三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。

據悉，HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s，這一數字相較于前代產品有了顯著的增長。同時，其產品容量也達到了36GB，為高性能計算應用提供了更為強大的數據處理能力。

與三星之前推出的8層堆疊的HBM3 8H相比，HBM3E 12H在帶寬和容量上的提升幅度超過50%。這一重大進步不僅體現了三星電子在半導體技術領域的持續(xù)創(chuàng)新和領先實力，也預示著高性能計算領域將迎來更為強勁的發(fā)展動力。

HBM3E 12H的發(fā)布，標志著三星在高性能存儲器領域的又一重大突破。通過采用先進的12層堆疊技術，該產品實現了更高的集成度和更低的功耗，為人工智能、數據中心等高性能計算應用提供了更為可靠和高效的硬件支持。