)。
2023-09-14 10:42:471045

DRAM的變數(shù)

2022年第四季度DRAM行業(yè)營收環(huán)比下降超過三成,跌幅超過2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內(nèi)存價格環(huán)比下降23-28%,DDR5內(nèi)存價格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758

堆疊式DRAM存儲節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)分析

在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592

三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,速度延遲降低50%

有傳聞稱,三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu,但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉,hbm可以將多個dram垂直連接起來,提高數(shù)據(jù)處理速度,因此,現(xiàn)金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32399

2Q23 NAND Flash/DRAM市場營收排名出爐

長5%至91.28億美元,DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長11.9%至106.75億美元。 整體來看, 二季度全球存儲市場規(guī)模198.03億美元,環(huán)比增長9%,但不足去年同期的一半,同比下跌54%。 尤其在
2023-09-05 16:13:32317

臺積電對前景沒信心?美光:存儲已見底!

盧東暉表示,由于整體存儲器產(chǎn)業(yè)尚處于庫存調(diào)整階段,市場需求端除了應(yīng)用在AI及服務(wù)器等應(yīng)用的高寬帶存儲器(HBM)需求非常強(qiáng)勁,不過目前HBM占美光比重仍低,整體DRAM景氣還得手機(jī)、個人計算機(jī)等需求回升,才能確立整體景氣復(fù)甦。
2023-09-05 16:07:56440

堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝介紹

在下面的圖中較為詳細(xì)的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖,虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:371168

內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程

內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285

DRAM內(nèi)存分為哪幾種 dram存儲器的存儲原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021021

3D DRAM時代即將到來,泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。 技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代,芯片整體
2023-08-08 14:24:12744

DRAM價格觸底反彈,專家曝真實(shí)原因

在過去一段時間內(nèi),存儲器市場遭受了來自PC和智能手機(jī)需求低迷的嚴(yán)重沖擊,導(dǎo)致DRAM價格持續(xù)下跌,整個行業(yè)景氣不振。特別是用于智能手機(jī)和PC上暫存數(shù)據(jù)的DRAM,價格長期跌跌不休,給廠商帶來了巨大
2023-08-03 15:18:57841

3D DRAM架構(gòu)的未來趨勢

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649

存儲芯片廠商持續(xù)減產(chǎn) DRAM價格止跌

據(jù)日經(jīng)新聞7月31日報導(dǎo),面向智能手機(jī)、PC的消費(fèi)量DRAM價格已經(jīng)連2個月呈現(xiàn)持平(價格未下跌)
2023-08-02 18:25:48351

6月份DRAM價格停止大幅下跌

引言:DRAM價格已連續(xù)兩個月未出現(xiàn)大幅下跌。
2023-08-02 10:33:42682

dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲器是一種易失性存儲器,意味著當(dāng)斷電時,存儲在其中的信息會丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032201

DRAM和SRAM元器件原理

元器件原理<DRAM> 由1個晶體管、1個電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫入方法 <“1” 時> Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理<SRAM> 存儲單元
2023-07-12 17:29:08754

SK海力士將為蘋果Vision Pro MR設(shè)備提供專用DRAM

為了實(shí)現(xiàn)這一功能,還必須適合用于輔助計算的dram。現(xiàn)有智能手機(jī)使用的移動dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求,提供了最適合操作r1芯片的dram。大幅增加了輸入/輸出(i/o)頻道的數(shù)量,可以將數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲器內(nèi)外。
2023-07-12 09:39:56375

三星DRAM月產(chǎn)量降至兩年來新低 行業(yè)頻現(xiàn)庫存改善信號

但這并不是全部,報道稱三星內(nèi)部計劃將減產(chǎn)持續(xù)至明年,在半導(dǎo)體市場重回供需平衡之前,公司將避免擴(kuò)產(chǎn)存儲芯片。Omdia預(yù)計,明年下半年三星的DRAM月產(chǎn)量將保持在60萬片,較目前水平進(jìn)一步減少。
2023-07-06 15:57:36378

