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DRAM價格飆升,三星和美光計劃Q1漲幅高達20%

百能云芯電子元器件 ? 2024-01-03 18:14 ? 次閱讀
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根據最新的存儲器模組行業消息,隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升,三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調DRAM價格,漲幅預計將達到15%-20%。

業內分析師指出,上游制造商的關注點正在從NAND轉移到DRAM,特別是DDR4和DDR5等型號,成為下一輪價格上漲的關鍵推動力。

盡管市場需求目前尚未完全穩定,但存儲器行業內部人士透露,他們最近收到了三星提出的警告,預計第1季DRAM價格至少將上漲15%。至于NAND的漲幅雖然尚未明確提出,但預計將繼續上漲,存儲器價格上漲趨勢可能會持續至2024年底。

此外,其他存儲器模組制造商也向客戶發布通知,預計在2024年第1季,三星和美光將相繼上調DRAM價格,漲幅約為15%到20%。與去年12月DRAM報價微幅上漲2%-3%相比,這一漲幅明顯低于3D TLC NAND的上漲幅度,后者約為10%。

隨著手機和服務器需求逐漸回升,預計2024年DRAM市場供應將持續緊張。從1月份開始,制造商將調整DRAM的新報價,以促使客戶提前規劃未來的使用需求。

業內觀察認為,進入2024年后,DRAM價格上漲的趨勢將變得更加顯著。由于DDR4庫存較高,導致市場價格相對疲弱,為了緩解營運虧損,預計2024年上半年將集中調整DDR4和DDR5的價格,而DDR3的產能和需求相對穩定,其漲幅相對平穩。

盡管上游制造商在第1季度啟動DRAM價格上漲行動并不令人意外,但存儲器模組制造商認為DRAM價格上漲的動力主要仍然來自于上游制造商的人為操縱。他們此前的內部預測已經表明,他們預計將迎來單季漲幅約15%到20%,因此近幾個月已陸續回購低價庫存。

預計這輪DRAM價格上漲將由三星率先發動,其操作方式幾乎與2023年第3季NAND價格上漲相似。然而,未來DRAM價格是否會像NAND Wafer一樣強勁攀升,還需觀察市場需求。

業內預計,隨著上游制造商醞釀2024年第1季DRAM價格上漲,多家記憶體模組制造商已經收到信號,啟動備貨計劃。預計向OEM廠提供的合同價格將在一個季度內有所延后,從第2季度開始將充分反映DRAM價格上漲的趨勢。

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