在當今快速發(fā)展的電力電子技術領域，功率半導體器件的性能優(yōu)化至關重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關鍵的測試方法，為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應用及泰克科技在這一領域的先進解決方案，并介紹泰克專家高遠新書的相關內(nèi)容。

雙脈沖測試的目標參數(shù)

在設計功率轉(zhuǎn)換器時，理想狀態(tài)是功率損耗為零，但現(xiàn)實中開關損耗不可避免。傳統(tǒng)的硅基轉(zhuǎn)換器效率約為87%至90%，這意味著10%至13%的輸入功率以廢熱形式耗散，其中大部分損耗發(fā)生在MOSFET或IGBT等開關器件中。因此，精確測量這些器件的開關參數(shù)對于優(yōu)化設計、提升效率至關重要。

雙脈沖測試是測量MOSFET或IGBT開關參數(shù)的首選方法，被廣泛應用于JEDEC和IEC標準中，如JEP182、JESD24-10、IEC 60747-9等。該測試方法能夠在受控的電壓、電流和溫度條件下，通過脈沖限制被測器件（DUT）的自發(fā)熱并保持穩(wěn)定的結(jié)溫，從而準確測量開關參數(shù)。

雙脈沖測試的目標是測量以下開關參數(shù)：

? 導通參數(shù)：包括導通延遲時間td(on)、VDS下降時間tf、導通時間ton、最大漏極電流ID、dv/dt、di/dt、導通能量Eon和動態(tài)導通電阻RDS(on)。

? 關斷參數(shù)：包括關斷延遲時間td(off)、VDS上升時間tr、關斷時間toff、最大漏源電壓VDSM、dv/dt、di/dt、關斷能量Eoff和輸出電荷Qoss。

? 反向恢復參數(shù)：包括反向恢復時間tr、反向恢復電流Ir、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err和正向?qū)妷篤SD。

雙脈沖測試的三階段

典型的雙脈沖測試電路如圖1所示，通過高側(cè)和低側(cè)FET的配置，實現(xiàn)對功率器件的精確測量。

測試分為三個重要階段：

1）建立目標測試電流，調(diào)整第一個脈沖的寬度以通過負載電感提供所需的測試電流。

2）第一個脈沖的關斷及測量，此時 Id已達到目標測試電流，并在功率器件關斷時降至零。測量關斷延遲(td(off))、下降時間( tf )、關斷時間( toff)、關斷能量(Eoff)、dv/dt 和di/dt。負載電流從負載電感流經(jīng)續(xù)流二極管。關斷時間保持較短以將負載電流維持在目標Id。

3）第二個脈沖的導通及測量，在此階段進行導通測量，目標Id開始重新流入功率器件。導通期間的電流過沖是由于續(xù)流二極管反向恢復時的暫時過量電流。第二個脈沖寬度僅保持足夠長以確保穩(wěn)定測量，同時避免過熱。

圖1：用于測量低側(cè)FET開關損耗的雙脈沖測試電路；圖2：以MOSFET為DUT的電流流向；圖3：以IGBT為DUT的電流流向。

圖4：雙脈沖測試波形。頂部波形顯示施加到柵極或柵極驅(qū)動器的信號。底部信號是對應的漏極電流（Ic）和漏源電壓（VDS）。測量在第1和第2階段以及第2和第3階段之間的過渡處進行。

泰克科技的雙脈沖測試解決方案

泰克科技提供全面的儀器、探頭和軟件，以滿足雙脈沖測試的需求。

典型的儀器配置可參考下圖所示，節(jié)選自《SiC功率器件：特性、測試和應用技術》第二版。

《SiC功率器件：特性、測試和應用技術》第二版的作者高遠先生，是資深的功率器件專家，憑借多年在碳化硅器件測試與表征領域的深厚積累，為本書注入了極具價值的專業(yè)內(nèi)容。該書不僅對SiC功率器件的特性、測試和應用技術進行了全面而深入的剖析，更在第五章用接近100頁的篇幅詳細介紹了雙脈沖測試的基本原理、儀器儀表的選擇和其他注意事項。

隨著國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，此次第二版的更新，無疑為工程師和科研工作者提供了與時俱進的行業(yè)動態(tài)與技術指引。

在此，我們也更新了雙脈沖測試的應用指南，提供詳細的雙脈沖測試示例詳解。

導通能量與關斷能量計算方法

反向恢復能量損耗計算公式

雙脈沖測試軟件的自動化測量功能，與手動測試方法的對比

雙脈沖測試的示波器探頭選擇

高/低側(cè)開關測量的探頭連接

測量低側(cè)二極管反向恢復參數(shù)的探頭配置

雙脈沖測試測量示例詳解

雙脈沖測試

雙脈沖測試是功率半導體器件測試的關鍵技術，泰克科技憑借其先進的儀器和軟件，為工程師提供了強大的測試支持。高遠先生的新書《SiC功率器件：特性、測試和應用技術》進一步深化了對SiC器件測試技術的理解，為行業(yè)的發(fā)展提供了寶貴的參考。