隨著ChatGPT引領AI市場發(fā)展，HBM存儲市場迅速崛起。據(jù)TrendForce預測，2022年，全球HBM容量約1.8億GB，2023年增幅約60%，達2.9億GB；2024年將繼續(xù)攀升30%。若按每GB售價20美元計算，2022年HBM市場規(guī)模約為36.3億美元，預估2026年將達127.4億美元，年復合增長率（CAGR）約37%。

然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應商，且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。美光和三星等競品正積極研發(fā)自家HBM產(chǎn)品，試圖打破SK海力士的市場主導地位。而中國廠商在這一領域基本處于空白狀態(tài)。

此外，受美國BIS 2022年針對高算力芯片的規(guī)則3A090影響，英偉達等廠商降低芯片互聯(lián)速率以維持對華供應。美國商務部還指控中國企業(yè)通過海外子公司或其他途徑規(guī)避許可證規(guī)定獲取先進計算芯片。2023年新規(guī)調(diào)整了3A090芯片及相關(guān)物項的技術(shù)指標，擴大了許可證要求及直接產(chǎn)品原則的適用范圍，并加強了先進計算最終用途管控。因此，包括先進GPU、HBM產(chǎn)品以及制造AI芯片和HBM的先進封裝設備在內(nèi)，對華供給基本中斷。

芯片與存儲制造是制約中國AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸，其中2.5D或3D先進封裝、芯片堆疊等核心工藝設備至關(guān)重要。目前，海力士、三星和美光均采用TCB工藝，其中海力士采用TCB MR-MUF，三星和美光則主要使用TCB NCF技術(shù)。但隨著HBM技術(shù)的不斷升級，如HBM4的出現(xiàn)，堆疊層數(shù)由8層提升至16層，IO間距縮減至10微米左右，TCB工藝逐漸向無flux方向發(fā)展。

近年來，普萊信智能與客戶密切合作，成功研發(fā)出TCB工藝和整機，并構(gòu)建了納米級運動控制平臺、超高速溫度升降系統(tǒng)、自動調(diào)平系統(tǒng)及甲酸還原系統(tǒng)。在此基礎上，普萊信智能打造了Loong系列TC Bonder技術(shù)平臺，并針對AI芯片、HBM等產(chǎn)品需求，推出Loong WS及Loong F系列產(chǎn)品。

其中，Loong WS可兼容C2W及C2S封裝形式，最高精度達±1um，與國際領先水平相當，支持TCB NCF、TCB MR-MUF等多種工藝。

Loong F作為專為HBM3E和HBM技術(shù)設計的無flux工藝設備，在Loong WS平臺基礎上新增甲酸還原系統(tǒng)，消除堆疊工藝中的flux不良影響，實現(xiàn)coper-coper鍵合，支持最小IO pitch在15微米。展望未來，隨著HBM4堆疊層數(shù)增加和IO數(shù)量激增，Loong F有望成為最具性價比的解決方案。

我們堅信，隨著中國半導體技術(shù)的進步和普萊信智能Loong系列TCB設備的推出與量產(chǎn)，國產(chǎn)廠商在AI芯片和HBM產(chǎn)品研發(fā)與制造方面將迎來突破性進展。