SK海力士計(jì)劃明年開始量產(chǎn)HBM2E DRAM
SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。
該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過(guò)每秒460GB的帶寬，基于每個(gè)引腳的3.6Gbps速度性能和1,024個(gè)數(shù)據(jù)I / O. 通過(guò)利用TSV（硅通孔）技術(shù)，最多可以垂直堆疊8個(gè)16千兆位芯片，形成一個(gè)16GB數(shù)據(jù)容量的單個(gè)密集封裝。
SK海力士表示其HBM2E是第四個(gè)工業(yè)時(shí)代的最佳內(nèi)存解決方案，支持需要最高內(nèi)存性能的高端GPU，超級(jí)計(jì)算機(jī)，機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能系統(tǒng)。不同于采取模塊封裝形式并安裝在系統(tǒng)板商品DRAM產(chǎn)品，HBM芯片緊密互連到處理器，例如GPU和邏輯芯片小號(hào)，相距只有很少?單位分開，這允許更快的數(shù)據(jù)傳送。
“自2013年全球首個(gè)HBM發(fā)布以來(lái)，SK海力士已確立了其技術(shù)領(lǐng)先地位，”HBM業(yè)務(wù)戰(zhàn)略公司負(fù)責(zé)人Jun-Hyun Chun表示。“SK海力士將于2020年開始量產(chǎn)，預(yù)計(jì)HBM2E市場(chǎng)將開放，并繼續(xù)加強(qiáng)其在優(yōu)質(zhì)DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
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