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三星與臺積電合作開發無緩沖HBM4 AI芯片

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2024-09-09 17:37 ? 次閱讀

科技日新月異的今天,三星電子與臺積電兩大半導體巨頭的強強聯合再次引發業界矚目。據最新報道,雙方正攜手并進,共同開發下一代高帶寬存儲器(HBM4)人工智能AI)芯片,旨在進一步鞏固并提升在快速增長的AI芯片市場的領導地位。

在備受矚目的Semicon Taiwan 2024論壇上,臺積電生態系統與聯盟管理負責人Dan Kochpatcharin正式披露了這一合作進展,透露兩家公司已將合作觸角延伸至無緩沖HBM4芯片的研發領域。這一消息不僅標志著雙方在技術創新上的又一次深度融合,也預示著AI芯片市場即將迎來一場技術革新的風暴。

分析人士指出,三星與臺積電此次合作開發無緩沖HBM4 AI芯片,不僅是雙方在AI芯片領域的首次攜手,更是兩大半導體巨頭在代工或合同芯片制造領域激烈競爭背景下的一次戰略互補。三星作為全球第二大芯片代工廠商,與業界龍頭臺積電的合作無疑將為其在AI芯片市場的布局注入新的活力與競爭力。

隨著AI技術的飛速發展,對高性能、高帶寬存儲器的需求日益迫切。無緩沖HBM4芯片的研發成功,將有望為AI計算提供更為強大的數據處理能力,加速AI應用的落地與普及。三星與臺積電的合作,無疑將在這場技術競賽中占據先機,共同引領AI芯片行業的未來發展。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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