3 月 19 日，英偉達推出名為 Blackwell GB200 的最新一代 AI 計算加速卡。該卡使用臺積電 4NP 制程，搭載 192 HBM3E 內存及2080 億個晶體管。相較于上代 H100，它的推理大語言模型性能得到提高 30 倍。成本及能耗亦下降近 96%。

同日，SK 海力士宣布啟動 HBM3E 內存的量產工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發僅過了七個月。據稱，該公司成為全球首家量產出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數據。此項數據處理能力足以支持在一小時內處理多達約 33，800 部全高清電影。

在面對 AI 對內存速度要求提高的同時，SK 海力士的 HBM3E 著重體現了出色的散熱性能。該款產品采用了先進的 MR-MUF 技術，散熱性能比上代產品顯著提升 10%，整體表現處于世界最高水平。

據悉，MR-MUF 是一種將半導體芯片堆疊后，注入液態保護性材料并進行固化的技藝，對比傳統的每堆疊一個芯片鋪設薄膜材料的工藝方法具有更好的效率，且更為高效地解決散熱問題。

SK 海力士的 HBM 業務負責人柳成洙表示，該項目的商業化生產將進一步增強公司在AI領域存儲器產品的領導地位。他強調，公司將以 HBM 業務的成功經驗作為基石，深化與客戶的聯系，穩固其在“全方位人工智能存儲器供應商”的地位。

除 SK 海力士外，三星電子和美光也在向 NVIDIA 提供 HBM3E 樣品，但尚需通過最后的質量認證測試以保證產品符合出貨標準。然而，SK 海力士已提前預設時間至少兩個月開始量產。

目前，NVIDIA 在AI GPU 市場占據超過 90%的份額；在存儲領域，SK 海力士已經主導全球一半以上的 HBM 市場份額，且徹底壟斷了 128GB DDR5 這一大型 DRAM 產品市場。