來源:電子研習(xí)社
半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,廣泛應(yīng)用于集成電路、消費電子及工業(yè)設(shè)備等場景,其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,憑借高功率密度與能效優(yōu)勢,正推動電子設(shè)備技術(shù)革新。
本次評測對象為搭載了芯干線前沿技術(shù)的氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案(12V/8.33A),將重點測試轉(zhuǎn)換效率、開機(jī)延遲及掉電保持時長等關(guān)鍵性能指標(biāo),查看第三代寬禁帶半導(dǎo)體互相搭配下的優(yōu)勢。
1方案介紹
芯干線12V 8.33A 100WDemo方案
實物圖
正面
背面
尺寸為:81.5*56*24mm
其裸板功率密度為:0.91W/平方厘米
方案參數(shù)
X電容 | 334 X2 |
NTC | 2.5Ω Φ9mm |
整流橋 | GBU1508 |
PFC MOS | X3G6516B5 |
PFC 二極管 | XD065A0065 |
高壓電解 | 100uF 450V |
LLC MOS管 | X3G6516B5 |
變壓器 | ATQ2516 |
主IC | TEA2017 |
次級整流MOS | GN014N04AL |
次級電解 |
共3700uF, 有工字電感濾波 |
原理圖
2方案實測
轉(zhuǎn)換功率
測試說明:
在冷機(jī),短路NTC 20%至滿載的情況下分別輸入110v和220v電壓。
測試結(jié)果:
在110V電壓輸入,20%負(fù)載至滿載的情況下,通過計算得出其轉(zhuǎn)換功率為92.0%、93.3%、93.6%、93.8%、93.9%。
在220v電壓輸入,20%負(fù)載至滿載情況下,通過計算得出其轉(zhuǎn)換效率為93.0%、95.0%、95.7%、95.8%、96.0%。
待機(jī)功耗
輸入電壓/VAC | 待機(jī)功耗/W | 測試說明 |
110 60Hz | 0.0089 | 空載,積分時間>60秒 |
220 50Hz | 0.0217 | 空載,積分時間>60秒 |
開機(jī)延遲時間
測試說明:
分別輸入電壓110V和220V,系統(tǒng)滿載狀態(tài)下查看開機(jī)延遲時間
測試結(jié)果:
110V電壓輸入下,其自運行開機(jī)延遲時間為524ms。
220V電壓輸入下,其自運行開機(jī)延遲時間為583ms。
掉電保持時間
測試說明:
分別輸入電壓110V和220V,系統(tǒng)滿載運行下查看掉電保持時間。
測試結(jié)果:
110V電壓輸入下,其掉電保持時間為34.6ms。
220V電壓輸入下,其掉電保持時間為35.4ms。
動態(tài)測試
測試說明:
在輸入電壓110V和220V,25~75%負(fù)載狀態(tài)下,分別測試最小輸出電壓和最大輸出電壓數(shù)值
測試結(jié)果:
在分別輸入110V和220V電壓后,最小輸出電壓和最大輸出電壓均為12.02v、12.32v。
空載紋波
測試說明:
在輸入電壓110V和220V,使用探頭加
10uF+0.1uF電容,20MHz帶寬,空載狀態(tài)下分別測試輸出電壓峰峰值
測試結(jié)果:
在分別輸入110V和220V電壓后,空載紋波輸出電壓峰峰值分別為30mv和40mv。。
滿載紋波低頻
測試說明:
在輸入電壓110V和220V,使用探頭加10uF+0.1uF電容,20MHz帶寬,滿載狀態(tài)下分別測試輸出電壓峰峰值。
測試結(jié)果:
在分別輸入110V和220V電壓后,滿載波紋低頻輸出電壓峰峰值均為20mv。
滿載紋波高頻
測試說明:
在輸入電壓110V和220V,探頭加10uF+0.1uF電容,20MHz帶寬,滿載狀態(tài)下分別測試紋波高頻輸出電壓峰峰值
測試結(jié)果:
在分別輸入110V和220V電壓后,滿載紋波低頻輸出電壓峰峰值均為20mv。
電子銳評
在這個功率等級,且在輸出為12V的情況下,能達(dá)到高輸入96%的效率和低輸入93%的效率。板上所使用的GaN MOS及SiC二極管在其中起了關(guān)鍵作用
3產(chǎn)品特點
本次測評該款Demo當(dāng)中的氮化鎵和碳化硅是采用了芯干線的兩款產(chǎn)品,分別是X3G6516B5氮化鎵開關(guān)管以及XD065A0065碳化硅二極管。
下面我們看一下這兩款產(chǎn)品的功能特點
X3G6516B5氮化鎵開關(guān)管
核心參數(shù)
650V增強型耐壓設(shè)計,導(dǎo)通電阻150mΩ,工作電流13A
性能優(yōu)勢
低導(dǎo)通電阻與輸入電容,提升能效表現(xiàn)
零反向恢復(fù)損耗,支持高頻電路運行
適用于PFC升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),優(yōu)化電源系統(tǒng)功率密度
應(yīng)用領(lǐng)域列舉
消費電子:
