據韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達到結束開發工作、順利進入量產階段的要求。然而，實際情況并未如愿。

據悉，盡管三星電子在去年底成功制得了1c nm DRAM的良品晶粒，但整體良率并未達到預期水平。因此，三星不得不將良率里程碑時間推遲至2025年6月，以確保產品質量的穩定性和可靠性。

這一變化可能會對三星對HBM4內存的規劃產生影響。HBM4作為高性能內存，對良率和穩定性有著極高的要求。因此，三星在1c nm DRAM內存開發上的推遲，可能會使得HBM4的量產時間也相應延后。

三星電子一直致力于在內存技術方面保持領先地位，此次推遲無疑對其市場布局和產品計劃帶來了一定的挑戰。未來，三星將需要更加努力地提升良率和生產效率，以滿足市場需求并保持競爭力。