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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>美光搶灘市場,HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

美光搶灘市場,HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

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SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
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SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達提供樣品

該公司表示,HBM3EHBM3的擴展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41552

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
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SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時,SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
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SK海力士開發(fā)“最佳性能”HBM3E

以“業(yè)界頂尖性能”推動人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開始量產(chǎn)
2023-08-31 15:28:42401

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

,skjmnft同時已經(jīng)向英偉達等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局,每個堆棧為24 GB,采用1β 技術(shù)生產(chǎn),具備出色的性能。Multiable萬達寶ERP具備數(shù)字化管理各個業(yè)務(wù)板塊,提升
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HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。
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1.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國

NVIDIA H200的一大特點就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士),單顆容量就多達141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點點),同時帶寬多達4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13405

預(yù)計英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復(fù)雜,預(yù)計需要2個季度左右的時間,因此業(yè)界預(yù)測,最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構(gòu)表示,各原工廠的hbm3e驗證結(jié)果將最終決定英偉達hbm購買分配權(quán)重值,還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57457

英偉達HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

HBM4 預(yù)計將于 2026 年推出,具有針對英偉達和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下,HBM4 將標志著其最底部邏輯芯片(基礎(chǔ)芯片)首次使用 12 納米工藝晶圓,由代工廠提供。
2023-11-28 09:45:13215

英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復(fù)雜,預(yù)計需要2個季度左右的時間,因此業(yè)界預(yù)測,最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結(jié)果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構(gòu)表示,各原工廠的hbm3e驗證結(jié)果將最終決定英偉達hbm購買分配權(quán)重值,還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30376

AI大模型不斷拉高上限,內(nèi)存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來

數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競爭當中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48941

消息稱美光HBM3E正接受主要客戶質(zhì)量評價

美光已明確表示,預(yù)期明年將進占市場份額約5%,排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離,他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度,且計劃于2023年最后階段為英偉達提供測試。
2023-12-26 14:39:31165

英偉達大量訂購HBM3E內(nèi)存,搶占市場先機

英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:50613

英偉達斥資預(yù)購HBM3內(nèi)存,為H200及超級芯片儲備產(chǎn)能

據(jù)最新傳聞,英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04276

Hanmi半導(dǎo)體與三星電子討論HBM供應(yīng)鏈,擴大客戶群和市場份額

美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預(yù)計至2024年,HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴重。對此,三星計劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3,并計劃啟動第五代HBM產(chǎn)品HBM3E量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:02412

SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個月大規(guī)模生產(chǎn),專用于英偉達AI芯片

值得一提的是,半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個階段,而 SK 海力士已經(jīng)成功走過了各個環(huán)節(jié),正在進行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45222

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器,領(lǐng)先三星

在嚴格的9個開發(fā)階段后,當前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質(zhì)量的認可,同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:05282

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲器

在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器(HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品,并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08645

SK海力士預(yù)計3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達

近日,全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開發(fā),并且已經(jīng)通過了英偉
2024-02-25 11:22:21403

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前,只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:42135

美光科技批量生產(chǎn)HBM3E,推動人工智能發(fā)展

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達納(Sumit Sadana)稱,公司已實現(xiàn)HBM3E市場首發(fā)和卓越性能,同時能耗具有顯著優(yōu)勢,使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機。他還強調(diào),美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3EHBM4路線圖,DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42127

HBM市場火爆!美光與SK海力士今年供貨已告罄

美光指出,專為AI、超級計算機設(shè)計的HBM3E預(yù)計2024年初量產(chǎn),有望于2024會計年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營收。Mehrotra對分析師表示,“2024年1~12月,美光HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:15154

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達1280GB/s,容量達36G

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25232

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00269

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21390

AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)手機資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進行了重新設(shè)計。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系,同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:05188

美光新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達H200

美國記憶體制造巨頭美光(Micron)于26日宣布,其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(NVIDIA)H200 Tensor Core GPU,標志著
2024-02-28 14:17:10173

HBMHBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比

AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測算,預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53272

美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發(fā)展

HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51569

美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展

2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布已開始量產(chǎn)HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41765

美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存與存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。這一重要的里程碑式進展再次證明了美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
2024-03-05 09:16:28396

美光開始量產(chǎn)HBM3E解決方案

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布,已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進展不僅標志著美光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破,也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺妱诺挠嬎隳芰χС帧?/div>
2024-03-08 10:02:07157

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀錄,不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標桿。
2024-03-08 10:04:42195

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51179

三星強化HBM工作團隊為永久辦公室,欲搶占HBM3E領(lǐng)域龍頭地位?

這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機,并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501433

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44311

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21309

GTC 2024:三大存儲廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉,HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片;AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7,有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:59150

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37314

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53379

英偉達CEO贊譽三星HBM內(nèi)存,計劃采購

 提及此前有人預(yù)測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24390

英偉達尋求從三星采購HBM芯片

英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)
2024-03-25 11:42:04338

NVIDIA預(yù)定購三星獨家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:1194

三星獨家供貨英偉達12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)最新消息透露,英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:06146

三星電子HBM存儲技術(shù)進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09107

AI時代,HBM掀起存儲芯片新浪潮

2022年末,ChatGPT的面世無疑成為了引領(lǐng)人工智能浪潮的標志性事件,宣告著新一輪科技革命的到來。
2024-03-27 09:40:36287

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s,這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:0991

高盛談HBM四年十倍市場 人工智能驅(qū)動HBM市場騰飛

市場競爭方面,高盛認為,由于HBM市場供不應(yīng)求的情況將持續(xù)存在,業(yè)內(nèi)主要玩家如SK海力士、三星和美光等將從中受益。
2024-03-29 15:21:301265

HBM3E起飛,沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu),迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性,更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達1024位的數(shù)據(jù)路徑,并以驚人的6.4 Gb/s的速率運行,實現(xiàn)了高達819 Gb/s的帶寬,為高性能計算提供了強大的支持。
2024-03-30 14:34:101600

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3EHBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312165

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