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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心材料，憑借其高功率密度、優異的耐高溫性能和高效的功率轉換能力，在新能源汽車、5G通信、數據中心等領域展現出巨大的應...
基本半導體SiC功率模塊：中國工商業儲能變流器PCS廠商出海的“技術引擎”
在全球能源轉型與碳中和目標的驅動下，工商業儲能市場正經歷技術代際更迭的浪潮。碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高頻高效、耐高溫高壓等特性，成為儲能變流器(P...
由于具備的多種屬性，碳化硅（SiC）成為了電動車（EV）領域中重要的半導體技術，碳化硅器件的性能勝過傳統硅（Si）器件。它的優勢包括提高了電壓額定值、功...
革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當效率差距跨越臨界點，IGBT被淘汰便是唯一結局 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模...
如何用SiC模塊打造最高效率大于98.8%的工商業儲能變流器PCS
如何用SiC模塊打造最高效率及高性價比的工商業儲能變流器（PCS） 通過 半橋兩電平拓撲三相四線制+BMF240R12E2G3模塊 為核心，結合高效散熱...
Keithley高壓靜電計的SiC器件兆伏級瞬態擊穿特性研究
一、引言 1.1 SiC材料在高壓電力電子領域的應用背景 碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體材料的代表，其物理特性（如3.3 eV的禁帶寬度、3.7...
SiC碳化硅MOSFET驅動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權衡
碳化硅（SiC）MOSFET的Vgs正負驅動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層（通常為SiO?）的電場耐受能力和界面特性，需在柵氧可靠性與器件性能之間進行...
三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業儲能變流器PCS的優勢 三相四橋臂拓撲結合碳化硅（SiC）功率模塊的工商業儲能變流器（PCS），在新能源和電力電子領...
為何必須通過TDDB（時間相關介質擊穿）方法檢驗國產SiC MOSFET的柵氧可靠性水平
在充電樁、車載充電機（OBC）、汽車空調、光伏逆變器及逆變焊機等應用中，部分國產碳化硅（SiC）MOSFET因柵氧可靠性問題頻繁爆雷，其根源在于柵氧化層...
SiC全橋碳化硅模塊在家儲系統電池充放電DC-DC中的應用優勢
BMH027MR07E1G3碳化硅全橋模塊在家儲系統電池PACK充放電DC-DC中的應用優勢 BMH027MR07E1G3作為一款650V全橋碳化硅MO...
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅動板：解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅動板：解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅動板不僅是SiC MOSFET的“智...
碳化硅（SiC）MOSFET橋式電路應用中米勒鉗位功能的重要性
在碳化硅（SiC）MOSFET橋式電路應用中，米勒鉗位功能至關重要，主要體現在以下幾個方面： 在SiC MOSFET橋式電路（如充電樁LLC拓撲、光伏逆...
基本半導體碳化硅（SiC）MOSFET低關斷損耗（Eoff）特性的應用優勢
BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現出顯著優勢： 傾佳電子（Changer Tech...
本文探討了軟件定義汽車（SDV）對汽車行業的影響，以及實現這一目標的硬件和軟件可升級的汽車。其中，軟件定義電動汽車（SDEV）需要具備動態、選擇性地開啟...
氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長，因此不需要 GaN 晶圓。該行業的許多公司目前都是無晶圓廠，這在一...
在工業制造領域，焊接設備是核心生產力工具之一，其效率與能耗直接影響生產成本和環保標準。傳統焊機多采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)技術，但在高頻應用場景下...
隨著這些公司將 SiC 發展為價值數十億美元的業務，未來幾年的競爭也可以在供應鏈整合中確定。主要參與者選擇了 IDM 商業模式，碳化硅領域的多次并購 (...
傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案
SiC碳化硅MOSFET正負壓驅動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管...
國產碳化硅MOSFET行業當前正處于技術追趕、市場調整與產業鏈整合的關鍵階段，其亂象的陣痛期預計將持續3年左右，行業出清需到2028年前后完成。
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