第三季度整體PC DRAM均價將環(huán)比下跌0~5%

Mobile DRAM方面,由于上半年智能手機(jī)需求疲弱,盡管傳統(tǒng)旺季有望帶動Mobile DRAM需求,加上原廠同時進(jìn)行減產(chǎn),但對于快速降低原廠庫存的助益仍相當(dāng)有限。
2023-07-06 11:39:44170

汽車和工業(yè)的強(qiáng)勁需求使MCU交貨時間延長

模擬芯片的庫存方面,報告預(yù)測將在2023年第二季度強(qiáng)勁優(yōu)化。由于需求旺盛,分立芯片的短缺將持續(xù);MCU庫存指數(shù)在2023年第一季度進(jìn)入正常區(qū)間。
2023-07-04 14:50:19117

西安紫光國芯在VLSI 2023發(fā)表嵌入式多層陣列DRAM論文

Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch Hybrid Bonding and Mini-TSV)。該論文的發(fā)表,是西安紫光國芯在SeDRAM方向上持續(xù)創(chuàng)新的最新突破。
2023-07-03 15:25:20559

DRAM合約擬漲價7%-8%!

據(jù)悉,DRAM批發(fā)價格為存儲廠商和客戶間每個月或每季敲定一次。業(yè)內(nèi)人士稱,目前價格還在季末的拉鋸戰(zhàn)中,個別廠商面對的情況不一樣,若下游企業(yè)本身的庫存水位高,會不會接受價格調(diào)整還需再觀察。
2023-06-29 15:41:10262

存儲三巨頭欲拉動DRAM價格上漲 目標(biāo)漲幅7-8%

存儲芯片行業(yè)目前正面臨長時間虧損衰退的情況,DRAM價格已經(jīng)跌至不可再降的水平,但巨頭廠商似乎計劃推動價格上漲。
2023-06-29 14:57:32617

消息稱存儲芯片三大原廠擬調(diào)漲DRAM合約價7%-8%

據(jù)悉,dram的批發(fā)價格是存儲器事業(yè)者和顧客公司之間每個月或每個季度決定的。業(yè)界人士表示:“目前價格還處于季節(jié)的最后階段,因此個別制造企業(yè)面臨的狀況有所不同。”并稱:“如果下級企業(yè)的庫存水位上升,是否會受到價格調(diào)整,還需要進(jìn)一步觀察。”
2023-06-29 11:00:47393

廠商減產(chǎn)、庫存減少 DRAM價格結(jié)束12個月連跌

該報道稱,在智能手機(jī)和電腦中儲存數(shù)據(jù)的dram價格暫時停止下跌,這可能是因?yàn)榇笮痛鎯ζ髌髽I(yè)減產(chǎn)導(dǎo)致市場庫存減少。2023年5月的指標(biāo)產(chǎn)品ddr4 8gb的批發(fā)價格(大量交易價格)為每個1.48美元左右,與前一個月(2023年4月)相同,已經(jīng)結(jié)束了連續(xù)12個月下滑的局面。
2023-06-27 09:45:56347

SSD第一季庫存不降反升 DRAM產(chǎn)出可能為持平或負(fù)成長

DRAM景氣去年初時就反轉(zhuǎn),但當(dāng)時原廠并未踩煞車,反而認(rèn)為是市場短期修正或中國封城造成的短暫影響。
2023-06-16 14:47:12119

2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長

研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測,盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩,但2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長。
2023-06-08 10:12:34436

存儲芯片拐點(diǎn)何時到來?DRAM價格已連續(xù)12個月下跌

市場上,DRAM價格已連續(xù)12個月下跌,4月份DDR4 8Gb批發(fā)價為每個1.48美元左右,環(huán)比下跌1%。
2023-06-01 17:59:111713

比特錯誤模式對DRAM故障預(yù)測有何影響?

