SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發采用4F2結構（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV）工藝成本的不斷攀升，自1c DRAM商業化以來，傳統制造工藝的經濟性正受到嚴峻挑戰。因此，公司決定嘗試4F2結構DRAM，旨在通過技術創新來縮減成本。
4F2結構DRAM作為一種先進的內存制造技術，通過垂直堆疊晶體管來優化單元陣列結構，有效減少了芯片表面積，提升了制造效率。SK海力士此舉不僅體現了其對技術前沿的敏銳洞察，也彰顯了公司在面對成本壓力時的靈活應對能力。未來，隨著4F2結構DRAM的推出，SK海力士有望進一步提升市場競爭力，推動行業成本優化和技術進步。
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