深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HB
發(fā)表于 04-18 10:52
據(jù)報(bào)道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新
發(fā)表于 01-23 15:05
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據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)
發(fā)表于 01-23 10:04
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據(jù)知情人士透露,三星正計(jì)劃調(diào)整其家電生產(chǎn)布局,考慮將部分烘干機(jī)生產(chǎn)從墨西哥克雷塔羅工廠轉(zhuǎn)移至位于美國(guó)南卡羅來納州紐伯里的家電工廠。目前,三星
發(fā)表于 01-22 15:46
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(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結(jié)束開發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平
發(fā)表于 01-22 14:27
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近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新設(shè)計(jì)新版1b
發(fā)表于 01-22 14:04
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據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman),在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門的發(fā)展策略。 韓真晚強(qiáng)調(diào),三星代工部門要實(shí)現(xiàn)先進(jìn)
發(fā)表于 12-10 13:40
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近期,據(jù) Business Korea 報(bào)道,三星電子正在擴(kuò)大國(guó)內(nèi)外投資,以強(qiáng)化其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)。封裝技術(shù)決定了半導(dǎo)體芯片如何適配目標(biāo)設(shè)備,而對(duì)于 HBM4 等下一代高帶寬存儲(chǔ)(HBM)產(chǎn)品
發(fā)表于 11-25 15:28
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近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石
發(fā)表于 10-23 17:15
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三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題,該公司在高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,為了提升在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,三星可能會(huì)著手重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。
發(fā)表于 10-22 14:37
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近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。據(jù)預(yù)測(cè),至2025年,這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個(gè)單位,推動(dòng)年度總
發(fā)表于 08-29 16:43
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據(jù)臺(tái)灣媒體最新報(bào)道,三星電子近期進(jìn)行了一次重大的業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)調(diào)整,其先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)組“Task Force”已正式解散。這一變動(dòng)在半導(dǎo)體行業(yè)引起了廣泛關(guān)注,尤其是考慮到該團(tuán)隊(duì)曾承載著三星反擊臺(tái)積電的重要使命。
發(fā)表于 08-28 15:48
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據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營(yíng)。這一舉措標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要
發(fā)表于 08-13 14:29
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1. 三星:HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn),營(yíng)收貢獻(xiàn)將增長(zhǎng)至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開始量
發(fā)表于 08-01 11:08
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評(píng)論