據(jù)媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預(yù)計將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術(shù)。同時,展望未來五年,該領(lǐng)域有望實現(xiàn)15%至20%的年均復合成長率。
大摩的半導體產(chǎn)業(yè)分析師詹家鴻進一步透露,三星已計劃在2026年將HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)任務(wù)轉(zhuǎn)交給臺積電。面對市場需求的強勁增長,臺積電正加速其產(chǎn)能擴張步伐,并預(yù)計在2025年將資本支出提升至380億美元。
此外,在高性能計算(HPC)和人工智能(AI)領(lǐng)域需求的強勁推動下,臺積電原本計劃在2026年將CoWoS技術(shù)的產(chǎn)能擴大至每月8萬片。然而,由于英偉達對該技術(shù)的需求異常旺盛,臺積電已決定將這一產(chǎn)能擴充計劃提前至2025年底前完成。因此,臺積電在未來五年內(nèi)有望實現(xiàn)15%至20%的年均復合成長率。
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