2024年3月19日，全球半導體行業的目光再次聚焦在SK海力士身上，因為這家科技巨頭宣布了一項令人矚目的成就——成功實現了用于人工智能領域的超高性能存儲器新產品HBM3E的量產，并計劃于當月末向全球客戶供貨。這一里程碑式的進展，距離去年8月宣布完成HBM3E的開發僅短短7個月，再次印證了SK海力士在技術創新和產品研發領域的卓越能力。

HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。這款專為AI系統打造的存儲器產品，不僅具備出色的數據處理能力，更在速度規格上達到了前所未有的水平。它的出現，為AI領域的發展注入了新的活力，滿足了全球大型科技公司對AI芯片性能日益增長的需求。

為了滿足AI系統對快速處理大量數據的需求，HBM3E在設計上充分考慮了散熱等關鍵因素。SK海力士在研發過程中，成功應用了先進的Advanced MR-MUF技術，使得新產品的散熱性能相比前一代產品有了顯著提升，確保了在高負荷運行下的穩定性和可靠性。

HBM3E的最高數據處理速度可達每秒1.18TB，這一驚人的速度意味著它能夠在極短的時間內完成大量數據的處理和分析，為AI系統的運行提供了強有力的支持。無論是處理復雜的圖像識別任務，還是進行大規模的數據挖掘和分析，HBM3E都能輕松應對，展現出其卓越的性能和穩定性。

SK海力士HBM業務擔當副社長柳成洙表示：“我們非常榮幸能夠成功實現全球首個HBM3E的量產，這不僅是我們在AI存儲器領域的一次重大突破，更是對我們技術實力和研發能力的充分肯定。我們將繼續深化與客戶的合作關系，鞏固我們作為‘全方位人工智能存儲器供應商’的地位，為全球AI產業的發展貢獻更多創新力量。”

審核編輯：黃飛