SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩，向全球業(yè)界展示其在存儲器技術領域的最新進展與對人工智能（AI）未來的深邃洞察。此次參展，SK海力士不僅將全面呈現其存儲器產品的技術革新，更將焦點對準了下一代AI存儲器技術的璀璨前景。

會上，SK海力士將自豪地揭開其下一代AI存儲器產品的神秘面紗，包括備受矚目的12層HBM3E樣品，該產品預計將于今年第三季度正式投入量產，其高性能與高效能特性將為AI計算領域帶來革命性變化。此外，SK海力士還將展示其前瞻性的研發(fā)成果——計劃于明年上半年推出的321層NAND閃存，這一技術突破預示著存儲密度的巨大飛躍，將為AI數據密集型應用提供更加堅實的支撐。

通過此次展示，SK海力士不僅彰顯了其在存儲器技術領域的領先地位，更向全球傳遞了其在AI時代持續(xù)創(chuàng)新、引領未來的堅定信念。