據(jù)消息人士12月24日透露，全球第三大DRAM制造商美光因其HBM3E多層Memory產(chǎn)品廣受好評(píng)而受到客戶關(guān)注。

據(jù)悉，HBM內(nèi)存因其精準(zhǔn)特性，結(jié)合多層次的DRAM技術(shù)，使得它能在AI服務(wù)器起到迅速提升數(shù)據(jù)處理能力和效率的作用。隨著市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者三星電子和SK海力士的持續(xù)投入，這一市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將于2026年達(dá)到近8萬(wàn)億韓元。

美光已明確表示，預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計(jì)劃于2023年最后階段為英偉達(dá)提供測(cè)試。

美光CEO薩吉還指出，美光將于2024年滿負(fù)荷生產(chǎn)HBM芯片，這意味著相關(guān)業(yè)務(wù)的收益必將得到巨大提升。他預(yù)計(jì)，在兩年下滑后，個(gè)人電腦和智能手機(jī)市場(chǎng)將于2024年稍有反彈，尤其是NOR閃存市場(chǎng)的復(fù)蘇趨勢(shì)更為明顯。對(duì)于產(chǎn)能問(wèn)題，薩吉表示會(huì)視產(chǎn)品價(jià)格回升情況再做調(diào)整。

引領(lǐng)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也在積極推陳出新，擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。例如，三星電子和SK海力士正在努力研究的HBM4第六代產(chǎn)品中，混合鍵合技術(shù)將有助于減小體積，增大容量。