三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
據三星電子官方表示，他們無法證實與客戶相關的具體報道內容，并直接指出這一報道是不準確的。同時，三星電子的一位高管進一步透露，目前HBM3E芯片的質量測試工作仍在緊鑼密鼓地進行中，與上月公司財報電話會議時所通報的進展并無任何變化。
此次澄清消除了市場對于三星HBM3E芯片進展的誤解，也再次強調了公司在產品測試和質量保證方面的嚴謹態度。未來，隨著測試的深入，相信會有更多關于這款先進芯片的具體信息被逐步披露。
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發表于 08-01 11:08
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