似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當地時間17日報道稱,自 1z nm 時期開始出現的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發量產造成明顯影響。三星試圖通
發表于 04-18 10:52
電子發燒友網綜合報道,在國際固態電路會議(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5規范,將數據傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ? 三星稱其為LPDDR5
發表于 02-28 00:07
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據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰,為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
發表于 02-13 16:42
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據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級
發表于 01-23 10:04
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(High Bandwidth Memory 4)內存規劃方面產生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結束開發工作并進入量產階段所必需的水平
發表于 01-22 14:27
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在CES 2025開幕前夕,三星半導體憑借其在存儲技術領域的卓越創新與突破,以業界首創的LPDDR5X DRAM技術,獲得了CES 2025在移動設備、配件及應用程序領域的創新獎。
發表于 12-31 15:15
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近日,業界傳出三星電子HBM3E商業化進程遲緩的消息,據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星
發表于 10-23 17:15
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三星電子在半導體技術的創新之路上再邁堅實一步,據業界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現12層HBM4產品的
發表于 08-22 17:19
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據韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線,并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著
發表于 08-13 14:29
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人工智能半導體領域的創新者DeepX宣布,其第一代AI芯片DX-M1即將進入量產階段。這一里程碑式的進展得益于與三星電子代工設計公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產合同
發表于 08-10 16:50
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三星電子今日正式宣告,其業界領先的超薄LPDDR5X內存封裝技術已進入量產階段,再次引領內存技術潮流。此次推出的LPDDR5X內存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實現了對上一代產品
發表于 08-07 11:21
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三星電子于6日正式宣布,其已成功實現業內領先的12納米級低功耗雙倍數據速率動態隨機存儲器(LPDDR5X DRAM)的量產,這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領行業,同時提供12
發表于 08-06 15:30
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深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業內最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內存)開始量產,支持12GB和16GB容量。這將
發表于 08-06 08:32
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7月16日,三星電子宣布了一項重大技術突破,其最新研發的10.7千兆比特每秒(Gbps)LPDDR5X DRAM已成功在聯發科技即將推出的下一代天璣旗艦移動平臺上完成兼容性驗證。此次合作中,三
發表于 07-16 16:15
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三星今日宣布,已成功在聯發科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。 此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16G
發表于 07-16 15:55
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