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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案
基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳...
突破性能邊界:基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景
突破性能邊界:基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景 ? ? ? ? 在高效能電力電子系統(tǒng)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(Si...
突發(fā)!歐系Tier1拋售6寸SiC晶圓廠,牽一發(fā)而動全身
第三類半導(dǎo)體碳化矽(SiC)自 2023 年由中系業(yè)者打破過往料源產(chǎn)出瓶頸后,不僅打通了整個產(chǎn)業(yè)的上下游通道,實(shí)現(xiàn)供貨順暢且成本快速下降,同時也如同一面...
安森美SiC JFET產(chǎn)品應(yīng)用研討會預(yù)告
隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電力電子技術(shù)的進(jìn)步,固態(tài)斷路器 (SSCB) 的性能持續(xù)提升。新型半導(dǎo)體材料(如碳化硅)提供了更高的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通損耗和更高的耐壓...
基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步,具體體...
傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命
傾佳電子:碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命? 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)變革,正在重塑新能源世界的能源轉(zhuǎn)換效率邊界。 全球能源轉(zhuǎn)型浪潮下,混合...
SiC功率模塊工商業(yè)儲能PCS的主流化與SiC單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢
E2B碳化硅SiC功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的主流化與單管并聯(lián)方案的運(yùn)維成本劣勢 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(...
SiC模塊BMF240R12E2G3全面替代英飛凌SiC單管IMZA120R014M1H并聯(lián)方案
國產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF240R12E2G3全面替代英飛凌SiC單管IMZA120R014M1H并聯(lián)方案的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理...
老舊MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動下的部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動電壓需求而引發(fā)柵氧可靠性隱患的深度分析。
SiC/磁材破局關(guān)鍵戰(zhàn)!百余位技術(shù)精英聚首東莞
在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動下,光儲充產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長,但效率瓶頸、安全焦慮與成本高壓仍是橫亙在行業(yè)面前的三座大山。 6月26日,第十六屆光儲充關(guān)鍵元器件技術(shù)...
2025-06-23 標(biāo)簽:SiC 185 0
歐洲停電事件加速了高比例可再生能源電網(wǎng)對儲能技術(shù)的需求升級
歐洲2025年4月的大規(guī)模停電事件暴露了高比例可再生能源電網(wǎng)的脆弱性,尤其是西班牙、葡萄牙等國家因風(fēng)光發(fā)電的間歇性和儲能設(shè)施不足導(dǎo)致電網(wǎng)崩潰。這一事件對...
第六屆電子熱點(diǎn)峰會迎來報(bào)名高峰:六大論壇聯(lián)動百企展示
導(dǎo)語:6月26–27日,2025年東莞電子熱點(diǎn)解決方案創(chuàng)新峰會即將開幕,六大論壇、百家展商集結(jié),當(dāng)前報(bào)名持續(xù)火熱,參會工程師請盡快鎖定席位! 隨著終端系...
基于SiC碳化硅模塊的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案:效率躍升1%
傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案:效率躍升1% 隨著全球工商業(yè)儲能市場向高功率密度、高效率方向快速演進(jìn),傳統(tǒng)IGBT方案...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)洗牌:SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰,與其視為行業(yè)危機(jī),不如理解為市場機(jī)制的自我凈化——當(dāng)參數(shù)虛標(biāo)、低質(zhì)低價(jià)等亂象被清除,真正具備創(chuàng)新能力的企...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 168 0
國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案
隨著新能源、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求,而碳...
62mm半橋SiC碳化硅MSOFET功率模塊 BMF540R12KA3應(yīng)用場景
國產(chǎn)62mm半橋碳化硅功率模塊 BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 的全面分析,包括產(chǎn)品力評估、應(yīng)用場景及具體解決方案: 一、產(chǎn)品力分析...
開啟焊機(jī)高效時代:國內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析
碳化硅逆變焊機(jī)輸出整流應(yīng)用的革新之選:國內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析 引言:碳化硅技術(shù)引領(lǐng)焊機(jī)高效化浪潮 隨著電力電...
基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯(lián)設(shè)計(jì)135kW/145kW工商業(yè)儲能變流器(PCS)
傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 以下基于BMF240R12E2...
東芝第3代SiC MOSFET助于降低應(yīng)用中電源損耗分享個人觀點(diǎn)
功率器件是管理和降低各種電子設(shè)備電能功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和社會的重要元器件。由于與比硅材料相比,碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗,因此碳化硅(SiC)被廣泛...
中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“結(jié)硬寨,打呆仗”的破局之路
中國SiC產(chǎn)業(yè)從政策扶持、技術(shù)攻堅(jiān)到資本賦能的縮影。其發(fā)展揭示了中國半導(dǎo)體企業(yè)的共性路徑:以IDM模式突破封鎖,以成本優(yōu)勢搶占市場,以資本耐力換取技術(shù)時...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 142 0
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