DRAM錯誤數(shù)據(jù)主要通過Linux檢錯糾錯驅(qū)動程序采集。同時獲取每個CE的微觀地址信息,即channel、rank、bank、row和column。
2023-06-01 14:34:21183

反超SK海力士,美光躍居第二大DRAM供應(yīng)商

在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據(jù)臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550

如何看待3D DRAM技術(shù)?

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
2023-05-31 11:41:58358

DRAM連接32位SDRAM時,sdram支持多大的容量?

DRAM 連接32位SDRAM時,最大支持64Mx32bit?
2023-05-26 07:27:07

三星電子研發(fā)首款DRAM 擴(kuò)大CXL生態(tài)系統(tǒng)

基于先進(jìn)CXL 2.0的128GB CXL DRAM將于今年量產(chǎn),加速下一代存儲器解決方案的商用化
2023-05-15 17:02:10179

8倍密度,像做3D NAND一樣做DRAM

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚(yáng))在存儲行業(yè)有些萎靡不振的當(dāng)下,大部分廠商都在絞盡腦汁地去庫存,也有的廠商考慮從新的技術(shù)方向給存儲行業(yè)注入生機(jī),比如最近發(fā)布了3D X-DRAM技術(shù)的NEO
2023-05-08 07:09:001982

3D DRAM,Chiplet芯片微縮化的“續(xù)命良藥”

CUBE是Customized/Compact Ultra Bandwidth Elements,即“半定制化緊湊型超高帶寬DRAM”的簡稱。華邦電子次世代內(nèi)存產(chǎn)品營銷企劃經(jīng)理曾一峻在向《電子工程專輯》說明CUBE核心價值時表示,新能源汽車、5G、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的不斷發(fā)展
2023-05-05 11:07:44866

使用調(diào)試器將程序加載到DRAM中,為什么配置工具會出現(xiàn)此錯誤?

我正在使用 Keil microvision 在 RT1062 上開發(fā)應(yīng)用程序。 應(yīng)用程序代碼和數(shù)據(jù)在 DRAM 中。我使用secure provisioning tool生成了一個可以刷入的bin
2023-04-28 07:02:14

如何使用低延遲 DRAM 用戶手冊(M19202EJ1V0UM00)

如何使用低延遲 DRAM 用戶手冊 (M19202EJ1V0UM00)
2023-04-26 20:28:110

AI訓(xùn)練不可或缺的存儲,HBM3 DRAM再升級

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶) SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002616

2030年DRAM模塊和組件市場將達(dá)到1111億美元

2022年DRAM模組及組件市場規(guī)模為994億美元,預(yù)計2022—2030年復(fù)合年增長率為1.40%,到2030年將達(dá)到1111億美元。
2023-04-19 09:30:161003

DRAM市場恢復(fù)元?dú)猓€想在GPT市場干票大的?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)在交出一份相當(dāng)不理想的Q1財報之后,三星電子終于決定,將削減存儲芯片的產(chǎn)量,減產(chǎn)有望緩解供應(yīng)過剩,提振陷入寒冬的半導(dǎo)體行業(yè)。 對于DRAM行業(yè)而言,這真的是巨大的利好
2023-04-15 03:00:002762

如何更改i.MX28中的DDR2時鐘EMI_CLK頻率?

大家好我們在我們的一款產(chǎn)品中使用 i.MX28,它使用以下寄存器設(shè)置在 180MHz EMI_CLK 上工作——volatile unsigned int * DRAM
2023-04-04 08:49:41

如何在SDK1.9中更改U-Boot for P2020中的2G DRAM大小?

大家好,請問大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小嗎?我嘗試更改p1_p2_rdb_pc.h,但是uboot 無法運(yùn)行,見日志如下。還有一個
2023-04-03 06:40:26

LGE-CTO使用OPTE的4G DRAM啟動失敗的原因?

= 0x0000000000000000 boot_params = 0x0000000000000000 DRAM bank = 0x0000000000000000 -> start
2023-03-29 07:51:32

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