快充設(shè)備與無線充電模塊—利用高頻特性提升能量傳輸效率,實現(xiàn)更緊湊的輕量化設(shè)計。
工業(yè)電子:
功放—高頻特性提升能量傳輸效率,實現(xiàn)更小體積,更輕重量,發(fā)熱現(xiàn)象大幅減少,功率密度高。
逆變器—耐高溫特性保障戶外環(huán)境穩(wěn)定性,同時提升能源轉(zhuǎn)換效率并縮減系統(tǒng)體積。
適配器—可實現(xiàn)更高的電子遷移率、禁帶寬度、更低的導(dǎo)通電阻。
服務(wù)器電源—高頻特性優(yōu)化電源模塊設(shè)計,減少元器件數(shù)量并提升功率密度。
車載電子:
車載充電器—適配高壓平臺的高效電能轉(zhuǎn)換,顯著縮小器件體積,滿足電動汽車空間約束。
XD065A0065碳化硅二極管
核心參數(shù)
650V耐壓等級,163℃高溫環(huán)境下穩(wěn)定輸出6A電流
性能優(yōu)勢
零反向恢復(fù)電流特性,降低開關(guān)損耗
正溫度系數(shù)特性,支持多器件并聯(lián)擴(kuò)容
高頻開關(guān)兼容性,配合低散熱需求設(shè)計
應(yīng)用領(lǐng)域列舉
工業(yè)電子:
功放—良好的散熱能力,高輸出狀態(tài)更可穩(wěn)定運行。
逆變器—高熱導(dǎo)與耐高溫特性優(yōu)化散熱能力,支持復(fù)雜環(huán)境下的高效能源轉(zhuǎn)換場景,更可提供更長續(xù)航能力。
適配器—提供優(yōu)異的高溫性能和可靠性,并支持更高的功率和更高的電壓。
服務(wù)器電源—優(yōu)異的熱管理能力帶來更高的可靠性,保障系統(tǒng)整體的穩(wěn)定運行。
車載電子:
車載充電器—具有極高的擊穿電場強度,可適應(yīng)更高的工作溫度,可提高系統(tǒng)的可靠性和壽命。
協(xié)同應(yīng)用價值
兩款器件在PFC電路中搭配,共同構(gòu)建高可靠性、高功率密度的第三代半導(dǎo)體解決方案,適用于工業(yè)電源、新能源設(shè)備等高性能場景。因此使其該款Demo方案在高集成微型化、高功率密度與高能量效率上均保持著優(yōu)異的數(shù)值。
4總結(jié)
第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)起源于20世紀(jì)50年代,歷經(jīng)材料創(chuàng)新、場景適配、規(guī)模降本和生態(tài)構(gòu)建的發(fā)展路徑。當(dāng)前在超寬禁帶材料突破與碳中和目標(biāo)驅(qū)動下,正重塑能源、通信等領(lǐng)域的底層技術(shù)架構(gòu)。
芯干線作為專注氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)及半導(dǎo)體領(lǐng)域以技術(shù)為核心驅(qū)動力的國產(chǎn)企業(yè),依托全產(chǎn)業(yè)鏈能力布局,產(chǎn)品已覆蓋消費電子、工業(yè)控制及新能源等多領(lǐng)域,持續(xù)支撐推動著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化進(jìn)程。
5廠家資訊
關(guān)于芯干線
芯干線科技是一家由功率半導(dǎo)體資深海歸博士、電源行業(yè)市場精英和一群有創(chuàng)業(yè)夢想的年輕專業(yè)人士所創(chuàng)建寬禁帶功率器件原廠。2022年被評為規(guī)模以上企業(yè),2023年國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術(shù)企業(yè),通過了ISO9001生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。在2024年通過了IATF16949汽車級零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。
公司自成立以來,深耕于功率半導(dǎo)體Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)和銷售。產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于消費、光伏、儲能、汽車、Ai服務(wù)器、工業(yè)自動化等能源電力轉(zhuǎn)換與應(yīng)用領(lǐng)域。
公司總部位于南京,分公司遍布深圳、蘇州、江蘇等國內(nèi)多地,并延伸至北美與臺灣地區(qū),業(yè)務(wù)版圖不斷拓展中。
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原文標(biāo)題:“黃金好搭檔”,實測搭載芯干線氮化鎵與碳化硅互補視角下的Demo方案
文章出處:【微信號:Xinkansen,微信公眾號:芯干線科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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