官方發(fā)布

三星HBM3E 12H DRAM是目前三星容量最大的HBM，

憑借三星卓越的12層堆疊技術(shù)，

其性能和容量可大幅提升50%以上

先進(jìn)的TC-NCF技術(shù)有效提升垂直密度和熱性能

三星致力于滿足人工智能時(shí)代對高性能和大容量解決方案的更高要求

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。

三星HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s，產(chǎn)品容量也達(dá)到了36GB。相比三星8層堆疊的HBM3 8H，HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升超過50%。

三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁 Yongcheol Bae 表示：

當(dāng)前行業(yè)的人工智能服務(wù)供應(yīng)商越來越需要更高容量的HBM，而我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H正是為了滿足這種需求而設(shè)計(jì)的，這一新的存儲解決方案是我們研發(fā)多層堆疊HBM核心技術(shù)以及在人工智能時(shí)代為高容量HBM市場提供技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力而努力的一部分。

HBM3E 12H采用了先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得12層和8層堆疊產(chǎn)品的高度保持一致，以滿足當(dāng)前HBM封裝的要求。因?yàn)樾袠I(yè)正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題，這項(xiàng)技術(shù)將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導(dǎo)電薄膜（NCF）材料的厚度，并實(shí)現(xiàn)芯片之間的間隙最小化至7微米（μm），同時(shí)消除了層與層之間的空隙。這些努力使其HBM3E 12H產(chǎn)品的垂直密度比其HBM3 8H產(chǎn)品提高了20%以上。

三星先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊（bump）改善HBM的熱性能。在芯片鍵合（chip bonding）過程中，較小凸塊用于信號傳輸區(qū)域，而較大凸塊則放置在需要散熱的區(qū)域。這種方法有助于提高產(chǎn)品的良率。

隨著人工智能應(yīng)用的指數(shù)級增長，HBM3E 12H有望成為未來系統(tǒng)的優(yōu)選解決方案，滿足系統(tǒng)對更大存儲的需求。憑借超高性能和超大容量，HBM3E 12H將幫助客戶更加靈活地管理資源，同時(shí)降低數(shù)據(jù)中心的總體擁有成本（TCO）。相比HBM3 8H，HBM3E 12H搭載于人工智能應(yīng)用后，預(yù)計(jì)人工智能訓(xùn)練平均速度可提升34%，同時(shí)推理服務(wù)用戶數(shù)量也可增加超過11.5倍1。

目前，三星已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，預(yù)計(jì)于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。