三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速AI GPU市場布局
近日，知名市場研究機構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進(jìn)展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)為英偉達(dá)H200系列AI GPU的首選內(nèi)存解決方案，同時，針對英偉達(dá)Blackwell系列的驗證工作也在緊鑼密鼓地進(jìn)行中，預(yù)示著雙方合作的進(jìn)一步深化。
TrendForce的這份英偉達(dá)AI GPU專項報告還指出，除三星電子外，美光和SK海力士也已在今年一季度末完成了英偉達(dá)HBM3E的驗證流程，并自二季度起實現(xiàn)了批量供貨。其中，美光的產(chǎn)品主要服務(wù)于H200系列，而SK海力士則憑借其強大的產(chǎn)能和靈活的供應(yīng)策略，同時向H200和B100兩大系列提供內(nèi)存支持，進(jìn)一步鞏固了其在高端AI GPU內(nèi)存市場的地位。
展望未來，TrendForce預(yù)測英偉達(dá)2024年的GPU產(chǎn)品線將主要圍繞Hopper世代平臺展開，占比接近90%。值得注意的是，從下半年開始，英偉達(dá)將對H100系列產(chǎn)品采取不降價策略，逐步引導(dǎo)市場向新一代H200系列過渡。隨著H200系列逐步成為市場供貨的主力軍，三星電子、美光及SK海力士等內(nèi)存供應(yīng)商將迎來更廣闊的市場機遇，共同推動AI GPU市場的繁榮發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
182143 -
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3109瀏覽量
75005 -
英偉達(dá)
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
3923瀏覽量
93136
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
三星與英偉達(dá)高層會晤，商討HBM3E供應(yīng)
其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣
三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片
三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星新型AI存儲芯片
近日，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時透露，英偉達(dá)正在全力加速對三星最新推出的
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片
近日，英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設(shè)計1a DRAM電路
近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星
三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃，應(yīng)對英偉達(dá)供應(yīng)延遲
近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達(dá)驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進(jìn)入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶
三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達(dá)測試
近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳
三星電子HBM3E芯片測試進(jìn)展引發(fā)市場關(guān)注
8月7日，市場上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(dá)（Nvidia）測試的消
三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證，加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型
近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI
三星電子否認(rèn)HBM3e芯片通過英偉達(dá)測試
韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達(dá)的產(chǎn)品測試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向
三星否認(rèn)HBM3E通過英偉達(dá)測試傳聞
近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，并
三星HBM3E質(zhì)量認(rèn)證進(jìn)展：官方否認(rèn)，測試仍在進(jìn)行
近日，韓國媒體的一則報道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭
三星電子突破瓶頸,HBM3e內(nèi)存芯片獲英偉達(dá)質(zhì)量認(rèn)證
在科技界的密切關(guān)注下，三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據(jù)韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星
工商網(wǎng)監(jiān)
評論