據最新消息透露,英偉達即將從今年9月開始大規模采購12層HBM3E內存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業內帶來了不小的震動。
早在GTC 2024大會上,英偉達創始人兼CEO黃仁勛就曾在三星電子展示的12層HBM3E實物產品上留下“黃仁勛認證(JENSEN APPROVED)”的簽名,這無疑是對該產品技術實力的極大認可。
與此同時,SK海力士雖在研發12層HBM3E產品方面有所努力,但由于部分工程問題,他們未能如期推出相關產品。不過,該公司并未因此氣餒,反而決定從本月末開始批量生產8層HBM3E產品,以期在市場中占據一席之地。
這一事件再次證明了三星電子在內存技術研發方面的領先地位,也顯示了英偉達對于高性能計算領域持續投入的決心。未來,隨著雙方合作的深入,我們有理由相信,高性能計算領域將迎來更多令人矚目的技術突破。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15885瀏覽量
182091 -
內存
+關注
關注
8文章
3105瀏覽量
74951 -
英偉達
+關注
關注
22文章
3912瀏覽量
93040 -
HBM3E
+關注
關注
0文章
79瀏覽量
403
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局
電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經為
三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應
其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發了外界的廣
英偉達加速認證三星AI內存芯片
芯片。作為當前市場上最先進的內存技術之一,HBM3E(High Bandwidth Memory 3 Enhanced)以其超高的帶寬和低功耗特性而備受矚目。英偉
三星電子HBM3E商業化遇阻,或重新設計1a DRAM電路
近日,業界傳出三星電子HBM3E商業化進程遲緩的消息,據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向
三星電子HBM3E內存獲英偉達認證,加速AI GPU市場布局
近日,知名市場研究機構TrendForce在最新發布的報告中宣布了一項重要進展:三星電子的HBM3E內存產品已成功通過英偉達驗證,并正式開啟
TrendForce:三星HBM3E內存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊,據TrendForce集邦咨詢的最新報告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內存產品的驗證流程,并正式啟動了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產品主要
三星HBM3E內存挑戰英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內存(新一代高帶寬內存
今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產
最先進的HBM3e芯片占總HBM的銷售額比例將從本季度略高于10%增長到今年最后一個季度的60%。三星存儲銷售和營銷負責人Kim Jaejune表示,該公司將為幾家客戶供貨,但未透露客
發表于 08-01 11:08
?1046次閱讀
三星HBM3e獲英偉達認證,加速DRAM產能轉型
近日,三星電子在半導體領域再傳捷報,其高頻寬內存(HBM)產品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試,預示著即將開啟大規模生產并向英偉
三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞
近期,有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內存)質量測試,并預計很快將啟動量產流程,以滿足市場對高性能存
三星電子突破瓶頸,HBM3e內存芯片獲英偉達質量認證
在科技界的密切關注下,三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據韓國主流媒體NewDaily最新報道,三星電子已成功通過英偉
評論